1. Tertia generatio semiconductors
Prima-generatio semiconductoris technologiae elaborata est secundum materias semiconductores ut Si et Ge. Fundamentum materiale est evolutionis transistorum et ambitus technologiae integrae. Prima-generatio materiae semiconductoris pro industria electronici saeculi XX fundamentum fundavit et sunt praecipuae materiae ad technologiam ambitum integrandam.
Secunda generatio-materia semiconductoria maxime includunt gallium arsenide, indium phosphide, gallium phosphide, indium arsenide, aluminium arsenide et eorum composita ternaria. Secunda-generatio materiae semiconductoris fundamentum est industriae notitiarum optoelectronic. Ex hoc fundamento, industriae cognatae sunt ut lucendi, ostentus, laser, et photovoltaici ortae sunt. Late adhibentur in technicae artis notitiae et in industrias optoelectronic ostentationis.
Repraesentativas materiae tertiae generationis semiconductoris includunt gallium nitridem et carbidam pii. Ob latitudinem cohortis hiatus, altae electronicae satietatem summa velocitas, magna conductivity scelerisque, et campi virium altae naufragii, sunt ideales materiae ad densitatem altae potentiae praeparandam, altae frequentiae, et demissae electronic cogitationes. Inter eas, carbide siliconis machinae opes altae energiae densitatis, energiae consummationis et parvae magnitudinis commoda habent, et ampla applicationes exspectationes habent in novis vehiculis energiae, photovoltaicis, vecturae ferriviariis, magnis datae et aliis campis. Gallium nitride RF machinas habent utilitates altae frequentiae, altae potentiae, latae manus, humilis potentiae consumptio et parvitas, et ampla applicationes exspectationum in communicationibus 5G, in interreti rerum, terunt militaribus et aliis agris habent. Praeterea gallium nitride-substructio virtutis machinis in campo humili voltationis late usi sunt. Praeter recentibus annis, materias gallium oxydatum emergentes expectatur complementarium technicae formare cum technologiae SiC et GaN existentes, et potentialem applicationes exspectationes habent in campis ignobilibus et alta intentione.
Comparata cum altera-generatione semiconductori materiae, semiconductori tertiae-generatione materiae latiorem bandgap latiorem habent (bandgap latitudo Si, materia typica materiae primae generationis semiconductoris, est circiter 1.1eV, bandgap latitudo GaAs, typica materia semiconductoris secundae-generationis, est circiter 1.42eV, et bandgap latitudo GaN, materia typica semiconductoris tertiae generationis, est supra 2.3eV), resistentia radiorum fortior, resistentia fortius in campo naufragii electrici, et superior resistentia caliditas. Tertia generatio materiae semiconductoris cum latioris fasciae latitudine aptissima sunt ad productionem radiorum repugnantis, altae frequentiae, altae potentiae et summae integrationis densitatis electronicarum machinarum. Eorum applicationes in proin radiophonicis frequentiae machinis, LEDs, lasers, machinis potentiae aliisque campis multam attentionem attraxerunt, et amplas exspectationes in communicationibus mobilibus, gridis captiosis, transitum railium, novas vehicula energias, electronicas consumptorias, et ultraviolacum et caeruleum ostenderunt. —green levi machinas [1].
Post tempus: Iun-25-2024