Paqijiya toza SiC dê rasterast bandorê li kalîte û performansa yekkrîstala SiC bike ku bi rêbaza PVT hatî mezin kirin, û madeyên xav ên ji bo amadekirina toza SiC toza Si-ya bilind û paqijiya C-ya bilind in, û paqijiya toza C dê rasterast bandorê li ser paqijiya toza SiC.
Materyalên xav ên ku di hilberîna toner de têne bikar anîn bi gelemperî grafît felq, kokek neftê û mîkrokek kevirê mîkrokrîstal hene. Paqijiya grafîtê çiqasî bilindtir be, nirxa bikaranînê jî bilindtir e. Rêbazên paqijkirina grafît dikare di nav rêbazên fîzîkî û rêbazên kîmyewî de bêne dabeş kirin. Rêbazên paqijkirina laşî di nav xwe de flotasyon û paqijkirina germahiya bilind, û rêbazên paqijkirina kîmyewî rêbaza asîd-base, rêbaza asîda hîdrofluorîk û rêbaza roastkirina klorîdê vedihewîne. Di nav wan de, rêbaza paqijkirina germahiya bilind dikare xala helînê ya bilind (3773K) û xala kelandinê ya grafît bikar bîne da ku bigihîje 4N5 û paqijiya bilindtir, ku tê de evaporkirin û belavkirina nepakiyên bi xala kelandî ya nizm re têkildar e, da ku bigihîje armanca paqijkirin [6]. Teknolojiya sereke ya tonera paqijiya bilind rakirina nepakiyên şopê ye. Bi taybetmendiyên paqijkirina kîmyewî û paqijkirina germahiya bilind re, pêvajoyek paqijkirina termokîmyayî ya germahiya bilind a pêkhatî ya yekane tête pejirandin da ku bigihîje paqijkirina materyalên toner ên paqijiya bilind, û paqijiya hilberê dikare ji 6N zêdetir be.
Performansa hilberê û taybetmendiyên:
1, paqijiya hilberê≥99.9999% (6N);
2, îstîqrara toza karbonê ya paqijiya bilind, pileya bilind a grafîtîkirinê, kêm nepakî;
3, granularity û celeb dikare li gorî bikarhêneran were xweş kirin.
Bikaranîna sereke ya hilberê:
■ Senteza toza SiC ya paqijiya bilind û materyalên din ên karbîdê sentetîk ên qonaxa hişk
■ Elmas mezin bikin
■ Ji bo hilberên elektronîkî materyalên germî yên nû
■ Madeya katodê ya batarya lîtiumê ya bilind-end
■ Pêkhateyên metalên hêja jî madeyên xav in
