Mat der gradueller Masseproduktioun vu konduktiven SiC-Substrate ginn méi héich Ufuerderunge fir d'Stabilitéit an d'Wiederholbarkeet vum Prozess virgestallt. Besonnesch d'Kontroll vu Mängel, déi kleng Upassung oder Drift vum Wärmefeld am Ofen, bréngt Kristallverännerungen oder d'Erhéijung vun de Mängel. An der spéider Period musse mir d'Erausfuerderung vun "séier wuessen, laang an déck, a wuessen an", Nieft der Verbesserung vun der Theorie an der Ingenieur brauche mir och méi fortgeschratt thermesch Feldmaterialien als Ënnerstëtzung. Benotzt fortgeschratt Materialien, wuesse fortgeschratt Kristalle.
Ongerecht Notzung vu Crucible Materialien, wéi Grafit, poröse Grafit, Tantalkarbidpulver, asw. Ausserdeem, an e puer Uwendungen, ass d'Permeabilitéit vu porösen Grafit net genuch, an zousätzlech Lächer sinn néideg fir d'Permeabilitéit ze erhéijen. De poröse Graphit mat héijer Permeabilitéit stellt d'Erausfuerderunge vun der Veraarbechtung, der Pudderentfernung, Ätzen a sou weider.
VET stellt eng nei Generatioun vu SiC Kristall wuessend thermesch Feldmaterial vir, porös Tantalkarbid. E Weltdebut.
D'Kraaft an d'Härheet vum Tantalkarbid si ganz héich, an et porös ze maachen ass eng Erausfuerderung. Porös Tantalkarbid mat grousser Porositéit an héijer Rengheet ze maachen ass eng grouss Erausfuerderung. Hengpu Technology huet en Duerchbroch porösen Tantalkarbid mat grousser Porositéit lancéiert, mat enger maximaler Porositéit vu 75%, wat d'Welt féiert.
Gasphase Komponentfiltratioun, Upassung vum lokalen Temperaturgradient, Richtung vum Materialfloss, Kontroll vu Leckage, etc., kënne benotzt ginn. Et kann mat engem aneren zolitte Tantalkarbid (kompakt) oder Tantalkarbidbeschichtung vun Hengpu Technology benotzt ginn fir lokal Komponenten mat ënnerschiddleche Stroumleitung ze bilden.
E puer Komponente kënnen nei benotzt ginn.
Post Zäit: Jul-14-2023