Semiconductor Apparat ass de Kär vun der moderner industriell Maschinn Equipement, an Computeren, Konsument elektronesch, Reseau Kommunikatiounen, Automobile elektronesch, an aner Beräicher vun Kär benotzt, ass d'Halbleiter Industrie haaptsächlech aus véier Basis Komponente komponéiert: integréiert Kreesleef, optoelektronesch Apparater, diskret Apparat, Sensor, déi Konte fir méi wéi 80% vun integréiert Kreesleef, sou oft an semiconductor an integréiert Circuit gläichwäerteg.
Integréiert Circuit, no der Produit Kategorie ass haaptsächlech a véier Kategorien ënnerdeelt: microprocessor, Erënnerung, Logik Apparater, Simulator Deeler. Wéi och ëmmer, mat der kontinuéierlecher Expansioun vum Applikatiounsfeld vun Halbleitergeräter, erfuerderen vill speziell Occasiounen Hallefleit fir d'Benotzung vun héijer Temperatur, staarker Stralung, héijer Kraaft an aner Ëmfeld ze halen, net beschiedegen, déi éischt an zweet Generatioun vun Hallefleitmaterialien si mächteg, sou datt déi drëtt Generatioun vu Hallefleitmaterialien entstanen ass.
Am Moment, déi breet Band Spalt semiconductor Material duergestallt vunSiliziumkarbid(SiC), Galliumnitrid (GaN), Zinkoxid (ZnO), Diamant, Aluminiumnitrid (AlN) besetzen den dominante Maart mat méi grousse Virdeeler, kollektiv als drëtt Generatioun Hallefleitmaterial bezeechent. Déi drëtt Generatioun vun semiconductor Material mat enger méi breet Band Spalt Breet, déi méi héich den Decompte elektrescht Feld, thermesch Konduktivitéit, elektronesch gesättegt Taux a méi héich Fähegkeet Stralung ze widderstoen, méi gëeegent fir héich Temperatur, héich Frequenz, Resistenz zu Stralung an héich Muecht Apparater , normalerweis bekannt als breet Bandgap Hallefleitmaterialien (verbueden Bandbreet ass méi wéi 2,2 eV), och genannt Héichtemperatur d'Hallefuedermaterial. Vun der aktueller Fuerschung iwwer Drëtt Generatioun Hallefleitmaterialien an Apparater sinn Siliziumkarbid a Galliumnitrid Hallefleitmaterialien méi reift, anSiliziumkarbid Technologieass am meeschte reife, während d'Fuerschung iwwer Zinkoxid, Diamant, Aluminiumnitrid an aner Materialien nach ëmmer an der éischter Etapp ass.
Materialien an hir Eegeschaften:
SiliziumkarbidMaterial ass wäit an Keramik Kugellager, Ventile, Hallefleitmaterialien, Gyros, Messinstrumenter, Raumfaart an aner Felder benotzt, ass en irreplaceable Material a villen Industrieberäicher ginn.
SiC ass eng Zort natierlech Supergitter an en typesche homogene Polytyp. Et gi méi wéi 200 (aktuell bekannt) homotypesch polytypesch Famillen wéinst dem Ënnerscheed an der Packungssequenz tëscht Si a C diatomesche Schichten, wat zu verschiddene Kristallstrukturen féiert. Dofir ass SiC ganz gëeegent fir déi nei Generatioun vu Liichtdioden (LED) Substratmaterial, héichkraaft elektronesch Materialien.
| charakteristesch | |
| kierperlech Propriétéit | Héich Hardness (3000 kg / mm), kann Rubin schneiden |
| Héich Verschleißbeständegkeet, zweet nëmmen zum Diamant | |
| D'thermesch Konduktivitéit ass 3 Mol méi héich wéi déi vu Si an 8 ~ 10 Mol méi héich wéi déi vu GaAs. | |
| D'thermesch Stabilitéit vu SiC ass héich an et ass onméiglech bei atmosphäreschen Drock ze schmëlzen | |
| Gutt Wärmevergëftungsleistung ass ganz wichteg fir héichkraaft Geräter | |
|
chemesch Eegeschafte | Ganz staark corrosion Resistenz, resistent géint bal all bekannt corrosive Agent bei Raumtemperatur |
| SiC Uewerfläch oxidizes einfach SiO ze Form, dënn Layer, kann seng weider oxidation verhënneren, an Iwwer 1700 ℃ schmëlzt den Oxidfilm an oxidéiert séier | |
| De Bandgap vu 4H-SIC a 6H-SIC ass ongeféier 3 Mol dee vu Si an 2 Mol dee vu GaAs: D'Decompte elektresch Feldintensitéit ass eng Uerdnung vun der Gréisst méi héich wéi Si, an d'Elektrondriftgeschwindegkeet ass gesättegt Zwee an en halleft Mol de Si. De Bandgap vum 4H-SIC ass méi breet wéi dee vum 6H-SIC |
Post Zäit: Aug-01-2022