Кайра кристаллдашкан кремний карбидинин касиеттери
Кайра кристаллдашкан кремний карбиди (R-SiC) 2000℃ден жогору жогорку температурада пайда болгон алмаздан кийинки катуулугу менен жогорку натыйжалуу материал. Ал SiC көптөгөн сонун касиеттерин сактайт, мисалы, жогорку температуралык күч, күчтүү коррозияга туруктуулук, мыкты кычкылданууга каршылык, жакшы жылуулук шок каршылык жана башкалар.
● Мыкты механикалык касиеттери. Кайра кристаллдашкан кремний карбиди көмүртек буласына караганда күчтүүлүгүнө жана катуулугуна ээ, жогорку таасирге туруштук берет, экстремалдык температура чөйрөлөрүндө жакшы көрсөткүчтү ойной алат, ар кандай кырдаалдарда жакшыраак тең салмактуулукту ойной алат. Мындан тышкары, ал ошондой эле жакшы ийкемдүүлүккө ээ жана сунуу жана ийүү менен оңой бузулбайт, бул анын иштешин бир топ жакшыртат.
● Жогорку коррозияга туруктуулугу. Кайра кристаллдашкан кремний карбиди ар түрдүү медиага карата жогорку коррозияга туруктуулукка ээ, ар кандай дат басуучу каражаттардын эрозиясын алдын алат, анын механикалык касиеттерин узак убакытка сактай алат, күчтүү адгезияга ээ, ошондуктан ал узак кызмат мөөнөтүн алат. Мындан тышкары, ал ошондой эле жакшы жылуулук туруктуулугу бар, температуранын өзгөрүшүнүн белгилүү бир диапазонуна ылайыкташа алат, анын колдонуу эффектин жакшыртат.
● Агломерация кичирейбейт. Агломерация процесси кичирейбегендиктен, эч кандай калдык стресс буюмдун деформациясына же крекингине алып келбейт жана татаал формадагы жана жогорку тактыктагы тетиктерди даярдоого болот.
| 重结晶碳化硅物理特性 Кайра кристаллдашкан кремний карбидинин физикалык касиеттери | |
| 性质 / Мүлк | 典型数值 / Типтүү маани |
| 使用温度/ Иштөө температурасы (°C) | 1600°C (кычкылтек менен), 1700°C (редукциялоочу чөйрө) |
| SiC含量/ SiC мазмуну | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Акысыз Si мазмуну | < 0,1% |
| 体积密度/Массалык тыгыздык | 2,60-2,70 г/см3 |
| 气孔率/ Көрүнгөн көзөнөктүүлүк | < 16% |
| 抗压强度/ Кысуу күчү | > 600МПа |
| 常温抗弯强度/Муздак ийилген күч | 80-90 МПа (20°C) |
| 高温抗弯强度Ысык ийилүүчү күч | 90-100 МПа (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Термикалык кеңейүү @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Жылуулук өткөрүмдүүлүк @1200°C | 23В/м•К |
| 杨氏模量/ Эластик модулу | 240 GPa |
| 抗热震性/ Термикалык шок каршылык | Абдан жакшы |
VET Energy болуп саналат theCVD каптоо менен ылайыкташтырылган графит жана кремний карбид буюмдарын чыныгы өндүрүүчүсү,камсыз кыла алатар кандайжарым өткөргүч жана фотоэлектр өнөр жайы үчүн ылайыкташтырылган тетиктер. Our техникалык командасы жогорку ата мекендик илимий-изилдөө мекемелеринен келет, көбүрөөк кесиптик материалдык чечимдерди камсыз кыла алатсен үчүн.
Биз өнүккөн материалдар менен камсыз кылуу үчүн өнүккөн процесстерди тынымсыз өнүктүрөбүз,жанаэксклюзивдүү патенттелген технологияны иштеп чыгышты, ал жабын менен субстраттын ортосундагы байланышты катуураак жана ажыратууга азыраак ыктай алат.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негизги физикалык касиеттерикаптоо | |
| 性质 / Мүлк | 典型数值 / Типтүү маани |
| 晶体结构 / Кристалл структурасы | FCC β фазасы多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Жыштыгы | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Катуулугу | 2500 维氏硬度（500г жүк） |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2~10μm |
| 纯度 / Химиялык тазалык | 99.99995% |
| 热容 / Жылуулук сыйымдуулугу | 640 Дж·кг-1· К-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Ийилүү күчү | 415 МПа РТ 4-пункту |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt ийилип, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермалӨткөргүчтүк | 300Вт·м-1· К-1 |
| 热膨胀系数 / Термикалык кеңейүү (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Сизди биздин фабрикага барыңыз, келиңиз, андан ары талкуулайлы!
-
Силикон C үчүн SiC капталган Graphite жарым ай бөлүгү ...
-
Epitaxy жабдуулар үчүн TaC капталган Сусцептор
-
CVD Silicon Carbide Coating MOCVD Susceptor
-
MOCVD меши үчүн TaC капталган Wafer Susceptor
-
Кайра кристаллдашкан кремний карбидинин кристалл кайыгы...
-
Жогорку өндүрүмдүүлүктөгү тантал карбид менен капталган тешиктүү...