Defectus triangularis
Vitia triangularia sunt vitia morphologica gravissima in stratis epitaxialibus SiC. Magnum praeterea numerum litterarum notarum ostendimus formationem defectuum triangularis ad formam 3C crystalli referendam esse. Tamen, ob varias machinas incrementum, morphologia multorum defectuum triangularis in superficie iacuit epitaxialis valde diversa est. Distingui potest fere in genera sequentia:
(1) Sunt defectus triangularis cum magnis particulis in summo
Hoc genus defectus triangularis magnam habet particulam sphaericam in summo, quae cadendo res causari potest in processu incrementi. Parva area triangula cum superficie aspera ab hoc vertice deorsum observari potest. Inde accidit quod in processu epitaxiali duo 3C-SiC diversi strata successive in area triangula formantur, quorum primum iacuit in interfacie nucleatur et per 4H-SiC gradum fluens crescit. Cum crassitudo iacuit epitaxialis augetur, secunda stratum nuclei 3C polytypi nucleat et in minus triangularibus foveis crescit, sed gradus incrementi 4H aream polytypi 3C omnino non operit, dum spatium sulcus 3C-SiC adhuc clare V informat. visibilis
(2) Exstant particulae in cacumine et defectibus triangularibus in superficie aspera
Particulae ad vertices hujus generis defectus triangularis sunt multo minores, ut in Figura 4.2 ostensum est. Plurima autem area triangularibus gradibus 4H-SiC tegitur, hoc est, totum stratum 3C-SiC sub strato 4H-SiC penitus immergitur. Tantum incrementum gradus 4H-SiC in superficie defectionis triangularis videri possunt, sed hi gradus sunt multo maiores quam gradus incrementi 4H conventionalis crystalli.
(III) defectus triangularis in superficie leni
Hoc genus defectus triangularis superficiem morphologiam leni habet, ut in Figura 4.3. Talibus defectibus triangularibus, stratum 3C-SiC gradatim fluxum 4H-SiC tegitur, et 4H forma crystalli in superficie subtilior et levior crescit.
Lacus epitaxial defectus
Putei epitaxiales (Pits) unum sunt e defectibus morphologiae superficiei communioribus, eorumque morphologiae superficies typica et delineatio structuralis in Figura 4.4. Locus dissolutionis filis (TD) corrosionis fovearum observatus post KOH etching in dorso machinae claram correspondentiam habet cum locatione pitiorum epitaxialium ante praeparationem machinam, significans formationem defectuum epitaxialis foveae ad dislocationes sequelam referri.
CAROTA vitia
Carrot defectus communes sunt defectus superficiei epitaxialis 4H-SiC, earumque morphologia typica in Figura 4.5. Carotae defectus relatum est ab intersectione Franconiano et prismaticis vitiis positis in plano basali connexis gradatim dislocationibus connexis formari. Etiam relatum est formationem defectuum carrots ad TSD in subiecto referri. Tsuchida H. et al. Densitatem carrots defectuum in strato epitaxiali deprehendi proportionalem esse densitati TSD in subiecto. Comparando imagines superficiei morphologiae ante et post epitaxialem incrementum, omnes defectus carrots observati inveniri possunt ut correspondeant TSD in subiecto. Wu H. et al. usus Raman dispergens testium characterisation ad inveniendum defectus carotae non 3C crystalli formam continere, sed solum polytypum 4H-SiC.
Effectus trianguli defectus in MOSFET fabrica characteres
Figura 4.7 est histogramma statisticae distributionis quinque notarum notae in quibus defectibus triangularibus continetur. Linea caerulea punctata est linea dividens ad notae notae turpitudinis, et linea rubra punctata est linea dividens pro defectu fabricae. Pro defectu fabrica, defectus triangularis magnum impulsum habent, et defectus rate maior quam 93%. Hoc maxime tribuitur influentiis defectibus triangularibus in notis stropharum vicissim notarum. Usque ad 93% de machinis quae defectibus triangularibus continentur signanter ultrices vicissim auctae sunt. Praeterea defectus triangularis etiam gravem ictum in notis portae lacus habent, cum degradatione 60%. Ut patet in Tabula 4.2, ad limina intentionis degradationis et diode corporis degradationis propriae, impulsus defectuum triangularis est parvus, et proportiones degradationis sunt 26% et 33% respective. Secundum incrementum in resistentia causandi, impulsus defectuum triangula- rum infirma est, et proportio degradationis 33% est.
Effectus epitaxial pit defectus in MOSFET fabrica characteres
Figura 4.8 est histogramum statisticae distributionis quinque notarum notae in quibus defectibus epitaxial foveae. Linea caerulea punctata est linea dividens ad notae notae turpitudinis, et linea rubra punctata est linea dividens pro defectu fabricae. Ex his constare potest, numerum machinorum defectuum epitaxialium fovearum in exemplo SiC MOSFET continentium aequivalere numero machinis defectibus triangularibus contentis. Ictum lacuum epitaxialium defectuum in notis fabricae diversus est a defectibus triangularibus. Secundum defectum technicae, defectus ratis machinorum in quibus defectiones epitaxiales foveae sunt tantum 47%. Comparatus cum defectibus triangularibus, impulsus defectuum foveae epitaxialis in notis lacus econtrariis et notis lacus portae notae machinationis signanter debilitatur, cum degradationis rationibus 53% et 38% respective, ut in Tabula 4.3. E contra, impulsus lacuum epitaxialium defectuum in notis limen voltage, diode conduction corporis indoles et in-resistentia maior est quam defectus triangularis, cum degradationis ratione attingens 38%.
In genere, duo vitia morphologica, triangula scilicet et foveae epitaxiales, notabilem habent labem in defectione et notabili deformatione machinarum SiC MOSFET. Existentia defectuum triangula- rum perniciosissimus est, cum rate deficiente usque ad 93%, maxime manifestatur ut notabilis incrementa e contrario lacus machinae. Machinae foveae epitaxiales continentes defectus rate minoris defectionis 47% habebant. Sed defectus epitaxialis foveae maiorem labefactum habent in limine voltage fabricae, indoles corporis diode conductionis et in-resistentia quam defectus triangularis.
Post tempus: Apr-16-2024