Nova methodus ad componendos stratos semiconductores tam tenues quam nonnullos nanometros consecuta est in non solum inventione scientifica, sed etiam in novo genere transistoris ad electronicas machinas summus potentiae. Effectus in Litteris Physicis editis, ingens studium excitavit.
Effectio effectus est arctae collaborationis inter scientias in Universitate Linköping et SweGaN, societas spinosa ex investigationis scientiarum materiarum apud LiU. Societas artificiorum electronicarum electronicarum ex gallium nitride formandorum.
Gallium nitridum, GaN, semiconductor usus est ad lucem emissionem diodi efficientis. Potest tamen etiam in aliis applicationibus utilis esse, sicut transistores, cum superiores calores et vires currentes quam plures alii semiconductores sustinere possint. Hae proprietates momenti electronicis pro futuris elementis sunt, non minimum iis in vehiculis electricis adhibitis.
Gallium nitride vapor condensare licet in laganum carbide pii, tenuem tunicam formans. Methodus qua una materia crystallina in subiecto alterius crevit, nota est epitaxia. Modus saepe usus est in industria semiconductoris, cum magnam libertatem praebet ad determinandum tam structuram crystallinam quam compositionem chemicae cinematographicae formatae.
Coniunctio gallium nitride, GaN, et carbide siliconis, SiC (utraque quae validis campis electricis sustinere potest), efficit ut circuitus applicationibus aptae sint quibus summae vires requiruntur.
Aptus in superficie inter duas materias cristallinas, gallium nitride et carbidam pii, pauper tamen est. Atomi inter se coniunguntur, quae ad defectum transistoris ducit. Hoc directum est ab investigatione, quae postea ad solutionem commercialem perducta est, in qua etiam tenuior aluminii nitridis stratum inter duas stratas collocatum est.
Fabrum apud SweGaN casu animadverterunt transitores suos insigniter altioribus viribus quam speraverant campum obire posse, et quare initio non potuerunt intelligere. Responsum inveniri potest in gradu atomico - in duobus superficiebus intermediis criticis intra componentibus.
Investigatores apud LiU et SweGaN, ducti ab LiU's Lars Hultman et Iun Lu, praesentes in Litteris Physicis adhibitis explicationem phaenomeni habent, et methodum describendi transistores fabricandi maiore facultate resistendi altas voltages.
phisici incrementum mechanismum epitaxiale antea ignotum invenerunt quod "proventus epitaxiale transmorphicum" nominaverunt. Contentionem inter varias ordines facit ut per duos atomorum ordines gradatim absorberi possit. Hoc significat quod duo ordines possunt crescere, gallium nitride et nitride aluminium, in carbide pii modo ad temperandum in gradu atomico quomodo laminis inter se in materia referuntur. In laboratorio ostenderunt materias altas voltages obstare, usque ad 1800 V. Si talis voltatio transposita classica silicon-substructio posita esset, scintillae volitantes inciperent et transistor periret.
"Gratulamur SweGaN cum initium ad forum inventionis. Efficacem collaborationem demonstrat et utendo investigationum eventuum in societate. Propter arctam contactum cum prioribus collegis nostris, qui nunc in societate laborant, investigatio nostra celeriter ictum etiam extra mundum academicum habet", inquit Lars Hultman.
Materia a Universitate Linköping provisum. Originale scripsit Monica Westman Svenselius. Nota: Contentum editum esse pro stilo et longitudine.
Accipe novissimam scientiam nuntiorum cum liberorum electronicarum litterarum electronicarum ScienceDaily, diurnis et hebdomadalibus renovatis. Aut inspicias horas updated pervulgatas in RSS lectore tuo:
Dic quid censes de ScienceDaily — commentaria tam positiva quam negativa suscipimus. Habesne difficultates utendi situ? Quaestiones?
Post tempus: May-11-2020