Virtus solaris photovoltaica generationis facta est nova industria industria mundi pollicita. Comparatus cum polysilicon et amorpho siliconis cellulis solaris, monocrystallinis siliconibus, sicut vis materialis generationis photovoltaicae, altam habet efficientiam et commoda commercii conversionis photoelectric praestans, et factus est amet generationis potentiae photovoltaicae solaris. Czochralski (CZ) est unus e praecipuis modis ad Pii monocrystallinum praeparandum. Compositio fornacis Czochralski monocrystallini systema fornacem, systema vacuum, systema gas, systema campi scelerisque et systema electricum imperium includit. Systema campi thermarum una ex maximis condicionibus ad siliconis monocrystallini incrementum est, et qualitas siliconis monocrystallini directe afficitur a clivo agri scelerisque distributione temperatus.
Partes campi scelerisque praecipue componuntur ex materiis carbonis (materiae graphitae et carbonis/carbonis compositae), quae in partes subsidiariae dividuntur, partes functiones, elementa calefacientia, partes tutelares, materias velit scelerisque, etc., secundum suas functiones; Ostensum in Figura 1. Cum magnitudo siliconis monocrystallini augere pergit, magnitudo requisita ad partes agri scelerisque augentur. Carbon/carbonus materiae compositae prima electio facta est materiae campi scelerisque in siliconis monocrystallicis propter dimensionem firmitatem et proprietates mechanicas optimas.
In processu monocrystallini pii czochralciani, liquefactio materiae siliconis vaporem pii generabit et fusile sparget Pii, inde in silicificatione exesa materiae campi carbonis/carbonis, et proprietates mechanicae et servientes vitae carbonis/carbonis materiae campi thermarum sunt. gravissime afficitur. Quam ob rem silicificationem exesa carbonis/carbonis materiae campi scelerisque reducere et eorum opera vitam emendare factum est unus e communibus effectibus siliconis monocrystallini et carbonis/carbonis thermae campi materialis artifices.Pii carbide coatingPrima electio facta est ad superficiem coating tutelam carbonis/carbonis materiae campi thermarum ob egregiam resistentiam inpulsa scelerisque et resistentiam induere.
In hac charta, ab carbone/carbono thermarum thermarum materiis adhibitis in productione siliconis monocrystallini, praecipuae methodi praeparatoriae, commoda et incommoda vestiendi carbidi Pii introducuntur. Ex hoc fundamento, applicationis et inquisitionis progressus pii carbidi efficiens in carbon/carbono materias camporum thermarum recensentur secundum proprietates materiae campi carbonis/carbonis, et suggestiones et directiones evolutionis ad superficiem efficiens tutelam materiae carbonis/carbonis materiae campi thermarum. proferuntur.
I Praeparatio technicae artisPii carbide coating
1,1 Modus Embedding
Methodus embedendi saepe adhibetur ad parandum membranam carbidam pii interiorem in systemate materiali composito C/C-sic. Haec methodus primum mixto pulvere utitur ad materiam compositam carbonis/carbonis involvendam, deinde caloris curationem ad temperaturam quandam peragit. Series complexuum reactionum physico-chemicarum inter pulverem mixtum et superficies specimen efficiens accidit. Commodum est quod processus simplex, unus tantum processus densam, rimam liberam matricis materiae compositae praeparare potest; Minoris magnitudinis mutatio a forma ad productum finale; Apta est structura quaevis stamen aucta; Gradientis compositio quaedam inter tunicam et subiectam formari potest, quae bene cum subiecto coniuncta est. Sunt tamen etiam incommoda, ut reactionem chemicam in caliditate, quae fibra nocere potest, et proprietates mechanicas matricis carbonis/carbonis declinare. Uniformitas coatingis difficile est temperare, propter gravitatem factorum, quae inaequale efficiens facit.
1.2 Slurry membrana modum
Slurry methodus efficiens est materiam coatingens miscere et ligans in mixturam, aequabiliter in matricis superficie penicillo, siccata in atmosphaera iners, speciminis obductis in caliditate sinterata, et requiritur tunica obtineri potest. Commoda sunt ut processus simplex et facilis ad operari, et crassitudo efficiendi facile est continere; Incommodum est quod inter tunicam et subiectam vi paupercula compago est, et scelerisque inpulsa resistentia efficiens pauper est, et humilitas tunicae aequalitas est.
1.3 Chemical vapor reactionem modum
Vapor chemica reactionis (CVR) methodus est methodus processus, qui exhalat materiam solidam silicon in vaporem silicon ad aliquam temperiem, et tunc vapor silicon in interiorem et superficiem matricis diffundit, et in situ cum carbone in matrice reagit producendum. pii carbide. Commoda eius in fornace uniformi atmosphaera includunt, constantem ratem reactionem ac depositionis crassitiem, materiam ubique iactatam; Processus simplex et facilis est ad operandum, et crassitudo coating potest moderari mutando pressuram vaporem Pii, tempus depositionis et parametri. Incommodum est quod specimen positionis in fornacis valde afficitur, et vaporum siliconis pressionis in fornace non potest pertingere ad uniformitatem speculativam, unde inaequalem crassitudinem efficiens.
1.4 Depositio vaporum chemica methodi
Depositio vapor chemicus (CVD) est processus in quo hydrocarbonum utuntur ut fons gas et princeps puritatis N2/Ar sicut tabellarius gas ad introducendos vapores mixtos in vaporem chemicum reactorem, et hydrocarbonum subtus resoluti, summatim, diffunduntur, adsorbentur et resolvuntur. certa temperatura et pressione ad solidas membranas in superficie materiae carbonis/carbonis compositas formare. Commodum est quod tenuitas et puritas liturae possunt regi; Convenit etiam operis fragmentum cum figura multipliciore; In crystallis structura et superficies morphologiae producti moderari possunt componendo parametri depositiones. Incommoda sunt ut depositionis rate gravis, processus complexus, productio sumptus altus est, et possunt esse defectus efficiens, ut rimas, reticulum defectuum et defectuum superficiei.
In summa, modus embeddendi circumscribitur suis notis technologicis, quae aptae sunt ad evolutionem et productionem laboratorii et parvae magnitudinis; Methodus efficiens apta non est ad massam productionis propter suam paupertatem constantiam. CVR methodus massam productio magnae magnitudinis producta occurrere potest, sed altiora instrumenta et technicae artis requisita habet. CVD methodus est optimus modus parandiSIC coating, sed altior est quam CVR modus propter difficultatem processus imperium.
Post tempus: Feb-22-2024