Nûçe

Cureyên Graphite Taybet
by admin on 24-06-17
Grafîta taybetî materyalek grafîtê ya paqijî, dendika bilind û hêza bilind e û xwedan berxwedana korozyonê ya hêja, aramiya germahiya bilind û guheztina elektrîkê ya mezin e. Ew ji grafîta xwezayî an çêkirî piştî dermankirina germahiya bilind û pêvajoyek tansiyona bilind tête çêkirin ...
Zêdetir bixwînin
Analîza alavên depokirina fîlima zirav - prensîb û sepanên alavên PECVD / LPCVD / ALD
by admin on 24-06-12
Rakirina fîlima nazik ew e ku qatek fîlimê li ser maddeya bingehîn a nîvconduktorê bipêçe. Ev fîlim dikare ji cûrbecûr materyalan were çêkirin, wek îzolekirina dîoksîta silicon, nîvconductor polysilicon, sifir metal û hwd. Amûrên ku ji bo xêzkirinê têne bikar anîn jê re tê gotin depokirina fîlima nazik...
Zêdetir bixwînin
Materyalên girîng ên ku kalîteya mezinbûna silicon monocrystalline diyar dikin - qada germî
by admin on 24-06-12
Pêvajoya mezinbûna silicona monokrîstalîn bi tevahî di qada germî de pêk tê. Zeviyek germî ya baş ji bo baştirkirina kalîteya krîstalan guncan e û xwedan karîgeriyek krîstalîzasyonek bilind e. Sêwirana zeviya termal bi piranî guheztinên pileyên germahiyê diyar dike ...
Zêdetir bixwînin
Zehmetiyên teknîkî yên firna mezinbûna krîstal a silicon carbide çi ne?
by admin on 24-06-07
Fira mezinbûna krîstal amûra bingehîn e ji bo mezinbûna krîstalê karbîdê silicon. Ew dişibihe firna mezinbûna krîstal a pola silicon a krîstal a kevneşopî ye. Avahiya firnê ne pir tevlihev e. Ew bi piranî ji laşê firnê, pergala germkirinê, mekanîzmaya veguheztina kulikê pêk tê ...
Zêdetir bixwînin
Kêmasiyên tebeqeya epîtaksial a silicon carbide çi ne
by admin on 24-06-05
Teknolojiya bingehîn ji bo mezinbûna materyalên epîtaksial ên SiC yekem teknolojiya kontrolkirina kêmasiyê ye, nemaze ji bo teknolojiya kontrolkirina kêmasiyê ya ku ji têkçûna cîhazê an hilweşîna pêbaweriyê re têkildar e. Lêkolîna mekanîzmaya kêmasiyên substratê ku di nav epi ...
Zêdetir bixwînin
Teknolojiya mezinbûna gewherê oksîdî û mezinbûna epîtaksial-Ⅱ
ji aliyê admin 24-05-30
2. Mezinbûna fîlima tenik a epitaksial Substrat ji bo cîhazên hêza Ga2O3 qatek piştgirîya laşî an jî tebeqeya rêkûpêk peyda dike. Tebeqeya girîng a din qata kanalê an qata epîtaksial e ku ji bo berxwedana voltajê û veguheztina hilgirê tê bikar anîn. Ji bo zêdekirina voltaja veqetînê û kêmkirina tansiyona...
Zêdetir bixwînin
Teknolojiya mezinbûna oksîtê ya galium yek krîstal û epitaxial
ji aliyê admin 24-05-30
Nîvconduktorên bandgap (WBG) yên ku ji hêla silicon carbide (SiC) û galium nitride (GaN) ve têne temsîl kirin, bala berfireh kişandine. Mirov ji bo perspektîfên serîlêdana karbîdê silicon di wesayîtên elektrîkê û torên elektrîkê de, û her weha perspektîfên serîlêdana galiumê de hêviyên mezin hene ...
Zêdetir bixwînin
Astengên teknîkî yên ji bo karbîd silicon çi ne?Ⅱ
ji hêla admin 24-05-22
Zehmetiyên teknîkî yên di hilberandina girseyî ya bi îstîqrar de waferên karbîd ên sîlîkonê yên qalîteya bilind û bi performansa domdar ev in: 1) Ji ber ku krîstal hewce dike ku li hawîrdorek bi germahiya bilind a li jor 2000°C mezin bibin, hewcedariyên kontrolkirina germahiyê pir zêde ne; 2) Ji ber ku karbîd silicon heye ...
Zêdetir bixwînin
Astengên teknîkî yên ji bo karbîd silicon çi ne?
ji hêla admin 24-05-22
Nifşa yekem a materyalên nîvconductor ji hêla silicon kevneşopî (Si) û germanium (Ge) ve têne temsîl kirin, ku bingehek ji bo hilberîna çerxa yekbûyî ne. Ew bi berfirehî di transîstor û detektorên voltaja nizm, frekansa kêm, û kêm-hêza de têne bikar anîn. Zêdetirî 90% hilberîna nîvconductor ...
Zêdetir bixwînin