Reaktioun-sintered Silicon Carbide ass e wichtegt héich-Temperatur Material, mat héich Kraaft, héich hardness, héich zouzedrécken Resistenz, héich corrosion Resistenz an héich oxydéiert Resistenz an aner excellent Eegeschaften, ass vill an Maschinnen, Raumfaarttechnik, chemesch Industrie, Energie an aner benotzt. Felder.
1. Matière preparéieren
D'Virbereedung vu reaktiven Sinteren Siliziumkarbid Rohmaterialien sinn haaptsächlech Kuelestoff a Siliziumpulver, vun deem Kuelestoff eng Vielfalt vu Kuelestoffhaltege Substanzen benotzt ka ginn, wéi Kuel Kock, Grafit, Holzkuel, etc., Siliziumpulver gëtt normalerweis mat engem Partikel ausgewielt. Gréisst vun 1-5μm héich Rengheet Silicon Pudder. Als éischt gi Kuelestoff a Siliziumpulver an engem gewëssen Undeel gemëscht, eng entspriechend Quantitéit vu Bindemittel a Flossmëttel bäigefüügt a gläichméisseg rührt. D'Mëschung gëtt dann an eng Kugelmille fir Kugelfräsen gesat fir weider eenheetlech Vermëschung a Schleifen bis d'Partikelgréisst manner wéi 1μm ass.
2. Molding Prozess
Molding Prozess ass ee vun de Schlëssel Schrëtt an Silicon Carbide Fabrikatioun. Allgemeng benotzt Formprozesser si Presseformen, Gruetformen a statesch Formen. Pressforming heescht datt d'Mëschung an d'Schimmel gesat gëtt a geformt gëtt duerch mechanesche Drock. Grouting molding bezitt sech op d'Mëschung vun der Mëschung mat Waasser oder organesche Léisungsmëttel, sprëtzen se an d'Schimmel duerch eng Sprëtz ënner Vakuumbedéngungen, an d'Form vum fäerdege Produkt nodeems se stoen. Statesch Drockformung bezitt sech op d'Mëschung an d'Schimmel, ënner dem Schutz vu Vakuum oder Atmosphär fir statesch Drockformung, normalerweis bei engem Drock vun 20-30MPa.
3. Sintering Prozess
Sintering ass e Schlëssel Schrëtt am Fabrikatiounsprozess vu reaktiounssintered Siliziumkarbid. Sintertemperatur, Sinterzäit, Sinteratmosphär an aner Faktoren beaflossen d'Performance vum Reaktiounssintered Siliziumkarbid. Allgemeng ass d'Sintertemperatur vum reaktive Sinteren Siliziumkarbid tëscht 2000-2400 ℃, d'Sinterzäit ass allgemeng 1-3 Stonnen, an d'Sinteratmosphär ass normalerweis inert, wéi Argon, Stickstoff, asw. Wärend der Sintering wäert d'Mëschung eng chemesch Reaktioun erliewen fir Siliziumkarbidkristalle ze bilden. Zur selwechter Zäit wäert Kuelestoff och mat Gasen an der Atmosphär reagéieren fir Gase wéi CO an CO2 ze produzéieren, wat d'Dicht an d'Eegeschafte vum Siliciumcarbid beaflossen. Dofir ass d'Erhalen vun enger gëeegenter Sinteratmosphär a Sinterzäit ganz wichteg fir d'Fabrikatioun vu reaktiounssintered Siliziumkarbid.
4. Post-Behandlung Prozess
Reaktiounssintered Siliziumkarbid erfuerdert e Postbehandlungsprozess no der Fabrikatioun. Gemeinsam Post-Behandlungsprozesser sinn d'Maschinn, d'Schleifen, d'Poléieren, d'Oxidatioun an sou weider. Dës Prozesser sinn entwéckelt fir d'Präzisioun an d'Uewerflächequalitéit vum reaktiounssintered Siliziumkarbid ze verbesseren. Dorënner ass de Schleif- a Polierprozess eng gemeinsam Veraarbechtungsmethod, déi d'Finish an d'Flaachheet vun der Siliziumkarbidoberfläche verbesseren kann. Oxidatiounsprozess kann eng Oxidschicht bilden fir d'Oxidatiounsresistenz an d'chemesch Stabilitéit vum reaktiounsinternéierte Siliziumkarbid ze verbesseren.
Kuerz gesot, reaktiv Sintering Silicium Carbide Fabrikatioun ass e komplexe Prozess, muss eng Villfalt vun Technologien a Prozesser Meeschtesch, dorënner Matière première Virbereedung, molding Prozess, sintering Prozess a Post-Behandlung Prozess. Nëmmen duerch eng ëmfaassend Meeschterung vun dësen Technologien a Prozesser kënnen héichqualitativ reaktiounssintered Siliziumkarbidmaterialien produzéiert ginn fir d'Bedierfnesser vu verschiddenen Applikatiounsfelder z'erreechen.
Post Zäit: Jul-06-2023