Di sedsala 21-an de, bi pêşkeftina zanist û teknolojiyê re, agahdarî, enerjî, materyal, endezyariya biyolojîkî bûye çar stûnên pêşkeftina hilberîna civakî ya îroyîn, karbîd silicon ji ber taybetmendiyên kîmyewî yên domdar, guheztina germî ya bilind, rêjeya berfirehbûna germî piçûk, dendika piçûk, berxwedana cilê ya baş, serhişkiya bilind, hêza mekanîkî ya bilind, berxwedana korozyona kîmyewî û taybetmendiyên din, pêşkeftina bilez di warê materyalan de, Bi berfirehî di hêlînên topên seramîk, valves, materyalên nîvconductor, gyro, amûra pîvandinê, hewa û fezayê de tê bikar anîn. qadên din.
Seramîkên silicon carbide ji salên 1960-an vir ve hatine pêşve xistin. Berê, silicon carbide bi gelemperî di materyalên şînkirina mekanîkî û rezberan de dihat bikar anîn. Welatên li çaraliyê cîhanê girîngiyek mezin didin pîşesazkirina seramîkên pêşkeftî, û naha ew ne tenê bi amadekirina seramîkên kevneşopî yên karbîd ên silicon razî ye, hilberîna pargîdaniyên seramîkên teknolojîya bilind zûtir pêşve diçin, nemaze li welatên pêşkeftî. Di salên dawî de, seramîkên pir-qonaxê yên ku li ser seramîkên SIC-ê têne çêkirin yek li pey hev xuya dibin, hişk û hêza materyalên monomer çêtir dikin. Silicon carbide çar qadên serîlêdanê yên sereke, ango seramîkên fonksiyonel, materyalên rezber ên pêşkeftî, abrasive û madeyên xav ên metalurjîk.
Seramîkên karbîd ên silicon xwedan berxwedana guheztinê ya hêja ye
Seramîkên silicon carbide ev hilber hatiye lêkolîn û destnîşankirin. Berxwedana cilê ya seramîkên silicon carbide ev hilber bi 266 caran ji pola manganese re, bi qasî 1741 carî ji hesinê kromê yê bilind re wekhev e. Berxwedana kişandinê pir baş e. Ew dîsa jî dikare gelek pereyên me xilas bike. Seramîkên silicon carbide dikare bêtir ji deh salan bi berdewamî were bikar anîn.
Seramîkên silicon carbide xwedan hêza bilind, serhişkiya bilind û giraniya sivik in
Wekî celebek nû ya materyalê, karanîna seramîkên karbîd ên silicon hêza vê hilberê pir zêde ye, hişkiya bilind, giranî jî pir sivik e, seramîkên karbîd ên silicon ên di karanîna wan de, sazkirin û guheztina jorîn dê hêsantir be.
Dîwarê hundurê seramîka karbîdê silicon nerm e û tozê asteng nake
Seramîkên karbîd ên silicon ev hilber piştî germahiya bilind tê şewitandin, ji ber vê yekê strukturên seramîkên karbîd ên silicon bi rêkûpêk zexm e, rûerdê xweş e, bedewiya karanînê dê çêtir be, ji ber vê yekê di malbatê de tê bikar anîn, bedewî dê çêtir be.
Mesrefa seramîkên silicon carbide kêm e
Mesrefa çêkirina seramîkên karbîd silicon bixwe bi nisbeten kêmtir e, ji ber vê yekê em ne hewce ne ku bihayê seramîkên karbîd silicon pir zêde bikirin, ji ber vê yekê ji bo malbata me, lê di heman demê de dikare gelek drav jî xilas bike.
Serîlêdana seramîk a silicon carbide:
Silicon carbide ball seramîk
Topa seramîk a karbîd a silicon xwedan taybetmendiyên mekanîkî yên hêja, berxwedana oksîdasyonê ya hêja, berxwedana ziravbûnê ya bilind û hevrêziya kêşanê ya kêm e. Hêza germahiya bilind a topa seramîk a silicon carbide, maddeya seramîk a asayî di 1200 ~ 1400 pileya Celsius de hêza wê bi girîngî kêm bibe, û karbîda silicon di 1400 dereceya Celsius de hêza berzbûnê hîn jî di astek bilindtir a 500 ~ 600MPa de tê domandin, ji ber vê yekê germahiya xebata wê dikare bigihîje 1600 ~ 1700 derece Celsius.
Materyalên pêkhatî yên silicon carbide
Pêkhateyên matrixê yên karbîd ên silicon (SiC-CMC) ji ber hişkiya wan a bilind, hêza bilind û berxwedana oksîdasyonê ya hêja, bi berfirehî di warê hewayê de ji bo strukturên germahiya wan ên germî yên bilind têne bikar anîn. Pêvajoya amadekirina SiC-CMC pêşdibistana fîberê, dermankirina germahiya bilind, pêlava mezofazê, dendika matrixê û piştî-dermankirinê pêk tîne. Fîbera karbonê ya bi hêza bilind xwedan hêzek bilind û hişkiya baş e, û laşê çêkirî ku pê re hatî çêkirin xwedan taybetmendiyên mekanîkî yên baş e.
Kişandina mezofazê (ango teknolojiya pêwendiyê) teknolojiya sereke ye di pêvajoya amadekirinê de, amadekirina rêbazên pêvekirina mezofazê osmoza vapora kîmyewî (CVI), hilweşandina buhara kîmyewî (CVD), rêbaza sol-sol (Sol-gcl), polîmer hene. Rêbaza şkandina îmregnasyonê (PLP), ya herî maqûl ji bo amadekirina pêkhateyên matrixê yên silicon carbide rêbaza CVI û rêbaza PIP in.
Materyalên pêvekirina navrûyê karbona pirolîtîk, nîtrîd boron û karbîd boron di nav de hene, ku di nav wan de karbîda boron wekî celebek pêlava navberê ya berxwedana oksîdasyonê her ku diçe bêtir bal tê kişandin. SiC-CMC, ku bi gelemperî di şert û mercên oksîdasyonê de ji bo demek dirêj ve tê bikar anîn, di heman demê de pêdivî ye ku dermankirina berxwedana oksîdasyonê jî derbas bike, ango, qatek ji karbîda siliconê ya zirav bi qalindahiya 100μm bi pêvajoya CVD ve li ser rûyê hilberê tê razandin. ji bo baştirkirina berxwedana oxidation-germahiya wê ya bilind.
Dema şandinê: Feb-14-2023