Semiconductor Industrie Ufuerderunge vun GRAPHITE Material Ufuerderunge si besonnesch héich, fein Partikelgréisst vun GRAPHITE huet héich Präzisioun, héich Temperatur Resistenz, héich Kraaft, kleng Verloscht an aner Virdeeler, wéi: gesintert GRAPHITE Produiten Ofdréck.Well d'Grafitausrüstung, déi an der Halbleiterindustrie benotzt gëtt (inklusiv Heizungen an hir gesintert Stierwen) erfuerderlech sinn fir widderholl Heiz- a Killprozesser ze widderstoen, fir d'Liewensdauer vu Grafitausrüstung ze verlängeren, ass et normalerweis erfuerderlech datt d'Graphitmaterialien déi benotzt ginn stabil Leeschtung hunn. an Hëtzt resistent géint Impakt Funktioun.
01 Graphit Accessoiren fir Halbleiter Kristallwachstum
All Prozesser, déi benotzt gi fir Hallefleitkristaller ze wuessen, funktionnéieren ënner héijer Temperatur a korrosiven Ëmfeld. Déi waarm Zone vum Kristallwachstumofen ass normalerweis mat hëtzebeständeg a korrosiounsbeständeg High-Purity-Graphit-Komponenten ausgestatt, wéi Heizung, Krees, Isolatiounszylinder, Guidezylinder, Elektroden, Kéishalter, Elektrodenmutter, etc.
Mir kënnen all Graphitdeeler vu Kristallproduktiounsgeräter fabrizéieren, déi individuell oder a Sets geliwwert kënne ginn, oder personaliséiert Graphitdeeler vu verschiddene Gréissten no Client Ufuerderunge. D'Gréisst vun de Produkter kann op der Plaz gemooss ginn, an den Aschegehalt vu fäerdege Produkter kann manner sinniwwer 5 ppm.
02 Graphit Accessoiren fir Halbleiterepitaxy
Epitaxial Prozess bezitt sech op de Wuesstum vun enger Schicht vun Eenkristallmaterial mat der selwechter Gitterarrangement wéi de Substrat um Eenkristallsubstrat. Am epitaxialen Prozess gëtt de Wafer op d'Graphit Scheif gelueden. D'Performance an d'Qualitéit vun der GRAPHITE Scheif spillen eng vital Roll an der Qualitéit vun der epitaxialer Schicht vum Wafer. Am Beräich vun der epitaxialer Produktioun sinn vill vun ultra-héich Rengheet GRAPHITE an héich Rengheet GRAPHITE Basis mat SIC Beschichtung gebraucht.
Eis Firma d'GRAPHITE Basis fir semiconductor epitaxy huet eng breet Palette vun Uwendungen, kann déi meescht vun der allgemeng benotzt Equipement an der Industrie Match, an huet héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung, excellent Service Liewen, an héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
03 Graphit Accessoiren fir Ionimplantatioun
Ionimplantatioun bezitt sech op de Prozess fir de Plasmastrahl vu Bor, Phosphor an Arsen op eng gewëssen Energie ze beschleunegen, an dann an d'Uewerflächeschicht vum Wafermaterial ze sprëtzen fir d'Materialeigenschaften vun der Uewerflächeschicht z'änneren. D'Komponente vum Ionimplantatiounsapparat sollen aus héichrengem Materialien mat exzellenter Hëtztbeständegkeet, thermescher Konduktivitéit, manner Korrosioun verursaacht duerch Ionenstrahl a geréngem Gëftstoffgehalt gemaach ginn. High-Rengheet GRAPHITE entsprécht der Applikatioun Ufuerderunge, a kann fir de Fluch Rouer benotzt ginn, verschidde Schlitze, Elektroden, Elektroden deckt, conduits, beam terminators, etc.. vun Ion Implantatioun Equipement.
Mir kënnen net nëmmen GRAPHITE shielding Cover fir verschidden Ion Implantatioun Maschinnen, mä och héich-Reng GRAPHITE Elektroden an Ion Quelle mat héich corrosion Resistenz vun verschiddenen Spezifikatioune bidden. Applicabel Modeller: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM an aner Ausrüstung. Zousätzlech kënne mir och passende Keramik, Wolfram, Molybdän, Aluminiumprodukter a Beschichtete Deeler ubidden.
04 Graphit Isolatioun Materialien an anerer
Thermesch Isolatiounsmaterialien, déi an der Hallefleitproduktiounsausrüstung benotzt ginn, enthalen Graphit hart Filz, mëll Filz, Graphitfolie, Grafitpabeier, a Grafit Seel.
All eis Matière première sinn importéiert GRAPHITE, déi no der spezifesch Gréisst vun Client Ufuerderunge geschnidde ginn oder als Ganzt verkaf ginn.
De Kuelestoff-Kuelestoff Schacht gëtt als Träger fir Filmbeschichtung am Produktiounsprozess vu Solarmonokristallin Silizium a polykristallin Siliziumzellen benotzt. Den Aarbechtsprinzip ass: Setzt de Silizium-Chip an den CFC-Schacht a schéckt en an den Ofenröhr fir d'Filmbeschichtung ze veraarbecht.
