Жүргүзүүчү SiC субстраттарын акырындык менен массалык түрдө өндүрүү менен процесстин туруктуулугуна жана кайталанышына жогорку талаптар коюлат. Атап айтканда, кемчиликтерди көзөмөлдөө, мештеги жылуулук талаасынын кичине туураланышы же жылышы кристаллдык өзгөрүүлөргө же кемчиликтердин көбөйүшүнө алып келет. Кийинки мезгилде биз теорияны жана инженерияны өркүндөтүүдөн тышкары, "тез, узун жана жоон өсүү жана чоңоюу" кыйынчылыгына туш болушубуз керек, биз колдоо катары дагы өнүккөн жылуулук талаа материалдарына муктажбыз. Өркүндөтүлгөн материалдарды колдонуңуз, алдыңкы кристаллдарды өстүрүңүз.
Тигель материалдарын, мисалы, графит, порозия графит, тантал карбиди порошок ж. Мындан тышкары, кээ бир колдонууда, көзөнөктүү графиттин өткөргүчтүгү жетишсиз жана өткөрүмдүүлүктү жогорулатуу үчүн кошумча тешиктер керек. Жогорку өткөрүмдүүлүккө ээ көзөнөктүү графит кайра иштетүү, порошок чыгаруу, оюу жана башка кыйынчылыктарга туш болот.
КТБ SiC кристалл өстүрүүчү термикалык талаа материалынын жаңы муунун, тешиктүү тантал карбиди менен тааныштырат. Дүйнөлүк дебют.
Тантал карбидинин күчү жана катуулугу өтө жогору жана аны тешиктүү кылуу кыйынга турат. Чоң көзөнөктүүлүгү жана жогорку тазалыгы бар кеуектүү тантал карбидин жасоо чоң көйгөй. Hengpu Technology дүйнөнү жетектеп, 75% максималдуу көзөнөктүүлүгү менен чоң көзөнөктүү тантал карбидин чыгарды.
Газ фазасынын компоненттерин чыпкалоо, жергиликтүү температура градиентин жөнгө салуу, материалдын агымынын багыты, агып кетүүсүн көзөмөлдөө ж.б., колдонсо болот. Аны Hengpu Technology компаниясынан башка катуу тантал карбиди (компакт) же тантал карбиди каптоо менен колдонсо болот, агымдын ар кандай өткөрүмдүүлүгү менен жергиликтүү компоненттерди түзсө болот.
Кээ бир компоненттер кайра колдонулушу мүмкүн.
Посттун убактысы: 14-июль 2023-ж