Germkirina grafîtê ya SIC-ya dirêj-ji bo MOCVD K465i, Germê Grafîtê ji bo epitaxy,
Germkirina grafîtê ya pêçandî ji bo MOCVD, Germkirina grafîtê, Germkar, Germê Grafîtê pêgirtî,
Ji bo MOCVD K465i Germkirina Grafîtê ya SIC-ya dirêj-jiyana
Parçeyên germkerê grafît di firna germahiya bilind de bi germahiya ku di hawîrdora valahiya 2200 derece û di hawîrdora gazê ya deoksîdankirî û têxe 3000 derece de tê bikar anîn.
Taybetmendiyên sereke yên germkirina grafît:
1. yekrengiya avahiya germkirinê.
2. veguhestina elektrîkê ya baş û barkirina elektrîkê ya bilind.
3. berxwedana korozyonê.
4. inoxidizability.
5. paqijiya kîmyewî ya bilind.
6. hêza mekanîk bilind.
Avantaja enerjiyê, nirxa bilind û xwedîkirina kêm e.
Em dikarin antî-oksîdasyon û kelûmelê grafît, qalibê grafît û hemî beşên germkerê grafît hilberînin.
Parametreyên sereke yên germkerê grafît:
Specification Teknîkî | VET-M3 |
Kûrahiya gir (g/cm3) | ≥1.85 |
Naveroka Ash (PPM) | ≤500 |
Shore Hardness | ≥45 |
Berxwedana Taybet (μ.Ω.m) | ≤12 |
Hêza Flexural (Mpa) | ≥40 |
Hêza Pêkêşî (Mpa) | ≥70 |
Max. Mezinahiya genim (μm) | ≤43 |
Rêjeya Berfirehbûna Termal Mm/°C | ≤4.4*10-6 |
Germê grafîtê ji bo sobeya elektrîkê xwedan taybetmendiyên berxwedana germê, berxwedana oksîdasyonê, guheztina elektrîkê ya baş û xurtbûna mekanîkî ya çêtir e. Em dikarin li gorî sêwiranên xerîdar cûrbecûr germkerên grafît çêkin.