Silicon Carbide Wafer Disc hêmanek bingehîn e ku di pêvajoyên cûda yên çêkirina nîvconductor de tê bikar anîn. em teknolojiya xweya patentkirî bikar tînin da ku dîska silicon carbide ewletir bikin bi paqijiya pir zêde, yekrengiya pêlavê ya baş û jiyanek karûbarê hêja, û her weha berxwedana kîmyewî ya bilind û taybetmendiyên aramiya germî.
VET Energy hilberînerê rastîn ê hilberên grafît û silicon carbide yên xwerû ye ku bi pêlên cihêreng ên mîna SiC, TaC, karbona pirolîtîk, karbonê-şûşe, hwd., dikare ji bo pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîk perçeyên xwerû yên cihêreng peyda bike. Tîma meya teknîkî ji saziyên lêkolînê yên navxweyî yên top tê, dikare ji we re çareseriyên madî yên profesyoneltir peyda bike.
Em bi domdarî pêvajoyên pêşkeftî pêşdixînin da ku materyalên pêşkeftî peyda bikin, û teknolojiyek patentkirî ya bêkêmasî xebitandine, ku dikare girêdana di navbera xêz û substratê de hişktir bike û ji veqetandinê kêmtir bike.
Ftaybetmendiyên hilberên me:
1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind heya 1700℃.
2. Paqijiya bilind ûyekrengiya germî
3. Berxwedana korozyonê ya hêja: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.
4. Serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.
5. Jiyana karûbarê dirêjtir û bêtir domdar
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Taybetmendiyên fizîkî yên bingehîn ên CVD SiCrû | |
| 性质 / Taybetmendî | 典型数值 / Nirxa Tîpîkî |
| 晶体结构 / Structure Crystal | Qonaxa β FCC多晶，主要为（111). |
| 密度 / Density | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Serhişkî | 2500 维氏硬度 (500g bar) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Paqijiya Kîmyewî | 99.99995% |
| 热容 / Kapasîteya germê | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Germahiya Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Hêza Flexural | 415 MPa RT 4-xala |
| 杨氏模量 / Modula Ciwan | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Berfirehkirina Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Bi germî xêrhatina we dikin ku hûn biçin kargeha me, werin em bêtir nîqaş bikin!
