News

Quomodo sic factus est minimus pulvis?
by admin on 24-05-13
SiC unicum crystallum est Group IV-IV compositum semiconductor ex duobus elementis compositum, Si et C, in ratione stoichiometrica 1, 1. Alterum solum adamantinum duritia est. Reductio carbonis methodi oxydi siliconis ad parandum SiC maxime fundatur in formula reactionis chemica sequenti ...
Read more
Quomodo epitaxiales laminis semiconductores adiuvant machinas?
by admin on 24-05-13
Origo nominis lagani epitaxialis Primo, parvum conceptum popularemus: laganum praeparatio duos nexus maiores includit: praeparatio subiecta et processus epitaxialis. Subiectum est laganum semiconductoris unius materiae crystalli fabricatum. Subiectum directe ingredi potest laganum manufacturi...
Read more
Introductio ad depositionem vaporum chemicorum (CVD) depositio technologiae tenuis pelliculae
by admin on 24-05-06
Depositio Vaporis chemica (CVD) technologiae technicae pelliculae tenuis magni momenti est, saepe ad varias membranas et graciles materias functiones praeparandas et late in fabricandis semiconductoribus aliisque agris adhibetur. 1. Principium opus CVD In processu CVD, praecursor gas (vel ...
Read more
"Aurum nigrum" secretum post industriam photovoltaicam semiconductorem: desiderium et dependentia graphite isostatice.
by admin on 24-05-06
graphites Isostaticus maximi momenti est materia in photovoltaicis et semiconductoribus. Raptim ortum societatum graphitarum isostaticarum domesticarum, monopolium societatum peregrinarum in Sinis fracta est. Cum continuis investigationibus independentibus et evolutionis ac technologicis interruptionibus, ...
Read more
Detegere Essentiales Graphitae Navis in Semiconductor Ceramics Vestibulum
by admin on 24-04-22
Naviculae graphitae, etiam scaphae graphitae notae, in intricatis processibus ceramicorum semiconductorium fabricando crucialem partes agunt. Haec vasa specializata certae sunt baiulatores pro lagana semiconductoris in curationibus summus temperatus, processus accurati et moderati procurandi. Cum...
Read more
Interna structura instrumenti tubi fornacei in specie exponitur
by admin on 24-04-22
Ut supra ostensum est, typica Pars prima: Elementum calefactivum (coil calefactivum) : situm circa tubum fornacem, plerumque filis resistentiae, ad calefaciendum intus fistulae fornacis. ▪ Quartz Tube: Coro fornacis oxidationis calidae, vicus castitatis summus factus, qui sustinere potest h...
Read more
Effectus Sic subiectorum et epitaxial materiae in MOSFET notae fabrica
by on 24-04-16
Defectus triangularis defectus triangularis sunt maxime fatales defectus morphologicos in stratis epitaxialibus SiC. Magnum praeterea numerum litterarum notarum ostendimus formationem defectuum triangularis ad formam 3C crystalli referendam esse. Sed ob varias machinas incrementum, morphologiam multorum ...
Read more
Pii incrementum SiC carbide una cristallum
by on 24-04-16
Cum eius inventio, carbide Pii late attendit. Carbida siliconis constat ex atomis dimidiis Si atomis et dimidia C atomis, quae per paria electronica per electronica orbitalium hybridarum sp3 communicantes vincula covalent connexa sunt. In structura fundamentali unitatis unius crystalli eius, quattuor atomi Si... sunt.
Read more
VET Exceptional Properties of Graphite Rods
by admin on 24-04-08
Graphite, forma carbonis, materia mirabilis est nota ob proprietates singulares et amplitudinem applicationum. Virgae graphitae, praesertim, insignem recognitionem consecuti sunt propter eximiam qualitatem et versabilitatem. Cum conductivity optimae scelerisque, electrica conductivit...
Read more