SIC 코팅이란 무엇입니까?

실리콘 카바이드규소와 탄소를 함유한 단단한 화합물로 자연에서 극히 희귀한 광물인 모이사나이트로 발견됩니다. 탄화규소 입자는 소결을 통해 서로 결합되어 매우 단단한 세라믹을 형성할 수 있으며, 이는 높은 내구성이 요구되는 응용 분야, 특히 반도체 공정에 널리 사용됩니다.

SiC의 물리적 구조

SiC 코팅은 내식성, 내열성이 높고 열전도율이 우수한 치밀하고 내마모성이 있는 탄화규소 코팅입니다. 이 고순도 SiC 코팅은 주로 반도체 및 전자 산업에서 부식성 및 반응성 환경으로부터 웨이퍼 캐리어, 베이스 및 가열 요소를 보호하는 데 사용됩니다. SiC 코팅은 고진공, 반응성 및 산소 환경에서 진공로 및 시료 가열에도 적합합니다.

고순도 SiC 코팅 표면

SiC 코팅 공정은 무엇입니까?

실리콘 카바이드의 얇은 층은 다음을 사용하여 기판 표면에 증착됩니다.CVD(화학 기상 증착). 증착은 일반적으로 1200~1300°C의 온도에서 수행되며 기판 재료의 열 팽창 동작은 열 응력을 최소화하기 위해 SiC 코팅과 호환되어야 합니다.

CVD SIC 필름 결정 구조

CVD SIC 코팅 필름 결정 구조

SiC 코팅의 물리적 특성은 주로 고온 저항성, 경도, 내식성 및 열전도율에 반영됩니다.

일반적인 물리적 매개변수는 일반적으로 다음과 같습니다.

경도: SiC 코팅은 일반적으로 2000-2500 HV 범위의 비커스 경도를 가지며, 이는 산업용 응용 분야에서 매우 높은 내마모성과 내충격성을 제공합니다.

밀도: SiC 코팅은 일반적으로 3.1-3.2 g/cm3의 밀도를 갖습니다. 높은 밀도는 코팅의 기계적 강도와 내구성에 기여합니다.

열전도율: SiC 코팅은 일반적으로 120-200 W/mK(20°C에서) 범위의 높은 열 전도성을 갖습니다. 이는 고온 환경에서 우수한 열 전도성을 제공하며 특히 반도체 산업의 열처리 장비에 적합합니다.

녹는점: 탄화규소는 녹는점이 약 2730°C로 극한의 온도에서 우수한 열 안정성을 가지고 있습니다.

열팽창 계수: SiC 코팅은 일반적으로 4.0~4.5 µm/mK(25~1000℃) 범위의 낮은 선형 열팽창 계수(CTE)를 갖습니다. 이는 큰 온도차에도 치수 안정성이 우수하다는 것을 의미합니다.

내식성: SiC 코팅은 강산, 알칼리 및 산화 환경에서 부식에 대한 저항력이 매우 뛰어나며, 특히 강산(예: HF 또는 HCl)을 사용할 때 부식 저항성은 기존 금속 재료의 부식 저항성을 훨씬 뛰어넘습니다.

SiC 코팅은 다음 재료에 적용될 수 있습니다.

고순도 등방성 흑연(낮은 CTE)
텅스텐
몰리브덴
실리콘 카바이드
실리콘 질화물
탄소-탄소 복합재(CFC)

SiC 코팅 제품은 일반적으로 다음 분야에서 사용됩니다.

LED 칩 생산
폴리실리콘 생산
반도체결정 성장
실리콘과SiC 에피택시
웨이퍼 열처리 및 에칭

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