Pêdiviyên pîşesaziya nîvconductor ya hewcedariyên materyalê grafît bi taybetî pir zêde ne, mezinahiya perçeya xweşik a grafît xwedan rastbûnek bilind, berxwedana germahiya bilind, hêza bilind, windabûna piçûk û avantajên din e, wek: qalibê hilberên grafîtê ziravkirî.Ji ber ku amûrên grafîtê yên ku di pîşesaziya nîvconductor de têne bikar anîn (di nav de germker û mirinên wan ên ziravkirî) hewce ne ku li hember pêvajoyên germkirinê û sarbûnê yên dubare bisekinin, ji bo dirêjkirina jiyana karûbarê alavên grafît, bi gelemperî pêdivî ye ku materyalên grafîtê yên ku têne bikar anîn xwedî performansa aram bin. û fonksiyona bandorê ya berxwedanê ya germê.
01 Alavên grafîtê ji bo mezinbûna krîstalên nîvconductor
Hemî pêvajoyên ku ji bo mezinbûna krîstalên nîvconductor têne bikar anîn di bin germahiya bilind û hawîrdora korozîf de dixebitin. Devera germ a firna mezinbûna krîstal bi gelemperî bi hêmanên grafît-paqijiya bilind-berxwedêr û berxwedêr-berxwedêr ên grafîtê, wek germker, xaç, silindirê îzolasyonê, silindirê rêber, elektrod, xwedêgiravî, gwîza elektrodê, hwd.
Em dikarin hemî beşên grafîtê yên amûrên hilberîna krîstal çêbikin, ku dikarin li gorî hewcedariyên xerîdar bi rengek ferdî an di nav koman de bêne peyda kirin, an jî parçeyên grafît ên bi pîvanên cihêreng têne peyda kirin. Mezinahiya hilberan dikare li ser malperê were pîvandin, û naveroka ax a hilberên qedandî dikare kêmtir beji 5 ppm.
02 Kevirên grafîtê ji bo epîtaksiya nîvconductor
Pêvajoya epitaxial mezinbûna qatek ji materyalê yek krîstal bi heman aranjêra tîrêjê wekî substratê li ser substrata yek krîstal vedibêje. Di pêvajoya epitaxial de, wafer li ser dîska grafît tê barkirin. Performansa û qalîteya dîska grafît di qalîteya qata epîtaksial a waferê de rolek girîng dileyze. Di warê hilberîna epîtaksial de, gelek grafîta paqijiya ultra-bilind û bingeha grafîtê ya paqijiya bilind bi pêlava SIC re hewce ne.
Bingeha grafîtê ya pargîdaniya me ji bo epîtaksiya nîvconductor xwedan cûrbecûr sepanan e, dikare bi piraniya alavên ku di pîşesaziyê de têne bikar anîn hevûdu bike, û xwedan paqijiya bilind, pêçek yekgirtî, jiyana karûbarê hêja, û berxwedana kîmyewî û aramiya germî ya bilind e.
03 Amûrên grafîtê yên ji bo vegirtina îyonê
Implantasyona îyonê pêvajoyek bilezkirina tîrêjê plazmaya bor, fosfor û arsenîk berbi hin enerjiyek diyarkirî ve vedibêje, û dûv re jî derzîlêdana wê di qata rûkala maddeya waferê de ji bo guheztina taybetmendiyên maddî yên qata rûkalê. Pêdivî ye ku pêkhateyên amûra îlonê ya îyonê ji materyalên paqij-paqijkirî yên bi berxwedana germê ya hêja, gihandina germahiyê, korozyona hindik a ku ji ber tîrêjê îyonê û naveroka nepaqijiya kêm pêk tê were çêkirin. Grafît-paqijiya bilind hewcedariyên serîlêdanê pêk tîne, û dikare ji bo lûleya firînê, qutiyên cûrbecûr, elektrod, pêlên elektrodê, kêşan, termînatorên tîrêjê, û hwd. yên alavên implantasyona ionê were bikar anîn.
Em ne tenê dikarin ji bo cûrbecûr makîneyên implantasyona îonê bergiriya grafîtê peyda bikin, lê di heman demê de elektrodên grafît û çavkaniyên îyonê yên paqij-paqijiya bilind jî bi berxwedana korozyona bilind a taybetmendiyên cihêreng peyda dikin. Modelên sepandin: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM û alavên din. Wekî din, em dikarin seramîk, tungsten, molîbden, hilberên aluminium û parçeyên pêçandî jî peyda bikin.
04 Materyalên insulasyona grafît û yên din
Materyalên îzolekirina germê yên ku di alavên hilberîna nîvconductor de têne bikar anîn tê de hestiyar a grafît, hestek nerm, pelika grafît, kaxeza grafît, û tîrêjê grafît hene.
Hemî madeyên xav ên me grafît têne derxistin, ku dikare li gorî pîvana taybetî ya daxwazên xerîdar were qut kirin an jî bi tevahî were firotin.
Tepsiya karbon-karbonê di pêvajoya hilberîna silicona monokrîstalîn a rojê û hucreyên siliconê polîkrîstalîn de wekî hilgirê ji bo kişandina fîlimê tê bikar anîn. Prensîba xebatê ev e: çîpê silicon têxin nav tepsiya CFC û wê bişînin nav lûleya firnê da ku pêvekirina fîlimê bişopînin.
