Silicon carbide (SiC) celebek materyalê seramîk e ku bi potansiyela serîlêdanê ya berfireh heye, ku xwedan guheztina germî ya hêja, aramiya kîmyewî û berxwedana germahiya bilind e.Ji bo baştirkirina performans û rêza serîlêdana karbîd silicon, teknolojiya depokirina vapora kîmyewî (CVD) bûye rêbazek girîng ji bo amadekirina pêlava karbîdê silicon.
Pîvana CVD-a karbîd a silicon dikare li ser cûrbecûr substrat pileyek parastinê ya yekreng û zexm çêbike, û xwedan cûrbecûr taybetmendiyên hêja ye.Pêşîn, pêlava karbîd a silicon xwedan serhişkî û berxwedana liberxwedanek pir zêde ye, ku dikare bi bandor li ber cil û şînbûnê berxwe bide û jêrzemînê ji cil û berg û korozyonê biparêze.Ya duyemîn, pêlava karbîdê silicon xwedan berxwedana germahiya bilind a hêja ye û hîn jî dikare di bin hawîrdora germahiya bilind de hêza mekanîkî ya bilind û aramiya kîmyewî biparêze.Ev dihêle ku pêlava silicon carbide CVD bi berfirehî di qada hewa, enerjî, kîmyewî û warên din de, wek mînak ji bo xêzkirina dîwarê hundurê odeya şewitandinê, senzorên gazê yên germahiya bilind û amûrên elektronîkî yên germahiya bilind were bikar anîn.
Digel vê yekê, pêlava karbîd a silicon jî xwedan guheztina germî û taybetmendiyên insulasyona elektrîkê ya hêja ye.Germbûna germî behsa kapasîteya materyalê dike ku germahiyê bi rê ve bibe, û guheztina germî ya bilind a pêlên CVD-karbîdê silicon wan ji bo serîlêdanên rêveberiya germahiyê îdeal dike, wek mînak ji bo radyator û lûleyên germê.Insulasyona elektrîkê ji performansa îzalasyonê ya materyalê re li ser heyî vedibêje, û însulasyona elektrîkî ya baş a pêlava karbîd a silicon dihêle ku ew bi berfirehî di amûrên elektronîkî de, wekî qata insulasyona voltaja bilind û pakkirina elektronîkî, were bikar anîn.
Dema ku pêlên CVD-ya silicon carbide amade dikin, gazên pêşîn ên hevpar çavkaniyên silicon û çavkaniyên karbonê yên wekî metan û silane hene.Van gazan bi berteka CVD li ser rûyê substratê tebeqek tenik ji karbîd silicon çêdikin.Bi eyarkirina şert û mercên reaksiyonê, wekî germahî, zexta hewayê û herikîna gazê, qalindî, morfolojî û taybetmendiyên xêzkirinê dikare were kontrol kirin.
Bi kurtasî, pêlava CVD-karbîd a silicon xwedan hejmarek taybetmendiyên çêtir e, di nav de hişkbûna bilind, berxwedana cilê, berxwedana germahiya bilind, guheztina germî û însulasyona elektrîkê.Van taybetmendiyan dike ku pêlavên karbîd ên silicon di gelek waran de, di nav de hewa, enerjî, kîmyewî û elektronîk, di gelek waran de sepanên berfireh hene.Bi pêşkeftin û başkirina domdar a teknolojiya CVD re, performansa pêlava karbîd a silicon dê bêtir çêtir bibe, ji bo bêtir sepanan di warên din de bêtir îmkan peyda dike.
Dema şandinê: Dec-18-2023