SiC Beschichtete Graphitbase ginn allgemeng benotzt fir eenzel Kristallsubstrater an Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) Ausrüstung z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen. D'thermesch Stabilitéit, thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vu SiC Beschichtete Grafitbasis spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaxialen Materialwachstum, sou datt et de Kär Schlësselkomponent vun der MOCVD Ausrüstung ass.
Am Prozess vun der Wafer Fabrikatioun ginn epitaxial Schichten weider op e puer Wafer Substrate konstruéiert fir d'Fabrikatioun vun Apparater ze erliichteren. Typesch LED-Liichtemittéierend Geräter mussen epitaxial Schichten vu GaAs op Siliziumsubstrater virbereeden; D'SiC epitaxial Schicht gëtt op de konduktiven SiC-Substrat gewuess fir d'Konstruktioun vun Apparater wéi SBD, MOSFET, etc., Fir Héichspannung, Héichstroum an aner Kraaftapplikatiounen; GaN epitaxial Schicht ass op semi-isoléierte SiC Substrat gebaut fir weider HEMT an aner Geräter fir RF Uwendungen wéi Kommunikatioun ze konstruéieren. Dëse Prozess ass net getrennt vu CVD Ausrüstung.
An der CVD-Ausrüstung kann de Substrat net direkt op d'Metall plazéiert ginn oder einfach op enger Basis fir epitaxial Oflagerung plazéiert ginn, well et de Gasfluss (horizontal, vertikal), Temperatur, Drock, Fixatioun, Verschmotzung an aner Aspekter vun den Aflossfaktoren. Dofir ass eng Basis gebraucht, an da gëtt de Substrat op der Scheif gesat, an dann gëtt d'epitaxial Oflagerung op de Substrat mat CVD Technologie duerchgefouert, an dës Basis ass d'SiC Beschichtete Grafitbasis (och bekannt als Schacht).
SiC Beschichtete Graphitbase ginn allgemeng benotzt fir eenzel Kristallsubstrater an Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) Ausrüstung z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen. D'thermesch Stabilitéit, thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vu SiC Beschichtete Grafitbasis spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaxialen Materialwachstum, sou datt et de Kär Schlësselkomponent vun der MOCVD Ausrüstung ass.
Metal-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) ass d'Mainstream Technologie fir den epitaxiale Wuesstum vu GaN Filmer a bloer LED. Et huet d'Virdeeler vun einfach Operatioun, kontrolléierbar Wuesstem Taux an héich Rengheet vun GaN Filmer. Als e wichtege Bestanddeel an der Reaktiounskammer vun MOCVD-Ausrüstung muss d'Lagerbasis fir GaN-Film-epitaxialwachstum benotzt ginn d'Virdeeler vun héijer Temperaturbeständegkeet, eenheetlech thermesch Konduktivitéit, gutt chemesch Stabilitéit, staark thermesch Schockbeständegkeet, etc.. Graphitematerial kann treffen der uewen Konditiounen.
Als ee vun de Kär Komponente vun MOCVD Equipement, GRAPHITE Base ass den Träger an Heizkierper vum Substrat, déi direkt d'Uniformitéit an Rengheet vum Film Material bestëmmt, sou seng Qualitéit direkt Afloss op d'Virbereedung vun der epitaxial Blat, a gläichzäiteg Zäit, mat der Erhéijung vun der Zuel vun de Gebrauch an der Ännerung vun Aarbechtskonditiounen, ass et ganz einfach ze droen, gehéiert zu der consumables.
Och wann d'Graphit eng exzellent thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit huet, huet et e gudde Virdeel als Basiskomponent vun der MOCVD-Ausrüstung, awer am Produktiounsprozess wäert d'Graphit de Pulver korrodéieren wéinst dem Rescht vu ätzenden Gasen a metalleschen Organen, an dem Liewensdauer vum Produkt. GRAPHITE Basis wäert staark reduzéiert ginn. Zur selwechter Zäit wäert de falende Grafitpulver Verschmotzung vum Chip verursaachen.
D'Entstoe vun der Beschichtungstechnologie kann Uewerflächepulverfixatioun ubidden, d'thermesch Konduktivitéit verbesseren an d'Hëtztverdeelung ausgläichen, wat d'Haapttechnologie gouf fir dëse Problem ze léisen. D'Graphitbasis an der MOCVD Ausrüstung benotzt Ëmfeld, d'Graphitbasis Uewerflächbeschichtung sollt de folgende Charakteristiken erfëllen:
(1) D'Graphitbasis kann voll gewéckelt ginn, an d'Dicht ass gutt, soss ass d'Graphitbasis einfach am korrosive Gas korrodéiert.
(2) D'Kombinatiounsstäerkt mat der Grafitbasis ass héich fir sécherzestellen datt d'Beschichtung net einfach ass ze falen no e puer héich Temperaturen a Tieftemperaturzyklen.
(3) Et huet gutt chemesch Stabilitéit fir Beschichtungsfehler bei héijer Temperatur a korrosiver Atmosphär ze vermeiden.
SiC huet d'Virdeeler vun corrosion Resistenz, héich thermesch Leit, thermesch Schock Resistenz an héich chemesch Stabilitéit, a kann gutt an GaN epitaxial Atmosphär Aarbecht. Zousätzlech ënnerscheet sech den thermesche Expansiounskoeffizient vu SiC ganz wéineg vun deem vu Grafit, sou datt SiC dat bevorzugt Material fir d'Uewerflächbeschichtung vu Grafitbasis ass.
Am Moment ass de gemeinsame SiC haaptsächlech 3C, 4H a 6H Typ, an d'SiC Notzung vu verschiddene Kristallarten sinn ënnerschiddlech. Zum Beispill, 4H-SiC kann héich-Muecht Apparater Fabrikatioun; 6H-SiC ass déi stabilst a kann fotoelektresch Geräter fabrizéieren; Wéinst senger ähnlecher Struktur wéi GaN, kann 3C-SiC benotzt ginn fir GaN epitaxial Schicht ze produzéieren an SiC-GaN RF Apparater ze fabrizéieren. 3C-SiC ass och allgemeng bekannt als β-SiC, an eng wichteg Notzung vu β-SiC ass als Film a Beschichtungsmaterial, sou datt β-SiC momentan d'Haaptmaterial fir d'Beschichtung ass.
Methode fir d'Virbereedung vu Siliziumkarbidbeschichtung
Am Moment enthalen d'Virbereedungsmethoden vun der SiC Beschichtung haaptsächlech Gel-Sol Method, Embedding Method, Pinselbeschichtungsmethod, Plasma Spraymethod, Chemesch Gasreaktiounsmethod (CVR) a Chemesch Vapor Deposition Method (CVD).
Embedding Method:
D'Methode ass eng Aart vun Héichtemperatur Festphase Sintering, déi haaptsächlech d'Mëschung vu Si-Pulver a C-Pulver als Embedding-Pulver benotzt, d'Graphitmatrix gëtt an de Embedding-Pulver plazéiert, an d'Héichtemperatur-Sintering gëtt am Inertgas duerchgefouert. , a schliisslech gëtt d'SiC-Beschichtung op der Uewerfläch vun der Grafitmatrix kritt. De Prozess ass einfach an d'Kombinatioun tëscht der Beschichtung an dem Substrat ass gutt, awer d'Uniformitéit vun der Beschichtung laanscht d'Dicke Richtung ass schlecht, wat einfach méi Lächer ze produzéieren an zu enger schlechter Oxidatiounsbeständegkeet féiert.
Pinselbeschichtungsmethod:
D'Brushbeschichtungsmethod ass haaptsächlech fir de flëssege Rohmaterial op der Uewerfläch vun der GRAPHITE Matrix ze biischten, an dann d'Rohmaterial bei enger gewësser Temperatur ze heelen fir d'Beschichtung ze preparéieren. De Prozess ass einfach an d'Käschte sinn niddereg, awer d'Beschichtung virbereet duerch Pinselbeschichtungsmethod ass schwaach a Kombinatioun mam Substrat, d'Beschichtungsuniformitéit ass schlecht, d'Beschichtung ass dënn an d'Oxidatiounsresistenz ass niddereg, an aner Methode si gebraucht fir ze hëllefen et.
Plasma Spraymethod:
D'Plasma-Spraymethod ass haaptsächlech fir geschmolten oder hallefgeschmëlzene Rohmaterial op der Uewerfläch vun der Grafitmatrix mat enger Plasma-Pistoul ze sprëtzen, an dann ze solidaréieren an ze binden fir eng Beschichtung ze bilden. D'Methode ass einfach ze bedreiwen a kann eng relativ dichte Siliziumkarbidbeschichtung virbereeden, awer d'Siliziumkarbidbeschichtung, déi vun der Method virbereet ass, ass dacks ze schwaach a féiert zu enger schwaacher Oxidatiounsresistenz, sou datt et allgemeng benotzt gëtt fir d'Virbereedung vu SiC Kompositbeschichtung fir ze verbesseren d'Qualitéit vun der Beschichtung.
Gel-sol Method:
D'Gel-Sol-Methode ass haaptsächlech fir eng eenheetlech an transparent Sol-Léisung ze preparéieren déi d'Uewerfläch vun der Matrix ofdeckt, an e Gel trocknen an dann Sinteren fir eng Beschichtung ze kréien. Dës Method ass einfach ze bedreiwen an niddreg Käschten, mä d'Beschichtung produzéiert huet e puer Defiziter wéi niddereg thermesch Schock Resistenz an einfach Rëss, sou kann et net wäit benotzt ginn.
Chemesch Gasreaktioun (CVR):
CVR generéiert haaptsächlech SiC Beschichtung andeems Si a SiO2 Puder benotzt fir SiO Damp bei héijer Temperatur ze generéieren, an eng Serie vu chemesche Reaktiounen optrieden op der Uewerfläch vum C Material Substrat. D'SiC Beschichtung virbereet duerch dës Method ass enk mam Substrat gebonnen, awer d'Reaktiounstemperatur ass méi héich an d'Käschte si méi héich.
Chemesch Dampdepositioun (CVD):
Am Moment ass CVD d'Haapttechnologie fir d'SiC Beschichtung op der Substratoberfläch ze preparéieren. Den Haaptprozess ass eng Serie vu physikaleschen a chemesche Reaktioune vu Gasphase-Reaktantmaterial op der Substratfläch, a schliisslech gëtt d'SiC-Beschichtung duerch Oflagerung op der Substratfläch virbereet. D'SiC Beschichtung virbereet duerch CVD Technologie ass enk mat der Uewerfläch vum Substrat gebonnen, wat d'Oxidatiounsresistenz an d'Ablativ Resistenz vum Substratmaterial effektiv verbesseren kann, awer d'Oflagerungszäit vun dëser Method ass méi laang, an de Reaktiounsgas huet e gewësse gëfteg. gass.
D'Maartsituatioun vu SiC Beschichtete Grafitbasis
Wann auslännesch Hiersteller fréi ugefaang hunn, haten se e klore Virsprong an en héije Maartundeel. International sinn d'Mainstream Fournisseuren vu SiC Beschichtete Grafitbasis hollännesch Xycard, Däitschland SGL Carbon (SGL), Japan Toyo Carbon, d'USA MEMC an aner Firmen, déi am Fong den internationale Maart besetzen. Och wann China duerch d'Schlësselkärtechnologie vum eenheetleche Wuesstum vun der SiC Beschichtung op der Uewerfläch vun der GRAPHIT Matrix gebrach ass, hänkt qualitativ héichwäerteg GRAPHITE Matrix nach ëmmer op Däitsch SGL, Japan Toyo Carbon an aner Entreprisen, d'Graphit Matrix, déi vun den Hausfirmen geliwwert gëtt, beaflosst de Service Liewen wéinst thermescher Konduktivitéit, elastesche Modul, steife Modulus, Gitterfehler an aner Qualitéitsproblemer. D'MOCVD Ausrüstung kann net den Ufuerderunge vum Gebrauch vun SiC Beschichtete Graphitbasis erfëllen.
D'chinesesch Hallefleitindustrie entwéckelt sech séier, mat der gradueller Erhéijung vun der MOCVD epitaxialer Ausrüstungslokaliséierungsrate, an aner Prozessapplikatiounsexpansioun, gëtt den zukünftege SiC Beschichtete Grafitbasisproduktmaart erwaart séier ze wuessen. No virleefeg Industrie Schätzungen, wäert den Gewalt GRAPHITE Basis Maart 500 Millioune Yuan an den nächste Joren iwwerschreiden.
SiC Beschichtete GRAPHITE Basis ass de Kär Komponente vun Compound Semiconductor Industrialiséierung Ausrüstung, Meeschtesch de Schlëssel Kär Technologie vu senger Produktioun an Fabrikatioun, a realiséiert d'Lokalisatioun vun der ganzer Matière première-Prozess-Ausrüstung Industrie Kette ass vu grousser strategescher Bedeitung fir d'Entwécklung vun assuréieren. China d'Halbleiterindustrie. D'Feld vun Gewalt SiC Beschichtete GRAPHITE Basis boomt, an d'Produktqualitéit kann den internationale fortgeschrattem Niveau geschwënn erreechen.
Post Zäit: Jul-24-2023