Reactio carbida pii-inpressa est materia magna summus temperatura, magna vi, alta duritia, princeps indumenti resistentia, alta resistentia corrosio et resistentia oxidationis alta et aliae proprietates optimae, late in machinis, aerospace, industria chemicis, energia aliisque aliis adhibitis. campis.
1. rudis materia praeparationis
Praeparatio reactivae sinteringi pii carbidi materiae crudae maxime sunt carbonis et pulveris pii, e quibus carbo adhiberi potest variis substantiis carbo-continentibus, ut cocus carbo, graphite, carbo, etc., pulveris pii plerumque cum particula deliguntur. magnitudine 1-5μm altitudinis pulveris pu- pii. Primum, carbonis et pii mixti in certa proportione miscentur, addito quantitatem debitam ligantis et profluentis agentis, et aequaliter agitando. Mixtura deinde in globum molam pro globo molentis componitur, ut adhuc aequabilis permixtio et stridor sit, donec magnitudo particula minor sit quam 1μm.
2. CUMATIUM processus
Processus trochilus est unus e clavibus gradibus in vestibulum carbide Pii. Communiter processuum corona adhibita prementibus corona, grouting corona et static coronatur. Torcular formare significat mixtionem in formare et a pressura mechanica formari. Molam Grouting refert mixturam cum aqua vel organica solvendo miscere, eam in fomacem per clysterem injicere sub conditionibus vacuo, et post stantem operis formare. Statica pressionis corona refert mixtionem in forma, sub praesidio vacuum vel atmosphaeram pro pressione static fingens, plerumque ad pressionem 20-30MPa.
3. Sintering processum
Sintering clavem est gradus processus fabricandi in carbide siliconosa reactionis. Temperatura persente, tempus sintering, atmosphaera sintering et alia factores afficiunt effectum reactionis carbidi pii. In genere, temperatura sinteringa carbidi pii silerentis reactricis est inter 2000-2400℃, tempus sitering fere horarum 1-3, atmosphaera plerumque pigra, ut argon, nitrogenium, et sic porro. In sintering mixtura chemica reactionem subibit ad crystallum carbidum pii formandum. Eodem tempore, carbo etiam cum gasis in atmosphaera aget ad producendos vapores ut CO et CO2, qui densitatem et proprietates carbidi pii tangent. Ergo servans tempus idoneum sintering et sintering tempus magni momenti est ad carbide pii fabricandum reactionem insinenter.
4. Post curatio processus
Reactio carbida pii-singulata processum curationi post fabricationem requirit. Processus communes post curationis sunt machinatio, stridor, expolitio, oxidatio et alia huiusmodi. Hi processus ordinantur ad meliorem praecisionem et superficiem qualitatem motus carbide pii-silicon. Inter eos, stridor et politio processus communis methodus processus est, quae metam et planiciem superficiei carbidi Pii emendare potest. Processus oxidationis formare potest stratum oxydatum ad resistentiam oxidationis augendam et ad stabilitatem chemicam reactionis carbidam Pii insinendam.
In summa, reactivum sintering pii carbide fabricatio multiplex est processus, necesse est ut varias technologias et processus comprehendat, cum rudis materiae praeparatio, processus fingens, processus sintering et processus post-tractatio. Tantum comprehendendo has technologias et processuum dominando valebunt materiae carbidi pii reactionis-inpressae qualitates ad usus necessarios variarum applicationum agrorum.
Post tempus: Iul-06-2023