Semiconductor industriae requisita graphite materialia requisita sunt praecipue alta, tenuis particula graphite magnitudine praecisionem, caliditas resistentia, altum robur, parva damna et alia commoda, ut: sintered graphite producta fingunt.Quia graphite instrumenti adhibiti in industria semiconductoris (incluso calentium et eorum moris sintred) requiruntur ut iteratio processus calefactionis et refrigerationis sustineat, ad usum vitae instrumenti graphitici amplificandum, plerumque requiri solet ut graphitae materiae usum stabilem habeant. et caloris renitens ictum exercet.
01 Graphite accessiones semiconductoris cristallinae
Omnes processus semiconductores crystallorum crescere solebant sub caliditas et corrosivis environment. Calida zona fornacis cristalli incrementi plerumque instructa est calori repugnanti et corrosioni resistenti, componentibus puritatis graphitis, ut calefacientis, uasculi, cylindrici velitationis, rector cylindri, electrode, uasculi possessoris, nucis electrodae, etc.
Omnes graphites partes fabricationis cristallinae machinis fabricare possumus, quae singillatim vel in gressibus suppleri possunt, vel graphitae variae magnitudinum partes secundum mos exigentias. Magnitudo productorum in situ metiri potest, et fraxinus contenta productorum perfectorum minor esse potestquam 5ppm.
02 Graphite accessiones semiconductoris epitaxy
Processus epitaxialis refertur ad incrementum lavacri materiae simplicis cristallinae cum cancellis earundem dispositionis ac substratis in unico cristallo subiecto. In processu epitaxiali laganum disco graphite oneratur. Effectus et qualitas disci graphitei munus vitale agunt in qualitate epitaxialis lagani. In campo productionis epitaxialis, multum ultra altae puritatis graphitae et altae pu- graphitae basi cum SIC efficiens opus sunt.
Societas graphita nostra basim semiconductoris epitaxia amplis applicationibus habet, cum maxime instrumentis communibus in industria adhibitis aequare potest, et altam puritatem, uniformem tunicam, optimam vitam servitii, et magnae chemicae resistentiae ac scelerisque stabilitatem habet.
03 Graphite accessiones ad ion implantationem
Ion implantatio refertur ad processum accelerandi plasma boronis, phosphori et arsenici ad quamdam energiam, et deinde eam in iacum superficiei materiae lagani infundere ad proprietates materiales superficiei strati mutandas. Partes ion implantationis fabrica fabricabuntur altae materiae puritatis cum resistentia optima caloris, conductivity scelerisque, minus corrosio per ion trabem et humilem immunditiam contenta causata. Summus pu- graphite occurrit applicationi requisiti, et adhiberi potest ad tubulum fugae, variae fuperius, electrodes, opercula electrode, specus, trabes terminatores, etc armorum implantationis Ion.
Non solum graphite protegentis operculum praebere possumus pro variis machinis implantationis ion, sed etiam altae puritatis electrodes et ion fontes altas cum corrosione resistentia variarum specificationum. Exempla applicabilia: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM et alia instrumenta. Insuper etiam adaptare ceramicam, tungsten, molybdenum, aluminium productos et iactare possumus.
IV Nulla materiae Graphite et alii
Nulla materia scelerisque usus in instrumento productionis semiconductoris includunt graphite gravem filtrum, mollem filtrum, graphiten foil, charta graphita et funem graphitum.
Omnes nostrae materiae rudis graphite importatae sunt, quae secari possunt secundum speciem exigentiae emptoris vel pro toto vendito.
Ipsumque carbonis carbonis usus est ut tabellarius membranarum pellicularum in processu productionis siliconis monocrystallini et polycrystallini cellulae siliconis. Principium operans est: inserere chip silicon in CFC lance et mitte in tubum fornacem ut membrana tunicae moveatur.
