Déi drëtt Generatioun vun Hallefleit, vertruede vu Galliumnitrid (GaN) a Siliziumkarbid (SiC), goufe séier entwéckelt wéinst hiren exzellenten Eegeschaften. Wéi och ëmmer, wéi d'Parameteren an d'Charakteristike vun dësen Apparater präzis gemooss ginn fir hiert Potenzial ze notzen an hir Effizienz an Zouverlässegkeet ze optimiséieren erfuerdert héichpräzis Miessausrüstung a professionell Methoden.
Déi nei Generatioun vu Wide Band Gap (WBG) Materialien representéiert duerch Siliziumcarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) ginn ëmmer méi verbreet benotzt. Elektresch sinn dës Substanzen méi no un Isolatoren wéi Silizium an aner typesch Hallefleitmaterialien. Dës Substanze sinn entwéckelt fir d'Aschränkungen vum Silizium ze iwwerwannen, well et e schmuele Bandspaltmaterial ass an dofir e schlechte Leckage vun der elektrescher Konduktivitéit verursaacht, wat méi ausgeschwat gëtt wéi d'Temperatur, d'Spannung oder d'Frequenz eropgeet. Déi logesch Limite fir dës Leckage ass onkontrolléiert Konduktivitéit, gläichwäerteg mat engem Halbleiterbetribsfehler.
Vun dësen zwee breet Band Spaltmaterialien ass GaN haaptsächlech gëeegent fir niddereg a mëttel Kraaft Implementéierungsschemaen, ronderëm 1 kV an ënner 100 A. Ee bedeitende Wuesstumsberäich fir GaN ass seng Notzung an LED Beliichtung, awer och wuessen an aner Low-Power benotzt wéi Automobil- a RF Kommunikatiounen. Am Géigesaz, sinn d'Technologien ronderëm SiC besser entwéckelt wéi GaN a si besser fir méi héich Kraaftapplikatioune wéi elektresch Gefier Traktioun Inverter, Kraaftiwwerdroung, grouss HVAC Ausrüstung, an industriell Systemer.
SiC Geräter si fäeg bei méi héije Spannungen, méi héije Schaltfrequenzen a méi héije Temperaturen ze bedreiwen wéi Si MOSFETs. Ënner dëse Konditiounen huet SiC méi héich Leeschtung, Effizienz, Kraaftdicht an Zouverlässegkeet. Dës Virdeeler hëllefen Designer d'Gréisst, d'Gewiicht an d'Käschte vun de Stroumkonverteren ze reduzéieren fir se méi kompetitiv ze maachen, besonnesch a lukrativen Maartsegmenter wéi Loftfaart, Militär an elektresch Gefierer.
SiC MOSFETs spillen eng entscheedend Roll an der Entwécklung vun der nächster Generatioun Stroumkonversiounsgeräter wéinst hirer Fäegkeet fir méi Energieeffizienz an Designen op Basis vu méi klenge Komponenten z'erreechen. D'Verréckelung erfuerdert och Ingenieuren fir e puer vun den Design- an Testtechniken ze iwwerpréiwen, déi traditionell benotzt gi fir Kraaftelektronik ze kreéieren.
D'Nofro fir rigoréis Tester wiisst
Fir de Potenzial vu SiC- a GaN-Geräter voll ze realiséieren, gi präzis Miessunge wärend der Schaltoperatioun erfuerderlech fir Effizienz an Zouverlässegkeet ze optimiséieren. Testprozedure fir SiC a GaN Hallefleitgeräter mussen déi méi héich Operatiounsfrequenzen a Spannungen vun dësen Apparater berücksichtegen.
D'Entwécklung vun Test- a Miessinstrumenter, sou wéi arbiträr Funktiounsgeneratoren (AFGs), Oszilloskopen, Quellmessungseenheet (SMU) Instrumenter, a Parameteranalysatoren, hëlleft Power Design Ingenieuren méi mächteg Resultater méi séier z'erreechen. Dës Upgrade vun Ausrüstung hëlleft hinnen mat alldeeglechen Erausfuerderunge eens. "Minimaliséierung vu Schaltverloschter bleift eng grouss Erausfuerderung fir Energieausrüstungsingenieuren", sot de Jonathan Tucker, Chef vum Power Supply Marketing bei Teck/Gishili. Dës Designe musse rigoréis gemooss ginn fir Konsistenz ze garantéieren. Ee vun de Schlësselmesstechniken gëtt den Duebelpulstest (DPT) genannt, wat d'Standardmethod ass fir d'Schaltparameter vu MOSFETs oder IGBT Kraaftapparater ze moossen.
Setup fir SiC Halbleiter duebel Pulstest auszeféieren enthält: Funktiounsgenerator fir MOSFET Gitter ze fueren; Oszilloskop an Analysesoftware fir VDS an ID ze moossen. Zousätzlech zu duebel-Puls Testen, dat ass, Nieft Circuit Niveau Testen, ginn et Material Niveau Testen, Komponent Niveau Testen a System Niveau Testen. Innovatiounen an Testinstrumenter hunn Designingenieuren an all Etappe vum Liewenszyklus aktivéiert fir un Kraaftkonversiounsapparater ze schaffen, déi strikt Designfuerderunge käschteffizient entspriechen.
Bereet fir Ausrüstung ze zertifiéieren an Äntwert op Reguléierungsännerungen an nei technologesch Bedierfnesser fir Endverbraucherausrüstung, vu Kraaftproduktioun bis elektresch Gefierer, erlaabt Firmen, déi un der Kraaftelektronik schaffen, sech op Valeurinnovatioun ze fokusséieren an de Grondlag fir zukünfteg Wuesstum ze leeën.
Post Zäit: Mar-27-2023