TaC ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಪೈಪ್ ಜಂಟಿ ಉಂಗುರಗಳುಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರದಿಂದ ಕೂಡಿದೆ ಮತ್ತುTaC ಲೇಪನ. ಈ ರೀತಿಯ ಜಂಟಿ ಉಂಗುರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಪೈಪ್ಲೈನ್ ಸಂಪರ್ಕಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ, ತುಕ್ಕು ಮತ್ತು ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾದ ಸೀಲಿಂಗ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಜಂಟಿ ಉಂಗುರದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಪದರದಿಂದ ಲೇಪಿಸಲಾಗಿದೆಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನ. TaC ಲೇಪನವು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ, ಗಡಸುತನ ಮತ್ತು ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಜಂಟಿ ಉಂಗುರದ ಬಾಳಿಕೆ ಮತ್ತು ಸೀಲಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.
TaC ಲೇಪನವು ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಿಂದ ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಲಾದ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನವಾಗಿದೆ, ಇದು ಈ ಕೆಳಗಿನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
1. ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ: TaC ಲೇಪನದ ಗಡಸುತನವು ಹೆಚ್ಚು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 2500-3000HV ತಲುಪಬಹುದು, ಇದು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಗಟ್ಟಿಯಾದ ಲೇಪನವಾಗಿದೆ.
2. ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಧರಿಸಿ: TaC ಲೇಪನವು ತುಂಬಾ ಉಡುಗೆ-ನಿರೋಧಕವಾಗಿದೆ, ಇದು ಬಳಕೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಭಾಗಗಳ ಉಡುಗೆ ಮತ್ತು ಹಾನಿಯನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
3. ಉತ್ತಮ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧ: TaC ಲೇಪನವು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಅದರ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಸಹ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.
4. ಉತ್ತಮ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ: TaC ಲೇಪನವು ಉತ್ತಮ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಗಳು ಮತ್ತು ಬೇಸ್‌ಗಳಂತಹ ಅನೇಕ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಪ್ರತಿರೋಧಿಸುತ್ತದೆ.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 ನ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು TaC ಲೇಪನ | |
| 密度/ ಸಾಂದ್ರತೆ | 14.3 (g/cm³) |
| 比辐射率 / ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ | 0.3 |
| 热膨胀系数 / ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಗುಣಾಂಕ | 6.3 10-6/K |
| 努氏硬度/ ಗಡಸುತನ (HK) | 2000 HK |
| 电阻 / ಪ್ರತಿರೋಧ | 1×10-5 ಓಮ್ * ಸೆಂ |
| 热稳定性 / ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆ | <2500℃ |
| 石墨尺寸变化 / ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಗಾತ್ರ ಬದಲಾವಣೆಗಳು | -10~-20um |
| 涂层厚度 / ಲೇಪನ ದಪ್ಪ | ≥20um ವಿಶಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯ (35um±10um) |
ನಿಂಗ್ಬೋ ವಿಇಟಿ ಎನರ್ಜಿ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ ಸುಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ಮಾರಾಟ, ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್, ಮೇಲ್ಮೈ ಚಿಕಿತ್ಸೆ ಮತ್ತು ಮುಂತಾದವುಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುವ ಹೈಟೆಕ್ ಉದ್ಯಮವಾಗಿದೆ. ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ, ಅರೆವಾಹಕ, ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ, ಲೋಹಶಾಸ್ತ್ರ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ನಮ್ಮ ತಾಂತ್ರಿಕ ತಂಡವು ಉನ್ನತ ದೇಶೀಯ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಂಸ್ಥೆಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ, ನಿಮಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೃತ್ತಿಪರ ವಸ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು.
ನಮ್ಮ ಕಾರ್ಖಾನೆಗೆ ಭೇಟಿ ನೀಡಲು ನಿಮ್ಮನ್ನು ಹೃತ್ಪೂರ್ವಕವಾಗಿ ಸ್ವಾಗತಿಸಿ, ಮತ್ತಷ್ಟು ಚರ್ಚೆ ಮಾಡೋಣ!
