Заманбап C, N, B жана башка кычкылсыз жогорку технологиялык отко чыдамдуу чийки зат, атмосфералык басымда агломерацияланган кремний карбиди кеңири, экономикалык, зымыры же отко чыдамдуу кум деп айтууга болот. Таза кремний карбиди түссүз тунук кристалл болуп саналат. Ошентип, кремний карбидинин материалдык түзүлүшү жана өзгөчөлүктөрү кандай?
Атмосфералык басым астында агломерацияланган кремний карбиди
Атмосфералык басымдагы кремний карбидинин материалдык түзүлүшү:
Өнөр жайда колдонулган атмосфералык басымдагы кремний карбиди аралашмалардын түрүнө жана мазмунуна жараша ачык сары, жашыл, көк жана кара түстө болуп, тазалыгы ар кандай жана ачыктыгы ар кандай. кремний карбид кристалл түзүлүшү алты сөз же алмаз түрүндөгү плутоний жана куб плутоний-Sic бөлүнөт. Плутоний-сик кристаллдык түзүлүштөгү көмүртек жана кремний атомдорунун тизилиши ар кандай болгондуктан, ар кандай деформацияларды түзөт жана деформациянын 70тен ашык түрү табылган. бета-SIC 2100 жогору альфа-SIC өзгөртөт. Кремний карбидинин өнөр жай процесси каршылык мешинде жогорку сапаттагы кварц күмү жана мунай коксу менен тазаланат. Такталган кремний карбид блоктору майдаланган, кислота-негиздик тазалоо, магниттик бөлүү, скрининг же сууну тандоо бөлүкчөлөрүнүн ар кандай көлөмүн өндүрүү үчүн.
Атмосфералык басымдагы кремний карбидинин материалдык мүнөздөмөлөрү:
Кремний карбиди жакшы химиялык туруктуулукка, жылуулук өткөрүмдүүлүккө, жылуулук кеңейүү коэффициентине, кийүүгө туруштук берүүгө ээ, андыктан абразивдүү колдонуудан тышкары, көптөгөн колдонуулар бар: Мисалы, кремний карбиди порошок турбинанын дөңгөлөктөрүнүн же цилиндр блогунун ички дубалына капталган. атайын жараян, эскирүү туруктуулугун жогорулатуу жана 1-2 эсеге өмүрүн узартууга болот. ысыкка чыдамдуу, кичинекей өлчөмү, жеңил, жогорку сорттогу отко чыдамдуу материалдардан жасалган жогорку күч, энергия натыйжалуулугу абдан жакшы. Төмөн сорттогу кремний карбиди (анын ичинде болжол менен 85% SiC) болотту даярдоо ылдамдыгын жогорулатуу жана болоттун сапатын жакшыртуу үчүн химиялык курамын оңой көзөмөлдөө үчүн эң сонун деоксидант болуп саналат. Мындан тышкары, атмосфера басымы агломерацияланган кремний карбиди да кремний көмүртек таякчаларынын электр бөлүктөрүн өндүрүүдө кеңири колдонулат.
Кремний карбиди абдан катуу. Морзе катуулугу 9,5, дүйнөдөгү катуу алмаздан (10) кийин экинчи орунда турат, жылуулук өткөргүчтүгү эң сонун жарым өткөргүч, жогорку температурада кычкылданууга туруштук бере алат. Кремний карбидинин 70тен кем эмес кристаллдык түрү бар. Плутоний-кремний карбиди 2000-ден жогору температурада пайда болгон жана алты бурчтуу кристаллдык түзүлүшкө ээ (вуртцитке окшош) таралган изомер. Атмосфералык басым астында агломерацияланган кремний карбиди
Жарым өткөргүч өнөр жайында кремний карбидин колдонуу
кремний карбид жарым өткөргүч өнөр чынжыр негизинен кремний карбиди жогорку таза порошок, бир кристалл субстрат, эпитаксиалдык баракты, күч компоненттерин, модулдук таңгактоо жана терминалдык колдонмолорду камтыйт.
1. Жалгыз кристалл субстрат Бир кристалл субстрат жарым өткөргүчтү колдоочу материал, өткөргүч материал жана эпитаксиалдык өсүү субстраты. Азыркы учурда, SiC монокристаллынын өсүү ыкмаларына физикалык буу өткөрүү ыкмасы (PVT ыкмасы), суюк фаза ыкмасы (LPE ыкмасы) жана жогорку температурадагы химиялык бууларды жайгаштыруу ыкмасы (HTCVD ыкмасы) кирет. Атмосфералык басым астында агломерацияланган кремний карбиди
2. Epitaxial барак кремний карбиди epitaxial барак, кремний карбид барак, кремний карбид субстрат үчүн белгилүү бир талаптар бар субстрат кристаллдай эле багыт менен бир кристалл тасмасы (эпитаксиалдык катмар). Практикалык колдонмолордо кең тилкелүү жарым өткөргүч түзүлүштөр дээрлик бардыгы эпитаксиалдык катмарда өндүрүлөт, ал эми кремний чипинин өзү гана субстрат катары колдонулат, анын ичинде GaN эпитаксиалдык катмарынын субстраты.
3. Жогорку тазалыктагы кремний карбиди порошок Жогорку тазалыктагы кремний карбиди порошок кремний карбид бир кристалл PVT ыкмасы менен өсүшү үчүн чийки зат болуп саналат, жана продукттун тазалыгы түздөн-түз кремний карбид бир кристалл өсүү сапатын жана электр мүнөздөмөлөрүн таасир этет.
4. Кубаттуу аппарат жогорку температура, жогорку жыштык жана жогорку натыйжалуулугун мүнөздөмөлөрү бар кремний карбид материалдан жасалган кенен тилкелүү күч болуп саналат. Аппараттын иштөө формасына ылайык, SiC электр менен жабдуучу түзүлүш негизинен электр диодун жана электрди өчүрүүчү түтүктү камтыйт.
5. Терминал Үчүнчү муундагы жарым өткөргүчтөрдү колдонууда кремний карбидинин жарым өткөргүчтөрү галий нитридинин жарым өткөргүчтөрүн толуктоочу артыкчылыкка ээ. SiC түзүлүштөрүнүн жогорку конверсиялык эффективдүүлүгүнөн, аз жылытуу өзгөчөлүктөрүнөн, жеңилдигинен жана башка артыкчылыктарынан улам ылдыйкы агымдагы өнөр жайдын суроо-талаптары өсүүдө жана SiO2 түзүлүштөрүн алмаштыруу тенденциясы байкалууда.
Посттун убактысы: 16-июнь-2023