Neiegkeeten

Firwat Silicon als Semiconductor Chip?
vun Administrator op 23-07-31
En Hallefleit ass e Material deem seng elektresch Konduktivitéit bei Raumtemperatur tëscht deem vun engem Dirigent an engem Isolator ass. Wéi Kupferdrot am Alldag, ass Aluminiumdrot en Dirigent, a Gummi ass en Isolator. Aus der Siicht vun der Konduktivitéit: Halbleiter bezitt sech op eng Konduktivitéit ...
Liest méi
Effekt vum Sinteren op Eegeschafte vun Zirkoniumkeramik
vun Administrator op 23-07-24
Effet vum Sintering op Eegeschafte vun Zirkoniumkeramik Als Zort Keramikmaterial huet Zirkonium héich Kraaft, héich Härtheet, gutt Verschleißbeständegkeet, Säure- a Alkalibeständegkeet, Héichtemperaturbeständegkeet an aner exzellente Eegeschaften. Zousätzlech zu vill am industrielle Beräich benotzt, ...
Liest méi
Semiconductor Deeler - SiC Beschichtete GRAPHITE Basis
vun Administrator op 23-07-24
SiC Beschichtete Graphitbase ginn allgemeng benotzt fir eenzel Kristallsubstrater an Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) Ausrüstung z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen. D'thermesch Stabilitéit, thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vu SiC Beschichtete Grafitbasis spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum Epi ...
Liest méi
Duerchbroch sic Wuesstem Schlëssel Kär Material
vun Administrator op 23-07-21
Wann Siliziumkarbidkristall wächst, ass d'"Ëmfeld" vum Wuesstumsinterface tëscht dem axialen Zentrum vum Kristall an dem Rand anescht, sou datt de Kristallstress um Rand eropgeet, an de Kristallrand ass einfach ze produzéieren "iwwergräifend Mängel" wéinst an den Inf...
Liest méi
Wéi gëtt reaktiounssintered Siliziumkarbid produzéiert?
vun Administrator op 23-07-21
Reaktioun sintering Silicium Carbide ass eng wichteg Method héich performant Keramik Materialien ze produzéieren. Dës Method benotzt Hëtztbehandlung vu Kuelestoff a Siliziumquellen bei héijen Temperaturen fir datt se reagéiere fir Siliziumkarbidkeramik ze bilden. 1. Virbereedung vu Matière première. D'Rohmaterialien vun r...
Liest méi
Siliziumkarbid Kristallboot, innovativt Material Siliziumkarbid bréngt staark Kraaft
vun Administrator op 23-07-21
Siliziumkarbid Kristallboot ass eng ganz nei Technologie, déi d'traditionell Manéier vun der Fabrikatioun geännert huet. Et ass fäeg Siliziumkarbid an anerer ze kombinéieren fir eng ganz enk Struktur ze bilden, déi effektiv d'Effizienz vum Fabrikatiounsprozess verbesseren kann, a ka vill verbesseren ...
Liest méi
Uwendung a Maart vun Tantal Carbide Beschichtung
vun Administrator op 23-07-18
Tantalkarbidhärkeet, héije Schmelzpunkt, Héichtemperaturleistung, haaptsächlech als Zementkarbidadditiv benotzt. D'thermesch Härtheet, d'thermesch Schockbeständegkeet an d'thermesch Oxidatiounsresistenz vum Zementkarbid kënne wesentlech verbessert ginn andeems d'Korngréisst vum Tantal Carbi ...
Liest méi
Auslännesch Clientë besichen Vet Produktiounsanlagen
vun Administrator op 23-07-14

Liest méi
Nei Generatioun SiC Kristallwachstumsmaterialien
vun Administrator op 23-07-14
Mat der gradueller Masseproduktioun vu konduktiven SiC-Substrate ginn méi héich Ufuerderunge fir d'Stabilitéit an d'Wiederholbarkeet vum Prozess virgestallt. Besonnesch d'Kontroll vu Mängel, déi kleng Upassung oder Drift vum Hëtztfeld am Ofen, bréngt Kristallverännerungen oder d'Inc...
Liest méi