Wann Siliziumkarbidkristall wächst, ass d'"Ëmfeld" vum Wuesstumsinterface tëscht dem axialen Zentrum vum Kristall an dem Rand anescht, sou datt de Kristallstress um Rand eropgeet, an de Kristallrand ass einfach ze produzéieren "iwwergräifend Mängel" wéinst op den Afloss vun der GRAPHITE Stop Ring "Kuelestoff", wéi de Rand Problem ze léisen oder der efficace Beräich vum Zentrum Erhéijung (méi wéi 95%) ass eng wichteg technesch Thema.
Wéi Makrodefekte wéi "Mikrotubulen" an "Inklusiounen" graduell vun der Industrie kontrolléiert ginn, a Siliziumkarbid-Kristalle erausfuerderen "séier ze wuessen, laang an déck, an opzewuessen", sinn de Rand "iwwergräifend Mängel" anormal prominent, a mat der d'Erhéijung vum Duerchmiesser an d'Dicke vu Siliciumcarbid-Kristalle, gëtt d'Kante "iwwergräifend Mängel" multiplizéiert mam Duerchmiesser Quadrat an Dicke.
D'Benotzung vun Tantalkarbid TaC Beschichtung ass fir de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, wat ee vun de Kär techneschen Richtungen ass "séier wuessen, déck wuessen a wuessen".Fir d'Entwécklung vun der Industrietechnologie ze förderen an d'"Import" Ofhängegkeet vu Schlësselmaterial ze léisen, huet Hengpu den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
Tantalkarbid TaC Beschichtung, aus der Perspektiv vun der Realisatioun ass net schwéier, mat Sintering, CVD an aner Methoden sinn einfach z'erreechen.Sintering Method, d'Benotzung vun Tantal Carbide Pudder oder Virleefer, dobäi aktiv Ingredienten (allgemeng Metal) a Bindung Agent (allgemeng laang Kette Polymer), Beschichtete op d'Uewerfläch vun der GRAPHITE Substrat op héich Temperatur gesintert.Duerch CVD Method gouf TaCl5 + H2 + CH4 op der Uewerfläch vun der Grafitmatrix bei 900-1500 ℃ deposéiert.
Wéi och ëmmer, d'Basisparameter wéi d'Kristallorientéierung vun der Tantalkarbiddepositioun, eenheetleche Filmdicke, Spannungsverëffentlechung tëscht Beschichtung a Grafitmatrix, Surface Rëss, etc., sinn extrem Erausfuerderung.Besonnesch am sic Kristallswachstumsëmfeld ass e stabile Liewensdauer de Kärparameter, ass déi schwéierst.
Post Zäit: Jul-21-2023