Siliciumcarbid (SiC)Halbleitermaterial ass dat reiftst ënner de breet Bandspalt Halbleiteren entwéckelt. SiC Hallefleitmaterialien hunn e grousst Applikatiounspotenzial an héijer Temperatur, Héichfrequenz, Héichkraaft, Fotoelektronik a Stralungsbeständeg Geräter wéinst hirem breet Bandspalt, héich Decompte elektrescht Feld, héich thermesch Konduktivitéit, héich Sättigung Elektronemobilitéit a méi kleng Gréisst. Silicon Carbide huet eng breet Palette vun Uwendungen: Wéinst senger breet Band Spalt, et kann benotzt ginn blo Liichtjoer emitting diodes oder ultraviolet Detektoren ze maachen, datt kaum vun Sonneliicht betraff sinn; Well d'Spannung oder elektrescht Feld kann aacht Mol toleréiert ginn wéi Silizium oder Galliumarsenid, besonnesch gëeegent fir High-Volt-Héichkraaft-Geräter wéi Héichspannungsdioden, Power-Triode, Silizium-kontrolléiert an High-Power Mikrowellengeräter ze fabrizéieren; Wéinst der héijer Sättigung Elektronen Migratiounsgeschwindegkeet, kann a verschidde Héichfrequenz Geräter (RF a Mikrowelle) gemaach ginn;Siliziumkarbidass e gudde Wärmeleiter a féiert Hëtzt besser wéi all aner Hallefleitmaterial, wat Siliziumkarbid Geräter bei héijen Temperaturen funktionnéiere kann.
Als spezifescht Beispill ass APEI de Moment virbereet fir säin extremen Ëmfeld DC Motor Drive System fir NASA Venus Explorer (VISE) mat Siliziumkarbidkomponenten z'entwéckelen. Nach ëmmer an der Designphase ass d'Zil fir Exploratiounsroboter op der Uewerfläch vun der Venus ze landen.
Zousätzlech, sIlikonscarbidhuet eng staark ionesch kovalent Verbindung, et huet héich hardness, thermesch Leit iwwer Koffer, gutt Hëtzt dissipation Leeschtung, corrosion Resistenz ass ganz staark, Stralung Resistenz, héich Temperatur Resistenz a gutt chemesch Stabilitéit an aner Eegeschaften, huet eng breet Palette vun Uwendungen am Gebitt vun der Raumfaarttechnologie. Zum Beispill d'Benotzung vu Siliziumkarbidmaterialien fir Raumschëffer fir Astronauten, Fuerscher ze liewen a schaffen ze preparéieren.
Post Zäit: Aug-01-2022