Neiegkeeten

Duerchbroch sic Wuesstem Schlëssel Kär Material
vun Administrator op 23-07-21
Wann Siliziumkarbidkristall wächst, ass d'"Ëmfeld" vum Wuesstumsinterface tëscht dem axialen Zentrum vum Kristall an dem Rand anescht, sou datt de Kristallstress um Rand eropgeet, an de Kristallrand ass einfach ze produzéieren "iwwergräifend Mängel" wéinst an den Inf...
Liest méi
Wéi gëtt reaktiounssintered Siliziumkarbid produzéiert?
vun Administrator op 23-07-21
Reaktioun sintering Silicium Carbide ass eng wichteg Method héich performant Keramik Materialien ze produzéieren. Dës Method benotzt Hëtztbehandlung vu Kuelestoff a Siliziumquellen bei héijen Temperaturen fir datt se reagéiere fir Siliziumkarbidkeramik ze bilden. 1. Virbereedung vu Matière première. D'Rohmaterialien vun r...
Liest méi
Siliziumkarbid Kristallboot, innovativt Material Siliziumkarbid bréngt staark Kraaft
vun Administrator op 23-07-21
Siliziumkarbid Kristallboot ass eng ganz nei Technologie, déi den traditionelle Wee vun der Fabrikatioun geännert huet. Et ass fäeg Siliziumkarbid an anerer ze kombinéieren fir eng ganz enk Struktur ze bilden, déi effektiv d'Effizienz vum Fabrikatiounsprozess verbesseren kann, a ka vill verbesseren ...
Liest méi
Uwendung a Maart vun Tantal Carbide Beschichtung
vun Administrator op 23-07-18
Tantalkarbidhärkeet, héije Schmelzpunkt, Héichtemperaturleistung, haaptsächlech als Zementkarbidadditiv benotzt. D'thermesch Härtheet, d'thermesch Schockbeständegkeet an d'thermesch Oxidatiounsresistenz vum Zementkarbid kënne wesentlech verbessert ginn andeems d'Korngréisst vum Tantal Carbi ...
Liest méi
Auslännesch Clientë besichen Vet Produktiounsanlagen
vun Administrator op 23-07-14

Liest méi
Nei Generatioun SiC Kristallwachstumsmaterialien
vun Administrator op 23-07-14
Mat der gradueller Masseproduktioun vu konduktiven SiC-Substrate ginn méi héich Ufuerderunge fir d'Stabilitéit an d'Wiederholbarkeet vum Prozess virgestallt. Besonnesch d'Kontroll vu Mängel, déi kleng Upassung oder Drift vum Hëtztfeld am Ofen, bréngt Kristallverännerungen oder d'Inc...
Liest méi
Industrie Entwécklung vun atmosphäreschen Drock gesintert Silicon Carbide
vun Administrator op 23-07-10
Als nei Aart vun anorganeschen net-metallesche Material sinn Atmosphärendrock gesintert Siliziumkarbid Keramikprodukter vill am Ofen, Desulfuriséierung an Ëmweltschutz, chemescher Industrie, Stol, Raumfaart an aner Felder benotzt. Wéi och ëmmer, d'Applikatioun vum Atmosphärendrock sint ...
Liest méi
Effekt vum Kuelestoffgehalt op Mikrostruktur vum Reaktiounssintered Siliziumkarbid
vun Administrator op 23-07-10
De Kuelestoffgehalt vun all gesintert Exemplar Fraktur ass anescht, mat engem Kuelestoffgehalt vun A-2,5 awt.% an dësem Beräich, bilden en dichte Material mat bal keng Poren, dat aus eenheetlech verdeelt Siliziumkarbidpartikelen a gratis Silizium besteet. Mat der Erhéijung vun der Kuelestoff Zousatz ass d'C ...
Liest méi
Virbereedungsmethod, Charakteristiken an Uwendungsfeld vum Reaktiounssintered Siliziumkarbid
vun Administrator op 23-07-08
Reaktioun Sintering Silizium Carbide ass eng Method fir héich performant Keramik Materialien ze preparéieren. Et reagéiert a dréckt Siliziumkarbidpulver mat anere Chemikalien ënner héijer Temperaturbedéngungen fir héich Dicht, héich Härtheet, héich Verschleißbeständegkeet an héich Korrosiounsbeständegkeet Materialien ze produzéieren ...
Liest méi