Nûçe

Kêmasiyên tebeqeya epîtaksial a silicon carbide çi ne
by admin on 24-06-05
Teknolojiya bingehîn ji bo mezinbûna materyalên epîtaksial ên SiC yekem teknolojiya kontrolkirina kêmasiyê ye, nemaze ji bo teknolojiya kontrolkirina kêmasiyê ya ku ji têkçûna cîhazê an hilweşîna pêbaweriyê re têkildar e. Lêkolîna mekanîzmaya kêmasiyên substratê ku di nav epi ...
Zêdetir bixwînin
Teknolojiya mezinbûna gewherê oksîdî û mezinbûna epîtaksial-Ⅱ
ji aliyê admin 24-05-30
2. Mezinbûna fîlima tenik a epitaksial Substrat ji bo cîhazên hêza Ga2O3 qatek piştgirîya laşî an jî tebeqeya rêkûpêk peyda dike. Tebeqeya girîng a din qata kanalê an qata epîtaksial e ku ji bo berxwedana voltajê û veguheztina hilgirê tê bikar anîn. Ji bo zêdekirina voltaja veqetînê û kêmkirina tansiyona...
Zêdetir bixwînin
Teknolojiya mezinbûna oksîtê ya galium yek krîstal û epitaxial
ji aliyê admin 24-05-30
Nîvconduktorên bandgap (WBG) yên ku ji hêla silicon carbide (SiC) û galium nitride (GaN) ve têne temsîl kirin, bala berfireh kişandine. Mirov ji bo perspektîfên serîlêdana karbîdê silicon di wesayîtên elektrîkê û torên elektrîkê de, û her weha perspektîfên serîlêdana galiumê de hêviyên mezin hene ...
Zêdetir bixwînin
Astengên teknîkî yên ji bo karbîd silicon çi ne?Ⅱ
ji hêla admin 24-05-22
Zehmetiyên teknîkî yên di hilberandina girseyî ya bi îstîqrar de waferên karbîd ên sîlîkonê yên qalîteya bilind û bi performansa domdar ev in: 1) Ji ber ku krîstal hewce dike ku li hawîrdorek bi germahiya bilind a li jor 2000°C mezin bibin, hewcedariyên kontrolkirina germahiyê pir zêde ne; 2) Ji ber ku karbîd silicon heye ...
Zêdetir bixwînin
Astengên teknîkî yên ji bo karbîdê silicon çi ne?
ji hêla admin 24-05-22
Nifşa yekem a materyalên nîvconductor ji hêla silicon kevneşopî (Si) û germanium (Ge) ve têne temsîl kirin, ku bingehek ji bo hilberîna çerxa yekbûyî ne. Ew bi berfirehî di transîstor û detektorên voltaja nizm, frekansa kêm, û kêm-hêza de têne bikar anîn. Zêdetirî 90% hilberîna nîvconductor ...
Zêdetir bixwînin
Toza mîkro ya SiC çawa tê çêkirin?
ji hêla admin 24-05-13
SiC yek krîstal materyalek koma IV-IV ya nîvconduktorê ye ku ji du hêmanan, Si û C, bi rêjeya stoichiometric 1:1 pêk tê. Zehmetiya wê piştî elmasê duyemîn e. Kêmkirina karbonê ya rêbaza oxide silicon ji bo amadekirina SiC bi piranî li ser bingeha formula reaksiyona kîmyewî ya jêrîn e ...
Zêdetir bixwînin
Tebeqên epîtaksial çawa alîkariya amûrên nîvconductor dikin?
ji hêla admin 24-05-13
Destpêka navê wafera epitaksial Pêşîn, werin em têgehek piçûk populer bikin: amadekirina wafer du girêdanên sereke dihewîne: amadekirina substratê û pêvajoya epitaxial. Substrat waferek e ku ji materyalê yek krîstal nîvconductor hatî çêkirin. Substrat dikare rasterast têkeve nav hilberîna waferê ...
Zêdetir bixwînin
Danasîna teknolojiya depokirina fîlima zirav (CVD) ya hilanîna vapora kîmyewî
by admin on 24-05-06
Depokirina Vapora Kîmyewî (CVD) teknolojiyek depokirina fîlima nazik a girîng e, ku pir caran ji bo amadekirina fîlimên fonksiyonel ên cihêreng û materyalên tenik-tenik tê bikar anîn, û bi berfirehî di hilberîna nîvconductor û qadên din de tê bikar anîn. 1. Prensîba xebatê ya CVD Di pêvajoya CVD de, pêşekek gazê (yek an ...
Zêdetir bixwînin
Sira "zêrê reş" li pişt pîşesaziya nîvconduktorê fotovoltaîk: xwestek û girêdayîbûna bi grafît îsostatîkî
by admin on 24-05-06
Grafîta îsostatîk di fotovoltaîk û nîvconduktoran de materyalek pir girîng e. Bi zêdebûna bilez a pargîdaniyên grafîtê îsostatîkî yên navxweyî re, yekdestdariya pargîdaniyên biyanî li Chinaînê hate şikandin. Bi lêkolîn û pêşkeftina serbixwe ya domdar û pêşkeftinên teknolojîk, ...
Zêdetir bixwînin