Reaktioun-sintered Silicon Carbide ass eng nei Zort vun héich-Tech Keramik, déi héich Kraaft, héich hardness, gutt zouzedrécken Resistenz an corrosion Resistenz huet, a vill an Metallurgy benotzt, petrochemical, Elektronik, Raumfaarttechnik an aner Beräicher. De Produit mat Silicon Carbide abrasive Hëllef Kuelestoff schwaarz, GRAPHITE a verschiddenen Zousätz, mat dréchen pressen, extrusion oder pour Methoden ze maachen porös Qualitéit, dann déi folgend zesummen d'Produktioun Method vun reaktiv sintering Silicon Carbide ze verstoen!
Reaktiv Sintering Silizium Carbide D'Erfindung ass e relativ reife technesche Schema no Dausende vun Tester vum Erfinder fir vill Joren fir d'Rohmaterialformel an d'Produktiounsprozess ze förderen, besonnesch den eenzegaartegen kontinuéierleche Sinterprozess.
Am Fuerderung 1 vun der Erfindung, ass d'Gewiicht Fraktioun vun Silicon Carbide Pudder 5 ~ 8 Deeler, Kuelestoff schwaarz ass 0,5-1,5 Deeler, GRAPHITE ass 1-1,5 Deeler, an Binder ass 0,1-0,5 Deeler. Ënner hinnen ass de Kärgréisstgradient vu Siliziumkarbid sic (90-30m) 3-5 Deeler, sic) 30-0.8m) 2-3 Deeler. D'Methylcellulose a PVA-Pulver vu Gazelle goufen an déi entspriechend Quantitéit Waasser 0,1-0,5 Deeler respektiv gesat, an déi transparent Léisung gouf no der Heizung kritt.
1. All Zort vu Pulver, Klebstoff a Léisungen, déi no der Formel preparéiert sinn, mëschen a gutt réieren.
2, propper de Goss Ofdréck Vakuum, erreechen 0.1Mpa, Drock Sprëtz vun der gemëscht slurry. No enger gewësser Zäit gëtt d'Schläim fräigelooss an d'Leer gëtt erausgeholl. Halt op 30-70 fir 18-20 Stonnen fir d'Trocknung.
3. Trim de Billet no den Ufuerderunge vun der Zeechnung.
4, setzen d'Reaktioun Sinterbillet an den Ofen, fügen d'Gewiicht vun 1-3 Deeler Metall Silizium, Vakuum Sintering. De Prozess ass ënnerdeelt an niddreg Temperatur 0-700, fir 3-5 Stonnen erhale bleiwen; Mëttelméisseg Temperatur 700-1400, halen fir 4-6 Stonnen; Halt bei héijer Temperatur 1400-2200 fir 5-7 Stonnen. Drop d'Temperatur ënner 150 stoppt den Uewen an öffnen den Uewen.
5, Sand Héichiewe Behandlung poléieren Produit Uewerfläch Silizium slag, mat Sand Héichiewe poléieren.
6, Oxidatiounsbehandlungsprodukter an den Oxidatiounsofen, 24 Stonnen bis 1350, natierlech Ofkillung. Huelt eraus, kontrolléiert a setzt an d'Lagerung.
D'Matière première an Undeel vun der Method vun der Erfindung adoptéiert sinn wëssenschaftlech a raisonnabel, sou datt d'Leerung genuch voidage huet an der eidel huet besser Dicht; Besser Sintering Heizungsquote, Temperatur an Haltzäit garantéieren déi héich Biegekraaft vum Produkt. D'Haaptrei Leeschtung an Qualitéit vun dëser Method hunn den internationalen fortgeschratt Niveau erreecht. Seng Haaptindikatoren sinn wéi follegt
Reaktioun sintering Silicon Carbide spezifesch Ëmsetzung
Ausféierung 1 Method fir d'Fabrikatioun vun Reaktioun-sintered Siliziumkarbidbündelen:
1, d'Rohmaterial fir d'Klebstoffgewiicht vun 0,3 Deeler ze huelen, fügen eng gewësse Quantitéit Waasser gläichméisseg réieren, Gewiicht vun 6,8 Deeler Siliziumkarbidpulver (Partikelgréisst vun 90-30m vun 3,8 Deeler, 30-0,8m vun 3 Deeler) , Kuelestoff schwaarz 1 Deel, schwaarz
2. Beim Gießen, botzt d'éischt d'Schimmel benotzt, riicht d'Schimmel aus, fixéiert se mat Befestigungen, zitt de Schlamm aus dem Tank mat Drock, fëllt den Tank mat 0,1Mpa Drockstickstoff, maacht Drock aus, a dréckt d'Schläim an d'Schimmel. . Nom Erreeche vun 1 Stonn gëtt d'Schläim erausgelooss, an no 6 Stonnen gëtt d'Schimmel ofgeschaaft, d'Leermaterial gëtt erausgeholl an d'Trocknungsraum getrocknegt. 30-70, 18-20 Stonnen ewechzehuelen. 3. Wann Dir d'Leer reparéiert, kontrolléiert d'éischt ob d'Leer den Designfuerderunge entsprécht. Wann Dir den Ufuerderunge entsprécht, reparéiert d'Leer no der Zeechnung. No Inspektioun, schécken an héich Temperatur drëschenen Raum.
4. Nodeems d'Feuchtigkeit vun der Reaktioun Sinterbillet 1% erreecht, huelt se eraus, botzt d'Billet mat Bléiser Loft a waacht et. Dobäizemaachen 2,9 Deeler Silizium Metal. Stickstoff kann an de Vakuum Sintering gepompelt ginn. Sintering Prozess bei 700 niddereg Temperatur fir 4 Stonnen; Mëttelméisseg Temperatur 1400, 5 Stonnen; Héich Temperatur 2200,6 Stonnen. Wann d'Temperatur 12 Stonnen fällt an 150 erreecht, stoppen d'Operatioun am Ofen an öffnen den Ofen.
5. Nodeem d'Sandstrahlungsbehandlungsprodukt erauskënnt, gëtt de Siliziumstandard Chartered op senger Uewerfläch gemoolt a mat Sandstrahlen geschmiert.
6. Den Zweck vun Oxidatiounsbehandlungsprodukter ass d'Oxiden ze entfernen, déi während dem Sinterprozess generéiert ginn. D'Produkt gëtt op 1350 fir 24 Stonnen am Oxidatiounsofen erhëtzt an dann natierlech ofgekillt. No der Entfernung gëtt et duerch Inspektioun a Lagerung gesat.
D'Matière première an Undeel vun der Method vun der Erfindung adoptéiert sinn wëssenschaftlech a raisonnabel, sou datt d'Leerung genuch voidage huet an der eidel huet besser Dicht; Besser Sintering Heizungsquote, Temperatur an Haltzäit garantéieren déi héich Biegekraaft vum Produkt. D'Haaptleeschtung an d'Qualitéit vun de Produkter, déi duerch dës Method produzéiert goufen, hunn den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
Déi uewendriwwer ass d'Produktiounsmethod vum reaktive Sinteren Siliciumcarbid, wann Dir méi Informatioun braucht, fillt Iech gratis eis ze kontaktéieren!
Post Zäit: Jun-13-2023