Sputtering Zilerginn haaptsächlech an der Elektronik an Informatiounsindustrie benotzt, wéi integréiert Kreesleef, Informatiounsspeicher, Flëssegkristalldisplay, Laser Erënnerungen, elektronesch Kontrollgeräter, asw.. Si kënnen och am Beräich vun der Glasbeschichtung benotzt ginn, wéi och an der Verschleißbeständeg. Materialien, héich-Temperatur corrosion Resistenz, héich-Enn dekorativen Produiten an aner Industrien.
Sputtering ass eng vun den Haapttechnike fir dënn Filmmaterialien ze preparéieren.Et benotzt Ionen generéiert vun Ionequellen fir an engem Vakuum ze beschleunegen an aggregéiert fir Héichgeschwindeg Energie Ionenstrahlen ze bilden, déi zolidd Uewerfläch ze bombardéieren an kinetesch Energie tëscht Ionen a festen Uewerflächatomen auszetauschen. D'Atomer op der fester Uewerfläch verloossen de Feststoff a ginn op der Uewerfläch vum Substrat deposéiert. De bombardéierte Feststoff ass de Matière première fir dënn Filmer duerch Sputteren ze deposéieren, wat Sputterziel genannt gëtt. Verschidde Aarte vu gesputtertem Dënnfilmmaterial goufe wäit an Hallefleit-integréiert Circuiten, Opnammedien, flaach Panel Displays a Workpiece Uewerflächbeschichtungen benotzt.
Ënnert all Applikatioun Industrien, der semiconductor Industrie huet déi strengste Qualitéit Ufuerderunge fir Zil sputtering films.High-Purity Metal sputtering Ziler sinn haaptsächlech an wafer Fabrikatioun a fortgeschratt Verpakung Prozesser benotzt. Huelt Chip Fabrikatioun als e Beispill, kënne mir gesinn, datt vun engem Silicon wafer zu engem Chip, et muss duerch 7 grouss Produktioun Prozesser goen, nämlech Diffusioun (Thermal Prozess), Foto-Lithographie (Foto-Lithographie), Etch (Etch), Ion Implantatioun (IonImplant), Dënn Film Wuesstem (Dielektresch Oflagerung), Chemesch Mechanesch Polieren (CMP), Metaliséierung (Metaliséierung) Prozesser entspriechen een nom aneren. D'Sputterziel gëtt am Prozess vun der "Metalliséierung" benotzt. D'Zil gëtt mat héijer Energiepartikelen duerch dënn Filmdepositiounsausrüstung bombardéiert an dann gëtt eng Metallschicht mat spezifesche Funktiounen op der Siliziumwafer geformt, sou wéi d'Konduktivschicht, d'Barriärschicht. Wait.Well de Prozesser vun de ganze semiconductors variéiert sinn dann e puer heiansdo Situatiounen néideg fir z'iwwerpréiwen de System ass richteg existéiert also mir verlaangen puer Zorte vun Dummy Material op bestëmmte Etappe vun Produktioun d'Effekter ze confirméieren.
Post Zäit: Jan-17-2022