SiC grafît xêzkirina MOCVD hilgirên Wafer, Susceptors Graphite ji boSiC Epitaxy,
Karbon susceptors peyda dike, Girîngên epîtaksî yên grafîtê, Substratên piştgiriya Graphite, MOCVD Susceptor, SiC Epitaxy, Wafer Susceptors,

Feydeyên taybetî yên pêgirên me yên grafîtê yên pêçandî yên SiC di nav xwe de paqijiya zehf bilind, pêlava homojen û jiyanek karûbarê hêja heye. Ew di heman demê de xwedî berxwedana kîmyewî û taybetmendiyên aramiya germî jî ne.

Kişandina SiC ya substrata Grafîtê ya ji bo sepanên Semiconductor perçeyek bi paqijî û berxwedanek bilindtir li hember atmosfera oksîjenê çêdike.
CVD SiC an CVI SiC li Grafîta beşên sêwirana hêsan an tevlihev tê sepandin. Coating dikare di qalindiyên cihêreng û li parçeyên pir mezin de were sepandin.

Taybetmendî:
· Berxwedana şokê ya germî ya hêja
· Berxwedana şokê ya laşî ya hêja
· Berxwedana Kîmyewî ya Berbiçav
· Paqijiya Super Bilind
· Hebûna li Teşeya Tevlihevî
· Di bin Atmosfera Oxidizing de tê bikar anîn

Bikaranînî:

Taybetmendiyên Tîpîkî yên Madeya Grafîtê ya Bingeh:

Karbon susceptors peyda dikeû pêkhateyên grafît ji bo hemû reaktorên epitaxy niha. Portfoliyoya me ji bo yekîneyên sepandî û LPE susceptorên bermîlê, ji bo yekîneyên LPE, CSD, û Gemini susceptorên pancake, û ji bo yekîneyên serîlêdan û ASM susceptorên yek-wafer hene. Bi berhevkirina hevkariyên bihêz bi OEM-yên pêşeng, pisporiya materyal û zanîna çêkirinê, SGL. ji bo serîlêdana we sêwirana çêtirîn pêşkêşî dike.