SiC Wafer Boat/Tower

Продукт чоо-жайы

ПродуктDжазуу

Кремний карбид Wafer Boat көп жогорку температура диффузия жараянында вафли кармоочу катары колдонулат.

Артыкчылыктары:

Жогорку температурага каршылык:нормалдуу колдонуу 1800 ℃

Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк:графит материалына барабар

Жогорку катуулугу:катуулугу алмаздан, бор нитридинен кийинки экинчи орунда турат

Коррозияга каршылык:күчтүү кислота жана щелочтун коррозиясы жок, коррозияга туруктуулугу вольфрам карбидине жана глиноземге караганда жакшыраак

Жеңил салмак:тыгыздыгы төмөн, алюминийге жакын

Деформация жок: жылуулук кеңейүү коэффициенти төмөн

Термикалык шок каршылык:ал температуранын кескин өзгөрүшүнө туруштук бере алат, термикалык соккуга туруштук бере алат жана туруктуу иштешине ээ

SiC физикалык касиеттери

Менчик	Нарк	Метод
тыгыздыгы	3,21 г/cc	Раковина жана өлчөм
Өзгөчө жылуулук	0,66 Дж/г °К	Импульстуу лазер жарыгы
Ийилүүчү күч	450 МПа 560 МПа	4 чекит ийилип, RT4 чекит ийилип, 1300°
Сыныктыруу катуулугу	2,94 МПа м1/2	Микроидентация
Катуулугу	2800	Vicker's, 500 г жүк
Elastic ModulusYoung's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt ийилген, RT4 pt ийилген, 1300 °C
Дан өлчөмү	2 – 10 мкм	SEM

SiCтин жылуулук касиеттери

Жылуулук өткөргүчтүк	250 Вт/м °К	Лазердик жаркылдоо ыкмасы, RT
Термикалык кеңейүү (CTE)	4,5 x 10-6 °К	Бөлмө температурасы 950 °C, кремний дилатометри