Жогорку тазалыктагы графит компоненттери үчүн өтө маанилүүжарым өткөргүч, LED жана күн өнөр жай процесстери. Биздин сунуштарыбыз кристалл өстүрүүчү ысык зоналар үчүн графит чыгымдалуучу материалдардан (жылыткычтар, тигель кабылдагычтары, изоляция), пластинаны кайра иштетүүчү жабдуулар үчүн жогорку тактыктагы графит компоненттерине чейин, мисалы, Epitaxy же MOCVD үчүн кремний карбид менен капталган графиттүү сезгичтерге чейин. Бул жерде биздин адистик графитибиз ишке кирет: изостатикалык графит аралаш жарым өткөргүч катмарларды өндүрүү үчүн негиз болуп саналат. Булар эпитаксия же MOCVD процесси деп аталган экстремалдык температурада "ысык зонада" түзүлөт. Реактордо пластиналар капталган айлануучу алып жүрүүчү кремний карбиди менен капталган изостатикалык графиттен турат. Бул абдан таза, бир тектүү графит гана каптоо процессинде жогорку талаптарга жооп берет.
Tал LED эпитаксиалдык пластинанын өсүшүнүн негизги принциби болуп саналат: тиешелүү температурага чейин ысытылган субстратта (негизинен сапфир, SiC жана Si) InGaAlP газ түрүндөгү материал белгилүү бир кристалл пленкасын өстүрүү үчүн көзөмөлгө алынган түрдө субстраттын бетине ташылат. Азыркы учурда, LED эпитаксиалдык пластинанын өсүү технологиясы, негизинен, органикалык металл химиялык буу катмарын кабыл алат.
LED эпитаксиалдык субстрат материалыжарым өткөргүчтүү жарык өнөр жайынын технологиялык өнүгүүсүнүн негизи болуп саналат. Ар кандай субстрат материалдары ар кандай LED эпитаксиалдык пластинанын өсүү технологиясын, чипти иштетүү технологиясын жана аппаратты таңгактоо технологиясын талап кылат. Субстраттык материалдар жарым өткөргүчтүү жарыктандыруу технологиясын өнүктүрүү жолун аныктайт.
LED эпитаксиалдык пластинка субстрат материалын тандоонун мүнөздөмөлөрү:
1. Эпитаксиалдык материал субстрат менен бирдей же окшош кристалл түзүмүнө ээ, кичинекей торчо туруктуу дал келбей, жакшы кристаллдуулук жана кемтик тыгыздыгы аз.
2. Жакшы интерфейс мүнөздөмөлөрү, эпитаксиалдык материалдардын ядросуна жана күчтүү адгезияга шарт түзөт
3. Бул жакшы химиялык туруктуулукка ээ жана эпитаксиалдык өсүү температурасында жана атмосферасында чирип, коррозияга оңой эмес.
4. Жакшы жылуулук аткаруу, анын ичинде жакшы жылуулук өткөрүмдүүлүк жана төмөнкү жылуулук дал келбөөчүлүк
5. Жакшы өткөрүмдүүлүк, жогорку жана төмөнкү түзүмгө 6, жакшы оптикалык аткаруу, ошондой эле жасалма аппарат тарабынан чыгарылган жарык субстрат аз сиңирүү болот.
7. Жакшы механикалык касиеттери жана жукартуу, жылмалоо жана кесүү, анын ичинде аппараттардын жеңил иштетүү
8. Төмөн баа.
9. Чоң өлчөм. Жалпысынан алганда, диаметри 2 дюймдан кем болбошу керек.
10. Кадимки формадагы субстратты алуу оңой (эгер башка атайын талаптар жок болсо), ал эми эпитаксиалдык жабдуулардын лоток тешигине окшош субстрат формасы эпитаксиалдык сапатка таасир эте тургандай, туура эмес куюлма токту түзүү оңой эмес.
11. Эпитаксиалдык сапатка таасир этпеген шартта, субстраттын иштетүү жөндөмдүүлүгү мүмкүн болушунча кийинки чип жана таңгактарды кайра иштетүүнүн талаптарына жооп бериши керек.
Субстрат тандоо бир эле учурда жогорудагы он бир аспектиге жооп берүү үчүн абдан кыйын. Ошондуктан, азыркы учурда, биз бир гана R & D жана ар кандай субстраттарда жарым өткөргүч жарык чыгаруучу түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн эпитаксиалдык өсүү технологиясын өзгөртүү жана аппаратты кайра иштетүү технологиясын тууралоо аркылуу ылайыкташа алабыз. Галлий нитридин изилдөө үчүн көптөгөн субстрат материалдары бар, бирок өндүрүш үчүн колдонула турган эки гана субстрат бар, атап айтканда, сапфир Al2O3 жана кремний карбидиSiC субстраттары.
Посттун убактысы: 28-февраль 2022-жыл