Neiegkeeten

  • Zwee elektresch Vakuumpompele goufen an Amerika geschéckt

    Zwee elektresch Vakuumpompele goufen an Amerika geschéckt

    Liest méi
  • Grafitfilt gouf a Vietnam geschéckt

    Grafitfilt gouf a Vietnam geschéckt

    Liest méi
  • SiC Oxidatioun - resistent Beschichtung gouf op Grafit Uewerfläch duerch CVD Prozess virbereet

    SiC Oxidatioun - resistent Beschichtung gouf op Grafit Uewerfläch duerch CVD Prozess virbereet

    SiC Beschichtung kann duerch chemesch Dampdepositioun (CVD), Virgängertransformatioun, Plasma-Sprayen, asw virbereet ginn. Benotzt Methyltrichlosilan. (CHzSiCl3, MTS) als Siliziumquell, SiC Beschichtung virbereeden ...
    Liest méi
  • Siliziumkarbid Struktur

    Dräi Haaptarten vu Siliziumkarbidpolymorphen Et gi ongeféier 250 kristallin Forme vu Siliziumkarbid. Well Siliziumkarbid eng Serie vun homogene Polytypen mat ähnlechen Kristallstruktur huet, huet Siliziumkarbid d'Charakteristiken vun homogenen polykristallin. Siliziumcarbid (Mosanit) ...
    Liest méi
  • Fuerschung Status vun SiC integréiert Circuit

    Ënnerscheed vun S1C diskreten Apparater déi héich Volt, héich Muecht, héich Frequenz an héich Temperatur Charakteristiken verfollegen, ass d'Fuerschung Zil vun SiC integréiert Circuit haaptsächlech héich Temperatur digital Circuit fir intelligent Muecht ICs Kontroll Circuit ze kréien. Als SiC integréierte Circuit fir ...
    Liest méi
  • Uwendung vun SiC Apparater an héich Temperatur Ëmfeld

    An der Raumfaart- an Autosausrüstung funktionéiert d'Elektronik dacks bei héijen Temperaturen, wéi Fligermotoren, Autosmotoren, Raumschëffer op Missioune bei der Sonn, an Héichtemperaturausrüstung a Satellitten. Benotzt déi üblech Si oder GaAs Apparater, well se net bei ganz héijen Temperaturen funktionnéieren, also ...
    Liest méi
  • Drëtt Generatioun Semiconductor Uewerfläch -SiC (Silicon Carbide) Apparater an hir Uwendungen

    Als nei Zort vun semiconductor Material, SiC ass dat wichtegst semiconductor Material fir d'Fabrikatioun vun kuerz-Wellenlängt optoelektronesch Apparater ginn, héich Temperatur Apparater, Stralung Resistenz Apparater an héich Muecht / héich Muecht elektronesch Apparater wéinst senger excellent kierperlech an c. .
    Liest méi
  • Benotze vu Siliziumkarbid

    Siliziumkarbid ass och bekannt als Goldstahlsand oder refractaire Sand. Silicon Carbide ass aus Quarz Sand, Petrol Koks (oder Kuel Kock), Holz Chips (Produktioun vun gréng Silicon Carbide muss Salz dobäi ginn) an aner Matière première am Resistenz Uewen duerch héich Temperatur Schmelzen gemaach. Am Moment...
    Liest méi
  • Aféierung fir Waasserstoffenergie a Brennstoffzellen

    Aféierung fir Waasserstoffenergie a Brennstoffzellen

    Brennstoffzellen kënnen opgedeelt ginn an Protonaustausch Membran Brennstoffzellen (PEMFC) an direkt Methanol Brennstoffzellen no den Elektrolyteigenschaften a Brennstoff benotzt (DMFC), Phosphorsäure Brennstoffzelle (PAFC), geschmollte Karbonat Brennstoffzell (MCFC), Festoxid Brennstoff. Zell (SOFC), alkalesch Brennstoffzelle (AFC), etc ...
    Liest méi
WhatsApp Online Chat!