Solar Photovoltaik Kraaft Generatioun ass déi villverspriechendst nei Energieindustrie vun der Welt ginn. Am Verglach mat Polysilisium an amorphem Silizium Solarzellen, monokristallin Silizium, als Photovoltaik Kraaftproduktiounsmaterial, huet eng héich photoelektresch Konversiounseffizienz an aussergewéinlech kommerziell Virdeeler, an ass den Mainstream vun der Solar Photovoltaik Kraaft Generatioun ginn. Czochralski (CZ) ass eng vun den Haaptmethoden fir monokristallin Silizium ze preparéieren. D'Zesummesetzung vun Czochralski monocrystalline Schmelzhäre ëmfaasst Schmelzhäre System, Vakuum System, Gas System, thermesch Feld System an elektresch Kontroll System. Den thermesche Feldsystem ass ee vun de wichtegste Konditioune fir de Wuesstum vum monokristalline Silizium, an d'Qualitéit vum monokristalline Silizium gëtt direkt vun der Temperaturgradientverdeelung vum thermesche Feld beaflosst.
D'Wärmefeldkomponente besteet haaptsächlech aus Kuelestoffmaterialien (Graphitmaterialien a Kuelestoff / Kuelestoffkompositmaterialien), déi an Ënnerstëtzungsdeeler, funktionell Deeler, Heizelementer, Schutzdeeler, Wärmeisolatiounsmaterialien, asw., no hire Funktiounen opgedeelt sinn, wéi gewisen an der Figur 1. Wéi d'Gréisst vum monokristalline Silizium weider eropgeet, ginn d'Gréisst Ufuerderunge fir thermesch Feldkomponenten och erop. Kuelestoff / Kuelestoff Kompositmaterialien ginn déi éischt Wiel fir thermesch Feldmaterialien fir monokristallin Silizium wéinst senger Dimensiounsstabilitéit an exzellente mechanesche Eegeschaften.
Am Prozess vun czochralcian monocrystalline Silicon, wäert d'Schmelze vun Silicon Material Silizium Damp a geschmoltenem Silicon Sprëtz produzéiere, an der silicification Erosioun vun Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feld Materialien doraus, an d'mechanesch Eegeschaften a Liewensdauer vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feld Materialien sinn. schwéier betraff. Dofir, wéi d'Silifizéierungserosioun vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien ze reduzéieren an hir Liewensdauer ze verbesseren ass ee vun de gemeinsame Bedenken vun monokristalline Silizium Hiersteller a Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterial Hiersteller ginn.Siliziumkarbidbeschichtungass déi éischt Wiel fir Surface Beschichtungsschutz vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien wéinst senger exzellenter thermescher Schockbeständegkeet a Verschleisbeständegkeet ginn.
An dësem Pabeier, ugefaange vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien, déi an der monokristalliner Siliziumproduktioun benotzt ginn, ginn d'Haaptpräparatiounsmethoden, Virdeeler an Nodeeler vun der Siliziumkarbidbeschichtung agefouert. Op dëser Basis ginn d'Applikatioun an d'Fuerschung Fortschrëtter vun der Siliziumkarbidbeschichtung a Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien iwwerpréift no de Charakteristike vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien, a Virschléi an Entwécklungsrichtungen fir Uewerflächebeschichtungsschutz vu Kuelestoff / Kuelestoff thermesch Feldmaterialien. virgestallt ginn.
1 Virbereedung Technologie vunSiliziumkarbidbeschichtung
1.1 Embedding Method
D'Ebeddingmethod gëtt dacks benotzt fir déi bannescht Beschichtung vu Siliziumkarbid am C / C-sic Kompositmaterial System ze preparéieren. Dës Method benotzt fir d'éischt gemëschte Pulver fir de Kuelestoff / Kuelestoff Kompositmaterial ze wéckelen, a mécht dann Wärmebehandlung bei enger gewësser Temperatur duerch. Eng Serie vu komplexe physikalesch-chemesche Reaktiounen geschitt tëscht dem gemëschte Pulver an der Uewerfläch vun der Probe fir d'Beschichtung ze bilden. Seng Virdeel ass, datt de Prozess einfach ass, nëmmen eng eenzeg Prozess kann dichten, knacken-gratis Matrixentgasung Komposit Material preparéieren; Kleng Gréisst änneren vun preform zu Finale Produit; Gëeegent fir all Faser verstäerkt Struktur; E gewësse Kompositiounsgradient kann tëscht der Beschichtung an dem Substrat geformt ginn, wat gutt mat dem Substrat kombinéiert ass. Wéi och ëmmer, et ginn och Nodeeler, wéi d'chemesch Reaktioun bei héijer Temperatur, déi d'Faser beschiedegen kann, an d'mechanesch Eegeschafte vu Kuelestoff / Kuelestoffmatrix falen. D'Uniformitéit vun der Beschichtung ass schwéier ze kontrolléieren, wéinst Faktoren wéi Schwéierkraaft, wat d'Beschichtung ongläich mécht.
1.2 Slurry Beschichtungsmethod
D'Schläimbeschichtungsmethod ass d'Beschichtungsmaterial an d'Bindestoff an eng Mëschung ze vermëschen, gläichméisseg op der Uewerfläch vun der Matrix ze mëschen, no der Trocknung an enger inert Atmosphär, gëtt de Beschichtete Exemplar bei héijer Temperatur gesintert, an déi erfuerderlech Beschichtung kann kritt ginn. D'Virdeeler sinn datt de Prozess einfach an einfach ze bedreiwen ass, an d'Beschichtungdicke ass einfach ze kontrolléieren; Den Nodeel ass datt et eng schlecht Bindungsstäerkt tëscht der Beschichtung an dem Substrat ass, an d'thermesch Schockresistenz vun der Beschichtung ass schlecht, an d'Uniformitéit vun der Beschichtung ass niddereg.
1.3 Chemesch Dampreaktiounsmethod
Chemesch Dampreaktioun (CVR) Method ass eng Prozessmethod déi zolidd Siliziummaterial a Siliziumdamp bei enger bestëmmter Temperatur verdampft, an dann diffundéiert de Siliziumdamp an d'Bannen an d'Uewerfläch vun der Matrix, a reagéiert in situ mat Kuelestoff an der Matrix fir ze produzéieren. Siliziumkarbid. Seng Virdeeler och eenheetlech Atmosphär am Schmelzhäre, konsequent Reaktioun Taux an Oflagerung deck vun Beschichtete Material iwwerall; De Prozess ass einfach an einfach ze bedreiwen, an d'Beschichtungsdicke kann kontrolléiert ginn andeems de Siliziumdampfdrock, Oflagerungszäit an aner Parameteren geännert gëtt. Den Nodeel ass datt d'Probe staark vun der Positioun am Uewen beaflosst ass, an de Siliziumdampdrock am Uewen kann net déi theoretesch Uniformitéit erreechen, wat zu enger ongläicher Beschichtungsdicke resultéiert.
1.4 Chemesch Dampdepositiounsmethod
Chemesch Dampdepositioun (CVD) ass e Prozess an deem Kuelewaasserstoffer als Gasquell an héich Rengheet N2 / Ar als Trägergas benotzt gi fir gemëschte Gasen an e chemesche Dampreaktor anzeféieren, an d'Kuelewaasserstoffe ginn ofgebaut, synthetiséiert, diffuséiert, adsorbéiert a geléist ënner. gewësse Temperatur an Drock fir zolidd Filmer op der Uewerfläch vu Kuelestoff / Kuelestoff Kompositmaterialien ze bilden. Seng Virdeel ass datt d'Dicht an d'Rengheet vun der Beschichtung kontrolléiert ka ginn; Et ass och gëeegent fir Aarbecht-Stéck mat méi komplex Form; D'Kristallstruktur an d'Uewerflächemorphologie vum Produkt kënne kontrolléiert ginn andeems d'Oflagerungsparameter ugepasst ginn. D'Nodeeler sinn datt d'Oflagerungsquote ze niddreg ass, de Prozess ass komplex, d'Produktiounskäschte sinn héich, an et kann Beschichtungsfehler sinn, wéi Rëss, Mesh-Defekter an Uewerflächefehler.
Zesummegefaasst ass d'Ebeddingmethod limitéiert op seng technologesch Charakteristiken, déi gëeegent ass fir d'Entwécklung an d'Produktioun vu Labo a kleng Materialien; Beschichtungsmethod ass net gëeegent fir Masseproduktioun wéinst senger schlechter Konsistenz. CVR Method kann d'Massproduktioun vu grousser Gréisst Produkter treffen, awer et huet méi héich Ufuerderunge fir Ausrüstung an Technologie. CVD Method ass eng ideal Method fir ze preparéierenSIC Beschichtung, awer seng Käschte si méi héich wéi d'CVR Method wéinst senger Schwieregkeet bei der Prozesskontrolle.
Post Zäit: Februar-22-2024