Am 21. Joerhonnert, mat der Entwécklung vun der Wëssenschaft an Technologie, Informatioun, Energie, Materialien, biologesch Ingenieuren ass déi véier Piliere vun der Entwécklung vun der heiteger sozialer Produktivitéit, Siliziumkarbid wéinst stabile chemeschen Eegeschaften, héijer Wärmekonduktivitéit, thermesch Expansiounskoeffizient vun kleng, kleng Dicht, gutt zouzedrécken Resistenz, héich hardness, héich mechanesch Kraaft, chemesch corrosion Resistenz an aner Charakteristiken, rapid Entwécklung am Beräich vun Material, Vill benotzt an Keramik Kugellager, Ventile, Hallefleitmaterialien, Gyro, Messinstrument, Raumfaart an aner Felder.
Siliziumkarbid Keramik gouf zënter den 1960er Joren entwéckelt. Virdru gouf Siliziumkarbid haaptsächlech a mechanesche Schleifmaterialien a Refrakterien benotzt. Länner op der ganzer Welt leeën grouss Bedeitung fir d'Industrialiséierung vun fortgeschratt Keramik, an elo ass et net nëmmen zefridden mat der Virbereedung vun traditionell Silicon Carbide Keramik, d'Produktioun vun High-Tech Keramik Betriber entwéckelen méi séier, virun allem an entwéckelt Länner. An de leschte Jore sinn Multi-Phas Keramik baséiert op SIC Keramik een nom aneren erschéngen, d'Zähegkeet an d'Kraaft vu Monomermaterialien verbesseren. Silicon Carbide Haapt véier Beräicher vun Applikatioun, dat ass, funktionell Keramik, fortgeschratt refractaire Materialien, abrasives a metallurgical Matière première.
Silicon Carbide Keramik huet excellent zouzedrécken Resistenz
Silicon Carbide Keramik dëst Produkt gouf studéiert a bestëmmt. D'Verschleißbeständegkeet vu Siliziumkarbidkeramik ass dëst Produkt gläichwäerteg mat 266 Mol Manganstol, gläichwäerteg mat 1741 Mol héich Chromgoss. D'Verschleißbeständegkeet ass ganz gutt. Et kann eis nach vill Sue spueren. Silicon Carbide Keramik kann kontinuéierlech fir méi wéi zéng Joer benotzt ginn.
Silicon Carbide Keramik hunn héich Kraaft, héich hardness a liicht Gewiicht
Als neien Typ vu Material ass d'Benotzung vu Siliziumkarbidkeramik dëst Produktstäerkt ganz héich, héich härt, Gewiicht ass och ganz liicht, sou Siliziumkarbidkeramik am Gebrauch, Installatioun an Ersatz vun der uewe gëtt méi praktesch.
Déi bannescht Mauer vu Siliziumkarbid Keramik ass glat a blockéiert net Pudder
Silicon Carbide Keramik dëst Produkt gëtt no héijer Temperatur gebrannt, sou datt d'Struktur vu Siliziumkarbid Keramik relativ dicht ass, d'Uewerfläch ass glat, d'Schéinheet vum Gebrauch wäert méi gutt sinn, also an der Famill benotzt, d'Schéinheet wäert méi gutt sinn.
D'Käschte fir Siliziumkarbid Keramik sinn niddereg
D'Käschte fir d'Fabrikatioun vu Siliziumkarbidkeramik selwer ass relativ manner, also brauche mir net de Präis vun der Siliziumkarbidkeramik ze vill ze kafen, also fir eis Famill, awer och kënne vill Sue spueren.
Silicon Carbide Keramik Uwendung:
Silicon Carbide Keramik Kugel
Silicon Carbide Keramik Ball huet excellent mechanesch Eegeschaften, excellent Oxidatioun Resistenz, héich Abrasioun Resistenz an niddereg Reiwung Koeffizient. Silicon Carbide Keramik Ball héich Temperatur Kraaft, gewéinlech Keramik Material bei 1200 ~ 1400 Grad Celsius Kraaft wäert wesentlech reduzéiert ginn, a Silicon Carbide bei 1400 Grad Celsius Béie Kraaft ass nach op engem méi héije Niveau vun 500 ~ 600MPa erhale bleiwen, sou datt seng Aarbechtstemperatur kann erreechen 1600 ~ 1700 Grad Celsius.
Siliziumkarbid Kompositmaterial
Silicon Carbide Matrix Composite (SiC-CMC) goufe wäit am Raum vun der Raumfaart benotzt fir hir héich Temperatur thermesch Strukturen wéinst hirer héijer Zähegkeet, héijer Kraaft an exzellenter Oxidatiounsbeständegkeet. De Virbereedungsprozess vu SiC-CMC beinhalt d'Faservirstellung, d'Héichtemperaturbehandlung, d'Mesophasebeschichtung, d'Matrixdensifikatioun an d'Postbehandlung. Héichstäerkt Kuelestofffaser huet héich Kraaft a gutt Zähegkeet, an de prefabrizéierte Kierper mat deem huet gutt mechanesch Eegeschaften.
Mesophase Beschichtung (dat heescht Interface Technologie) ass d'Schlësseltechnologie am Virbereedungsprozess, d'Virbereedung vu Mesophase Beschichtungsmethoden enthalen chemesch Damp Osmose (CVI), chemesch Dampdepositioun (CVD), Sol-Sol Method (Sol-gcl), Polymer Imprägnatioun knacken Method (PLP), déi gëeegent fir d'Virbereedung vun Silicon Carbide Matrixentgasung Composite sinn CVI Method an PIP Method.
Interfacial Beschichtungsmaterialien enthalen pyrolytesch Kuelestoff, Bornitrid a Borkarbid, dorënner Borkarbid als Aart vun Oxidatiounsbeständegkeet Interfacebeschichtung gouf ëmmer méi Opmierksamkeet bezuelt. SiC-CMC, déi normalerweis an Oxidatiounsbedéngungen fir eng laang Zäit benotzt gëtt, muss och d'Oxidatiounsresistenzbehandlung ënnerleien, dat heescht, eng Schicht vum dichte Siliziumkarbid mat enger Dicke vun ongeféier 100μm gëtt op der Uewerfläch vum Produkt duerch CVD-Prozess deposéiert. seng héich Temperatur Oxidatioun Resistenz ze verbesseren.
Post Zäit: Februar-14-2023