ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್

ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್

ಸಿಟ್ರೋನಿಕ್ ನಿಂದ

Aವೇಫರ್ಇದು ಸುಮಾರು 1 ಮಿಲಿಮೀಟರ್ ದಪ್ಪದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸ್ಲೈಸ್ ಆಗಿದ್ದು, ತಾಂತ್ರಿಕವಾಗಿ ಬಹಳ ಬೇಡಿಕೆಯಿರುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಧನ್ಯವಾದಗಳು ಇದು ಅತ್ಯಂತ ಸಮತಟ್ಟಾದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ನಂತರದ ಬಳಕೆಯು ಯಾವ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳೆಯುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಬೇಕೆಂದು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಝೋಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಕರಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪೆನ್ಸಿಲ್-ತೆಳುವಾದ ಬೀಜದ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಕರಗಿದ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನಲ್ಲಿ ಅದ್ದಿಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ ಬೀಜದ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ತಿರುಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಿಧಾನವಾಗಿ ಮೇಲಕ್ಕೆ ಎಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಬಹಳ ಭಾರವಾದ ಕೊಲೊಸಸ್, ಒಂದು ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್, ಫಲಿತಾಂಶಗಳು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಡೋಪಾಂಟ್‌ಗಳ ಸಣ್ಣ ಘಟಕಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್‌ನ ವಿದ್ಯುತ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಗ್ರಾಹಕರ ವಿಶೇಷಣಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಹೊಳಪು ಮತ್ತು ಚೂರುಗಳಾಗಿ ಕತ್ತರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿವಿಧ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಉತ್ಪಾದನಾ ಹಂತಗಳ ನಂತರ, ಗ್ರಾಹಕರು ವಿಶೇಷ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್‌ನಲ್ಲಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ ಬಿಲ್ಲೆಗಳನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತಾರೆ, ಇದು ಗ್ರಾಹಕರು ಬಳಸಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆವೇಫರ್ತಕ್ಷಣವೇ ಅದರ ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಲಿನಲ್ಲಿ.

ಇಂದು, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್‌ಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಭಾಗವನ್ನು ಝೊಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಪ್ರಕಾರ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೈಪರ್‌ಪ್ಯೂರ್ ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್‌ನಲ್ಲಿ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಹೈ-ಪ್ಯೂರಿಟಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಕರಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡೋಪಾಂಟ್ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ B, P, As, Sb) ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ. ತೆಳುವಾದ, ಏಕಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಬೀಜದ ಹರಳು ಕರಗಿದ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನಲ್ಲಿ ಅದ್ದಿಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ತೆಳುವಾದ ಸ್ಫಟಿಕದಿಂದ ದೊಡ್ಡ CZ ಸ್ಫಟಿಕವು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಕರಗಿದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹರಿವಿನ ನಿಖರವಾದ ನಿಯಂತ್ರಣ, ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ತಿರುಗುವಿಕೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಸ್ಫಟಿಕ ಎಳೆಯುವ ವೇಗವು ಅತ್ಯಂತ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಏಕಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಂಗೋಟ್‌ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.