Photolithographie Technologie konzentréiert sech haaptsächlech op d'Benotzung vun opteschen Systemer fir Circuitmuster op Siliziumwaferen auszesetzen. D'Genauegkeet vun dësem Prozess beaflosst direkt d'Performance an d'Ausbezuele vun integréierte Circuiten. Als eng vun den Top Ausrüstung fir Chipfabrikatioun enthält d'Lithographiemaschinn bis zu Honnertdausende vu Komponenten. Béid optesch Komponenten a Komponenten am Lithographiesystem erfuerderen extrem héich Präzisioun fir Circuitleistung a Genauegkeet ze garantéieren.SiC Keramikbenotzt goufen anwafer chucksa Keramik Quadratspigel.
Wafer ChuckDe Wafer Chuck an der Lithographiemaschinn dréit a bewegt de Wafer wärend dem Beliichtungsprozess. Genau Ausrichtung tëscht dem Wafer an dem Chuck ass essentiell fir d'Muster op der Uewerfläch vum Wafer präzis ze replizéieren.SiC waferChucks si bekannt fir hir liicht, héich Dimensiounsstabilitéit an nidderegen thermesche Expansiounskoeffizient, wat d'Inertiallaster reduzéiere kann an d'Bewegungseffizienz, d'Positionéierungsgenauegkeet an d'Stabilitéit verbesseren.
Keramik Quadratspigel An der Lithographiemaschinn ass d'Bewegungssynchroniséierung tëscht dem Wafer Chuck an der Maskebühn entscheedend, wat direkt d'Lithographie Genauegkeet an d'Ausbezuelung beaflosst. De Quadratreflektor ass e Schlësselkomponent vum Wafer Chuck Scanning Positionéierungsfeedback Messsystem, a seng Materialfuerderunge si liicht a strikt. Och wa Siliziumkarbid Keramik ideal liicht Eegeschaften huet, ass d'Fabrikatioun vun esou Komponenten Erausfuerderung. Momentan benotze féierend international integréiert Circuitausrüstungshersteller haaptsächlech Materialien wéi verschmolzte Silika a Cordierit. Wéi och ëmmer, mam Fortschrëtt vun der Technologie, hunn Chinesesch Experten d'Fabrikatioun vu grousser Gréisst, komplexfërmeg, héich liicht, voll zouene Siliziumkarbid Keramik Quadratspigelen an aner funktionell optesch Komponenten fir Photolithographiemaschinnen erreecht. D'Fotomask, och bekannt als Ouverture, iwwerdréit d'Liicht duerch d'Mask fir e Muster op dat fotosensibelt Material ze bilden. Wéi och ëmmer, wann d'EUV-Liicht d'Mask bestraht, straalt se Hëtzt aus, wat d'Temperatur op 600 bis 1000 Grad eropgeet, wat thermesch Schued verursaache kann. Dofir gëtt eng Schicht vu SiC Film normalerweis op der Fotomask deposéiert. Vill auslännesch Firmen, wéi ASML, bidden elo Filmer mat enger Iwwerdroung vu méi wéi 90% fir d'Botzen an d'Inspektioun während der Benotzung vun der Photomask ze reduzéieren an d'Effizienz an d'Produkterbezuelung vun EUV Photolithographie Maschinnen ze verbesseren.
Plasma Ätzenan Deposition Photomasks, och bekannt als Crosshairs, hunn d'Haaptfunktioun fir d'Liicht duerch d'Mask ze vermëttelen an e Muster op dat fotosensibelt Material ze bilden. Wéi och ëmmer, wann EUV (extrem ultraviolet) Liicht d'Fotomask bestraht, straalt se Hëtzt aus, wouduerch d'Temperatur op tëscht 600 an 1000 Grad Celsius eropgeet, wat thermesch Schued verursaache kann. Dofir gëtt eng Schicht Siliziumkarbid (SiC) Film normalerweis op der Fotomask deposéiert fir dëse Problem ze léisen. Am Moment hu vill auslännesch Firmen, wéi ASML, ugefaang Filmer mat enger Transparenz vu méi wéi 90% ze bidden fir d'Bedierfnes fir Botzen an Inspektioun während der Benotzung vun der Fotomask ze reduzéieren, an doduerch d'Effizienz an d'Produktausbezuelung vun EUV Lithographiemaschinnen verbesseren . Plasma Ätz undDepositioun Focus Ringan anerer An der Hallefleitfabrikatioun benotzt den Ätzprozess Flëssegkeets- oder Gasätsmëttel (wéi Fluorhaltege Gase) ioniséiert a Plasma fir de Wafer ze bombardéieren an selektiv ongewollt Materialien ze entfernen bis dat gewënschte Circuitmuster op derwaferUewerfläch. Am Géigesaz ass dënn Filmdepositioun ähnlech wéi déi ëmgedréint Säit vun Ätzen, mat enger Oflagerungsmethod fir Isoléiermaterial tëscht Metallschichten ze stackelen fir en dënnen Film ze bilden. Zënter béid Prozesser Plasma Technologie benotzen, si se ufälleg fir ätzend Effekter op Kammern a Komponenten. Dofir sinn d'Komponente bannent der Ausrüstung erfuerderlech gutt Plasmaresistenz ze hunn, geréng Reaktivitéit op Fluor Ätzgasen, a geréng Konduktivitéit. Traditionell Ätzen an Oflagerungsausrüstungskomponenten, wéi Fokusringen, ginn normalerweis aus Materialien wéi Silizium oder Quarz gemaach. Wéi och ëmmer, mam Fortschrëtt vun der integréierter Circuit Miniaturiséierung, ginn d'Nofro an d'Wichtegkeet vun Ätsprozesser an der integréierter Circuitfabrikatioun erop. Um mikroskopesche Niveau erfuerdert präzis Siliziumwafer Ätzen héich-Energie-Plasma fir méi kleng Linnebreeten a méi komplex Apparatstrukturen z'erreechen. Dofir ass chemesch Dampdepositioun (CVD) Siliziumkarbid (SiC) lues a lues de bevorzugte Beschichtungsmaterial fir Ätz- an Oflagerungsausrüstung mat hiren exzellente physikaleschen a chemeschen Eegeschaften, héijer Rengheet an Uniformitéit ginn. Am Moment enthalen CVD Siliziumkarbidkomponenten an Ätsausrüstung Fokusringen, Gasduschkoppen, Schacht a Randringen. An Oflagerung Equipement ginn et Chamber deckt, Chamber Linnen anSIC-beschichtete Grafitsubstrater.
Wéinst senger gerénger Reaktivitéit an der Konduktivitéit op Chlor a Fluor Ätsgase,CVD Siliziumkarbidass en idealt Material fir Komponenten wéi Fokusringen a Plasma Ätsausrüstung ginn.CVD SiliziumkarbidKomponenten an Ätzen Ausrüstung och Focus Réng, Gas Dusch Kapp, Schacht, Rand Réng, etc.. Huelt de Schwéierpunkt Réng als Beispill, si Schlëssel Komponente ausserhalb der wafer an am direkte Kontakt mat der wafer. Andeems Dir Spannung op de Ring applizéiert, gëtt de Plasma duerch de Ring op de Wafer fokusséiert, wat d'Uniformitéit vum Prozess verbessert. Traditionell sinn Fokusringen aus Silizium oder Quarz gemaach. Wéi och ëmmer, wéi d'integréiert Circuit Miniaturiséierung viru geet, geet d'Nofro an d'Wichtegkeet vun Ätzprozesser an der integréierter Circuitfabrikatioun weider erop. Plasma Ätzkraaft an Energiefuerderunge klammen weider, besonnesch a capacitively coupled Plasma (CCP) Ätsausrüstung, déi méi héich Plasma Energie erfuerdert. Als Resultat ass d'Benotzung vu Fokusringen aus Siliziumkarbidmaterialien erop.
Post Zäit: Okt-29-2024