SiC Beschichtete Graphitbase ginn allgemeng benotzt fir eenzel Kristallsubstrater an Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) Ausrüstung z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen. D'thermesch Stabilitéit, thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vu SiC Beschichtete Grafitbasis spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaxialen Materialwachstum, sou datt et de Kär Schlësselkomponent vun der MOCVD Ausrüstung ass.
Am Prozess vun der Wafer Fabrikatioun ginn epitaxial Schichten weider op e puer Wafer Substrate konstruéiert fir d'Fabrikatioun vun Apparater ze erliichteren. Typesch LED-Liichtemittéierend Geräter mussen epitaxial Schichten vu GaAs op Siliziumsubstrater virbereeden; D'SiC epitaxial Schicht gëtt op de konduktiven SiC-Substrat gewuess fir d'Konstruktioun vun Apparater wéi SBD, MOSFET, etc., Fir Héichspannung, Héichstroum an aner Kraaftapplikatiounen; GaN epitaxial Schicht ass op semi-isoléierte SiC Substrat gebaut fir weider HEMT an aner Geräter fir RF Uwendungen wéi Kommunikatioun ze konstruéieren. Dëse Prozess ass net getrennt vu CVD Ausrüstung.
An der CVD-Ausrüstung kann de Substrat net direkt op d'Metall plazéiert ginn oder einfach op enger Basis fir epitaxial Oflagerung plazéiert ginn, well et de Gasfluss (horizontal, vertikal), Temperatur, Drock, Fixatioun, Verschmotzung an aner Aspekter vun den Aflossfaktoren. Dofir ass et néideg eng Basis ze benotzen, an dann de Substrat op der Scheif setzen, a benotzt dann CVD Technologie fir epitaxial Oflagerung op de Substrat, dat ass d'SiC Beschichtete Grafitbasis (och bekannt als Schacht).
SiC Beschichtete Graphitbase ginn allgemeng benotzt fir eenzel Kristallsubstrater an Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) Ausrüstung z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen. D'thermesch Stabilitéit, thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vu SiC Beschichtete Grafitbasis spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaxialen Materialwachstum, sou datt et de Kär Schlësselkomponent vun der MOCVD Ausrüstung ass.
Metal-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) ass d'Mainstream Technologie fir den epitaxiale Wuesstum vu GaN Filmer a blo LED. Et huet d'Virdeeler vun einfach Operatioun, kontrolléierbar Wuesstem Taux an héich Rengheet vun GaN Filmer. Als e wichtege Bestanddeel an der Reaktiounskammer vun MOCVD-Ausrüstung muss d'Lagerbasis fir GaN-Film-epitaxialwachstum benotzt ginn d'Virdeeler vun héijer Temperaturbeständegkeet, eenheetlech thermesch Konduktivitéit, gutt chemesch Stabilitéit, staark thermesch Schockbeständegkeet, etc.. Graphitematerial kann treffen der uewen Konditiounen.
Als ee vun de Kär Komponente vun MOCVD Equipement, GRAPHITE Base ass den Träger an Heizkierper vum Substrat, déi direkt d'Uniformitéit an Rengheet vum Film Material bestëmmt, sou seng Qualitéit direkt Afloss op d'Virbereedung vun der epitaxial Blat, a gläichzäiteg Zäit, mat der Erhéijung vun der Zuel vun de Gebrauch an der Ännerung vun Aarbechtskonditiounen, ass et ganz einfach ze droen, gehéiert zu der consumables.
Och wann d'Graphit eng exzellent thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit huet, huet et e gudde Virdeel als Basiskomponent vun der MOCVD-Ausrüstung, awer am Produktiounsprozess wäert d'Graphit de Pulver korrodéieren wéinst dem Rescht vu ätzenden Gasen a metalleschen Organen, an dem Liewensdauer vum Produkt. GRAPHITE Basis wäert staark reduzéiert ginn. Zur selwechter Zäit wäert de falende Grafitpulver Verschmotzung vum Chip verursaachen.
D'Entstoe vun der Beschichtungstechnologie kann Uewerflächepulverfixatioun ubidden, d'thermesch Konduktivitéit verbesseren an d'Hëtztverdeelung ausgläichen, wat d'Haapttechnologie gouf fir dëse Problem ze léisen. D'Graphitbasis an der MOCVD Ausrüstung benotzt Ëmfeld, d'Graphitbasis Uewerflächbeschichtung sollt de folgende Charakteristiken erfëllen:
(1) D'Graphitbasis kann voll gewéckelt ginn, an d'Dicht ass gutt, soss ass d'Graphitbasis einfach am korrosive Gas korrodéiert.
(2) D'Kombinatiounsstäerkt mat der Grafitbasis ass héich fir sécherzestellen datt d'Beschichtung net einfach ass ze falen no e puer héich Temperaturen a Tieftemperaturzyklen.
(3) Et huet gutt chemesch Stabilitéit fir Beschichtungsfehler bei héijer Temperatur a korrosiver Atmosphär ze vermeiden.
SiC huet d'Virdeeler vun corrosion Resistenz, héich thermesch Leit, thermesch Schock Resistenz an héich chemesch Stabilitéit, a kann gutt an GaN epitaxial Atmosphär Aarbecht. Zousätzlech ënnerscheet sech den thermesche Expansiounskoeffizient vu SiC ganz wéineg vun deem vu Grafit, sou datt SiC dat bevorzugt Material fir d'Uewerflächbeschichtung vu Grafitbasis ass.
Am Moment ass de gemeinsame SiC haaptsächlech 3C, 4H a 6H Typ, an d'SiC Notzung vu verschiddene Kristallarten sinn ënnerschiddlech. Zum Beispill, 4H-SiC kann héich-Muecht Apparater Fabrikatioun; 6H-SiC ass déi stabilst a kann fotoelektresch Geräter fabrizéieren; Wéinst senger ähnlecher Struktur wéi GaN, kann 3C-SiC benotzt ginn fir GaN epitaxial Schicht ze produzéieren an SiC-GaN RF Apparater ze fabrizéieren. 3C-SiC ass och allgemeng bekannt als β-SiC, an eng wichteg Notzung vu β-SiC ass als Film a Beschichtungsmaterial, sou datt β-SiC momentan d'Haaptmaterial fir d'Beschichtung ass.
Post Zäit: Aug-04-2023