Reaktioun sintering
D'Reaktioun sinteringSiliziumkarbid KeramikProduktioun Prozess ëmfaasst Keramik compacting, sintering Flux Infiltratioun Agent compacting, Reaktioun sintering Keramik Produit Virbereedung, Silicon Carbide Holz Keramik Virbereedung an aner Schrëtt.
Reaktioun sintering Silicon Carbide nozzle
Éischt, 80-90% vun Keramik Pudder (aus engem oder zwee Pudder vunSiliziumkarbidpulvera Borkarbidpulver), 3-15% vu Kuelestoffquellpulver (aus engem oder zwee Kueleschwarz a Phenolharz) an 5-15% vu Formmëttel (Phenolharz, Polyethylenglycol, Hydroxymethylcellulose oder Paraffin) ginn gläichméisseg gemëscht mat enger Kugelmille fir e gemëschte Pulver ze kréien, deen gesprayt gedréchent a granuléiert gëtt, an dann an enger Schimmel gedréckt gëtt fir eng Keramik ze kréien kompakt mat verschiddene spezifesche Formen.
Zweetens, 60-80% Siliziumpulver, 3-10% Siliziumkarbidpulver an 37-10% Bornitridpulver gi gleichméisseg gemëscht an an enger Schimmel gedréckt fir e Sinterflussinfiltratiounsagent kompakt ze kréien.
De Keramik-Kompakt an de Sinter-Infiltrant-Kompakt ginn dann zesumme gestapelt, an d'Temperatur gëtt op 1450-1750 ℃ an engem Vakuumofen mat engem Vakuumgrad vun net manner wéi 5 × 10-1 Pa fir Sinteren an Hëtztkonservatioun fir 1-3 erhéicht. Stonnen e Reaktioun gesintert Keramik Produit ze kréien. Den Infiltrantreschter op der Uewerfläch vun der gesinterter Keramik gëtt ofgeschaaft andeems Dir klappt fir eng dichte Keramikplack ze kréien, an déi ursprénglech Form vum Kompakt gëtt behalen.
Schlussendlech gëtt de Reaktiounssinterprozess ugeholl, dat heescht, flësseg Silizium oder Siliziumlegierung mat Reaktiounsaktivitéit bei héijer Temperatur infiltréiert an d'porös Keramik Leer, déi Kuelestoff enthält ënner der Handlung vun der Kapillarkraaft, a reagéiert mam Kuelestoff dran fir Siliziumkarbid ze bilden, wat wäert am Volume expandéieren, an déi reschtlech Pore si mat elementarem Silizium gefëllt. Déi porös Keramik Leer kann reng Kuelestoff oder Siliziumkarbid / Kuelestoffbaséiert Kompositmaterial sinn. Déi fréier gëtt duerch katalytesch Aushärtung a Pyrolyséierung vun engem organesche Harz, e Pore-Former an e Léisungsmëttel kritt. Déi lescht gëtt kritt andeems Dir Siliziumkarbidpartikelen / Harz-baséiert Kompositmaterialien pyrolyséiert fir Siliziumkarbid / Kuelestoff-baséiert Kompositmaterialien ze kréien, oder andeems α-SiC a Kuelestoffpulver als Ausgangsmaterial benotzt gëtt an e Press- oder Sprëtzformprozess benotzt fir de Komposit ze kréien Material.
Drocklos Sintering
Den Drocklosen Sinterprozess vu Siliziumkarbid kann a Festphase Sintering a Flëssegphase Sintering opgedeelt ginn. An de leschte Joren huet d'Fuerschung opSiliziumkarbid Keramikdoheem an am Ausland huet haaptsächlech op Flëssegket-Phas Sintering konzentréiert. De Keramikpräparatiounsprozess ass: gemëschte Material Kugelfräsen -> Spraygranuléierung -> Trockenpressen -> Gréngkierperverstäerkung -> Vakuum Sintering.
Drocklos gesintert Siliziumkarbidprodukter
Füügt 96-99 Deeler Siliziumkarbid Ultrafeinpulver (50-500nm), 1-2 Deeler Borkarbid Ultrafeinpulver (50-500nm), 0,2-1 Deeler Nano-Titan Borid (30-80nm), 10-20 Deeler vu Waasserlösleche Phenolharz, an 0,1-0,5 Deeler héich Effizienz Dispersant op d'Kugelmillen fir d'Kugelmillen a Vermëschung fir 24 Stonnen, a setzt de gemëschte Schlamm an e Mëschfaass fir 2 Stonnen ze réieren fir Bubbles an der Schlemm ze läschen.
Déi uewe genannte Mëschung gëtt an de Granulatiounstuerm gesprëtzt, an de Granulatiounspulver mat gudder Partikelmorphologie, gudder Flëssegkeet, schmuele Partikelverdeelungsberäich a moderéierter Fiichtegkeet gëtt kritt andeems de Spraydrock, d'Loftinngangstemperatur, d'Loftausgangstemperatur an d'Spraypartikelgréisst kontrolléiert. D'Zentrifugalfrequenzkonversioun ass 26-32, d'Loftinlettemperatur ass 250-280 ℃, d'Loftausgangstemperatur ass 100-120 ℃, an de Schlamm-Inletdrock ass 40-60.
Déi uewe genannte Granuléierungspulver gëtt an enger Zementkarbidform plazéiert fir ze pressen fir e grénge Kierper ze kréien. D'Pressmethod ass bidirektionalen Drock, an d'Maschinn Tool Drock Tonnage ass 150-200 Tonnen.
De gepresste grénge Kierper gëtt an engem Trocknenofen fir d'Trocknung an d'Aushärung plazéiert fir e grénge Kierper mat gudder grénger Kierperkraaft ze kréien.
Déi uewe gekierzt gréng Kierper gëtt an engemGRAPHITE Kéisan enk an ordentlech arrangéiert, an dann ass d'Graphit-Kraaft mat dem grénge Kierper an engem Héichtemperatur Vakuum Sinterofen fir ze brennen. D'Feiertemperatur ass 2200-2250 ℃, an d'Isolatiounszäit ass 1-2 Stonnen. Schlussendlech gëtt héich-Performance Drocklos gesintert Siliziumkarbid Keramik kritt.
Festphase Sintering
Den Drocklosen Sinterprozess vu Siliziumkarbid kann a Festphase Sintering a Flëssegphase Sintering opgedeelt ginn. Liquid Phase Sintering erfuerdert d'Additioun vu Sinteringadditiven, wéi Y2O3 binär an ternär Additive, fir SiC a seng Kompositmaterialien ze presentéieren flësseg Phase Sintering a Verdichtung bei enger méi niddereger Temperatur z'erreechen. D'Virbereedungsmethod vu fest-Phase gesintert Siliziumkarbid Keramik enthält d'Mëschung vu Rohmaterialien, Spraygranuléierung, Schimmel a Vakuumsinteren. De spezifesche Produktiounsprozess ass wéi follegt:
70-90% vun submikron α Silicon Carbide (200-500nm), 0,1-5% vun Bor Carbide, 4-20% vun Harz, an 5-20% vun organesche Bindemëttel ginn an engem Mischer geluecht a mat purem Waasser fir naass dobäi. vermëschen. No 6-48 Stonnen gëtt d'gemëschte Schlamm duerch e 60-120 Mesh-Sief gefouert;
D'gesieft Schlamm gëtt duerch e Spraygranuléierungstuerm gesprayt. D'Inlettemperatur vum Spraygranulatiounstuerm ass 180-260 ℃, an d'Outlettemperatur ass 60-120 ℃; d'Massdicht vum granuléierte Material ass 0,85-0,92g / cm3, d'Flëssegkeet ass 8-11s / 30g; de granuléierte Material gëtt duerch e 60-120 Mesh-Sief fir spéider benotzt;
Wielt eng Schimmel no der gewënschter Produktform, lued de granuléierte Material an d'Schimmelhuelraum, a maacht Raumtemperatur Kompressiounsformung bei engem Drock vun 50-200MPa fir e grénge Kierper ze kréien; oder de grénge Kierper no der Kompressiounsformung an en isostatesche Presseapparat setzen, isostatesch Pressen bei engem Drock vun 200-300MPa ausféieren, a kritt e grénge Kierper no Secondaire Pressen;
Setzt de grénge Kierper, deen an de uewe genannte Schrëtt virbereet ass, an e Vakuum Sinterofen fir Sintering, an de qualifizéierten ass de fäerdege Siliziumkarbid Kugelfest Keramik; an der uewen sintering Prozess, éischt evakuéiert der sintering Schmelzhäre, a wann de Vakuum Ofschloss 3-5 × 10-2 No Pa erreecht, gëtt den Inertgas an der sintering Schmelzhäre fir normal Drock weider an dann gehëtzt. D'Relatioun tëscht Heiztemperatur an Zäit ass: Raumtemperatur bis 800 ℃, 5-8 Stonnen, Wärmekonservatioun fir 0,5-1 Stonn, vun 800 ℃ bis 2000-2300 ℃, 6-9 Stonnen, Wärmekonservatioun fir 1 bis 2 Stonnen, an dann mam Uewen ofgekillt an op Raumtemperatur gefall.
Mikrostruktur a Getreidegrenz vu Siliziumkarbid gesintert bei normalen Drock
Kuerz gesot, Keramik fabrizéiert duerch waarm Drock Sinterprozess hunn eng besser Leeschtung, awer d'Produktiounskäschte sinn och staark erhéicht; Keramik virbereet duerch pressless sintering hunn méi héich Matière première Ufuerderunge, héich sintering Temperatur, grouss Produit Gréisst Ännerungen, komplex Prozess an niddreg Leeschtung; Keramikprodukter produzéiert duerch Reaktiounssinterprozess hunn héich Dicht, gutt anti-ballistesch Leeschtung, a relativ niddereg Virbereedungskäschte. Verschidde Sinterpräparatiounsprozesser vu Siliziumkarbidkeramik hunn hir eegen Virdeeler an Nodeeler, an d'Applikatiounsszenarie wäerten och ënnerschiddlech sinn. Et ass déi bescht Politik déi richteg Virbereedungsmethod no dem Produkt ze wielen an e Gläichgewiicht tëscht niddrege Käschten an héich Leeschtung ze fannen.
Post Zäit: Okt-29-2024