1 Applicatio et investigatio progressus Pii carbidi in membrana carbonis / materiae campi carbonis
1.1 Progressio applicationis et inquisitionis in uasculo praeparationis
In uno cristallo scelerisque agri, thecarbon/carbon uasculummaxime adhibetur ut vas pro materia pii portandi et in contactu cum illisvicus uasculum, ut in Figura demonstratur 2. Temperatura carbo carbonis/carbonis laborantis est circiter 1450℃, quae subicitur duplici exesi Pii solidi (dioxidi pii) et vaporis pii, ac denique uas tenue fit vel anulum rimam habet. ex defectu uase.
Compositum tunica carbonis/carbonis compositum uasculum concretum praeparatum est ab vaporum chemica permeationis processu et in-situ reactionis. Compositum tunica ex carbide pii (100~300μm), tunica pii (10~20µm) et tunica nitride silicon (50~100µm), quae efficaciter inhibere potuit corrosionem vaporis siliconis in superficie interna carbonis/carbonis compositi. fusorium. In processu productionis, iactura uasculi compositi carbonis/carbonis compositi adoperta est 0,04 mm per fornacem, et servitium vitae potest consequi 180 fornacem.
Inquisitores methodum chemica reactionem adhibebant ad carbidam siliconam uniformem efficiendam in superficie carbonis/carbonis compositam uasculum sub certis conditionibus temperaturis et gasi tutelam adhibentes, dioxide et silicone metallo adhibito, ut materias rudis in summo temperatura sintering fornacem. Eventus ostendunt caliditatem curationi non solum meliorem puritatem ac robur sic coatingis, sed etiam valde meliores uti resistentia superficiei compositi carbonis/carbonis et corrosionem superficiei uasculi SiO vaporis impedire. et atomi oxygenii volatiles in fornace monocrystal Pii. Servitium vitae uasculi augetur per 20% comparatur cum illo uasculi sine sic integumento.
1.2 Applicationem et investigationem progressus in fluxu duce tube
Cylindrus ductor positus est supra uasculum (ut in fig. 1). In processu crystalli trahente, magna differentia caliditatis inter intra et extra campum est, praesertim superficies ima proxima materiae siliconis fusilis, temperatura summa est, et vapor siliconis corrosio gravissima est.
Investigatores invenerunt processum simplicem et bonam oxidationem resistentiam ducis tubi anti-oxidationis efficiendi et praeparandi modum. Primum iacuit carbidi pii whisker in matrice tubi ductoris in situ crevit, et deinde densa carbidi pii strato exteriori praeparata est, ut transitus SiCw inter vulvam et densam iacum carbidi superficiei ut in Figura 3. Coefficiens expansionis scelerisque erat inter matricem et carbidam pii. Effective reducere potest accentus scelerisque per mismatch dilatationis scelerisque coefficiens causatus.
Analysis ostendit incrementum SiCw contentum, magnitudinem ac numerum rimas in litura diminui. Post 10h oxidatio in 1100 aere, pondus damnum rate tunicae specimen est tantum 0.87%~8.87%, et oxidatio resistentia et thermae resistentiae incursu carbide siliconis efficiens valde meliores sunt. Tota praeparatio processus continue a depositione vaporum chemicorum perficitur, praeparatio carbidi pii tunicae valde facilior est et effectus totius collium comprehensivus roboratur.
Investigatores proposuerunt methodum matricis confirmandi et superficiei tunicae graphitae ductoris tubi pro czohr monocrystal siliconis. Pii carbida slurry consecuta in superficie tubi graphitae rectoris uniformiter obductis cum crassitudine 30~50 µm efficiens vel elisam in modum coatingit, ac deinde in fornacem caliditatem in situ reactionis, caliditatis reactionis positam. erat 1850~2300 , et calor conservationis erat 2~6h. Tegumen exterius SiC adhiberi potest in 24 in (60.96 cm) uno fornace cristallo augmenti, et usus temperatus 1500 , et deprehenditur nullum esse crepturam pulveris in superficie graphite rotundi post 1500h cadens. .
1.3 Application et investigationis progressus in velit cylindrici
Cum una e elementis praecipuis systematis campi thermarum monocrystallini siliconis, insulatio cylindrici maxime adhibetur ad damnum caloris minuendum et moderandum clivum campi environment scelerisque. Ut pars suffragii interioris parietis velit iacuit unius fornacis crystalli, vapor silicon corrosio ducit ad stillicidium et crepuit producti scoria, quae tandem ad defectum producti ducit.
Ut vaporum siliconis corrosionis resistentiae C/C-sic compositae tubi insulationis augeret, investigatores C/C-sic compositi tubi insulationis producti in fornacem chemica reactionem vaporem composito paraverunt et in tunicam carbidam siliconis densam paraverunt. superficies C/C-sic compositae fistulae insulationis productae per processum depositionis vaporis chemici. Eventus ostendunt, Processus corrosionis fibri carbonii in nucleo C/C-sic composito a vapore pii composito efficaciter inhibere posse, ac resistentia vaporis siliconis corrosio augeri per 5 ad 10 tempora cum composito carboni/carbonio; et vita servitutis cylindri insulationis et salus ambitus campi scelerisque valde melior.
2.Conclusio et prospectus
Pii carbide coatingplus ac latius in carbonis/carbonis materias camporum thermarum usus est propter excellentem oxidationis resistentiam in caliditate. Crescente magnitudine carbonis/carbonis materiae campi scelerisque in monocrystallino siliconis productione adhibita, quomodo aequabilitas carbidi pii in superficie materiae campi scelerisque efficiens et vitam serviendi carbonis/carbonis thermarum in materia campi thermarum emendavit et urgente problema evasit solvenda.
E contra, evolutione industriae siliconis monocrystallini, postulatio summae puritatis carbonis/carbonis materiae campi thermarum etiam augetur, et nanofiberi SiC etiam in fibris carbonis internis per reactionem creverunt. Massa ablatio et ablatio lineae rates C/C-ZRC et C/C-sic ZrC composita experimentis praeparata sunt -0.32 mg/s et 2.57 µm/s, respective. Moles et linea ablatione rates C/C-sic -ZrC compositae sunt -0.24mg/s et 1.66 μm/s, respective. Composita C/C-ZRC cum SiC nanofibers melius habent ablativum proprietates. Postea, effectus diversorum fontium carbonis in augmento nanofiberorum SiC et mechanismi SiC nanofiberorum confirmatis proprietatibus ablativis compositorum C/C-ZRC investigabuntur.
Compositum tunica carbonis/carbonis compositum uasculum concretum praeparatum est ab vaporum chemica permeationis processu et in-situ reactionis. Compositum tunica ex carbide pii (100~300μm), tunica pii (10~20µm) et tunica nitride silicon (50~100µm), quae efficaciter inhibere potuit corrosionem vaporis siliconis in superficie interna carbonis/carbonis compositi. fusorium. In processu productionis, iactura uasculi compositi carbonis/carbonis compositi adoperta est 0,04 mm per fornacem, et servitium vitae potest consequi 180 fornacem.
Post tempus: Feb-22-2024