Reaktioun sintering Silicon Carbide Veraarbechtung Technologie

Reaktioun-sintered Silicon Carbide Porzeläin huet gutt compressive Kraaft bei Ëmgéigend Temperatur, Hëtzt Resistenz zu Loft Oxidatioun, gutt zouzedrécken Resistenz, gutt Hëtzt Resistenz, klenge Koeffizient vun linear Expansioun, héich Hëtzt Transfermaart Koeffizient, héich hardness, Hëtzt Resistenz an zerstéierend, Feier Préventioun an aner héichwäerteg Charakteristiken. Breet an Gefierer, mechanesch Automatisatioun, ökologeschen Ëmweltschutz, Raumfaarttechnik, Informatiounsinhalt elektronesch Geräter, Kraaftenergie an aner Felder benotzt, ass eng kosteneffektiv an irreplaceable strukturell Keramik a ville industrielle Beräicher ginn.

反应烧结碳化硅

Drocklos Sintering ass als villverspriechend SiC Kalzinéierungsmethod bekannt. Fir verschidde kontinuéierlech Gussmaschinne kann d'pressfräi Sintering a fest Phase Kalzinatioun an High-Performance Liquid Phase Kalzinatioun opgedeelt ginn. Andeems Dir entspriechend B an C (Sauerstoffgehalt manner wéi 2%) zesummen an engem ganz feine Beta SiC-Pulver addéiere kënnt, gëtt S. Proehazka an e SIC calcinéierte Kierper mat enger relativer Dicht vu méi wéi 98% bei 2020 gesintert, mat Al2O3 an Y2O3 als Zousätz. Kalzinéiert 0,5m-SiC ënner 1850-1950 (Partikel Uewerfläch mat e bësse SiO2), d'Konklusioun ass datt d'Dicht vu SiC Porzellan méi wéi 95% vun der Basistheoretescher Dicht ass, d'Korngréisst ass kleng, an d'Duerchschnëttsgréisst ass grouss, wat ass 1,5 μm.

 

Reaktiv Sintering Siliziumkarbid bezitt sech op de ganze Prozess fir poröse Strukturbiller mat flësseger Phase oder High-Performance Flëssegphase ze reflektéieren, d'Qualitéit vum Billet ze verbesseren, d'Lüftungsloch ze reduzéieren an de fäerdege Produkt mat enger gewësser Kraaft a Dimensiounsgenauegkeet ze kalzinéieren. Plutonium-sic Pudder an héich Puritéit GRAPHITE ginn an engem gewëssen Undeel gemëscht an op ongeféier 1650 erhëtzt fir Hoer Embryo ze produzéieren. Zur selwechter Zäit penetréiert oder penetréiert se an d'Stol duerch d'flësseg Phase Si, reflektéiert mat Siliziumkarbid fir Plutonium-Sic ze bilden, a fusionéiert mat existente Plutonium-Sic-Partikelen. No Si Infiltratioun, kann d'Reaktioun gesintert Kierper mat detailléierte relativ Dicht an unpacked Gréisst kritt ginn. Am Verglach mat anere Sintering Methoden, am Prozess vun héich Dicht Reaktioun sintering Gréisst Transformatioun relativ kleng ass, kann déi richteg Gréisst vun Wueren schafen, mä et ass vill vun SiC op der calcined Kierper, déi héich Temperatur Charakteristiken vun der Reaktioun gesintert SiC Porzeläin wäert méi schlëmm ginn. Net-Drock calcined SiC Keramik, waarm isostatesch calcined SiC Keramik a Reaktioun gesintert SiC Keramik hu verschidde Charakteristiken.

 

Reaktiv sintering Silicon Carbide Hiersteller: Zum Beispill, SiC Porzeläin um Niveau vun calcined relativ Dicht a Béie Kraaft, waarm pressen sintering a waarm isostatic pressen calcination si méi, a reaktiv sintering SiC ass relativ niddereg. Zur selwechter Zäit änneren d'physikalesch Eegeschafte vu SiC Porzellan mat der Verännerung vum Kalzinatiounsmodifikateur. D'Net-Drock sintering, waarm Press sintering an Reaktioun sintering vun SiC Porzeläin hunn gutt alkaline Resistenz an sauerem Resistenz, mä d'Reaktioun gesintert SiC Porzeläin huet schwaach Resistenz zu HF an aner ganz staark Seier corrosion. Wann d'Ëmfeldtemperatur manner wéi 900 ass, ass d'Biegekraaft vun de meeschte SiC Porzellan wesentlech méi héich wéi déi vun héichtemperatur gesintert Porzeläin, an d'Biegekraaft vum reaktiven gesintert SiC Porzeläin fällt staark wann et méi wéi 1400 ass. (Dëst ass verursaacht duerch de plötzlechen Réckgang vun Béie Kraaft vun enger gewësser Quantitéit vun laminéiert Glas Si iwwer eng gewëssen Temperatur am calcined Kierper Déi héich Temperatur Leeschtung vun SiC Keramik gesintert ouni Drock calcination an ënner waarm konstante statesch Drock haaptsächlech vun der Zorte vun Zousätz beaflosst.


Post Zäit: Jun-19-2023
WhatsApp Online Chat!