1 ಇಂಗಾಲ/ಕಾರ್ಬನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನದ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮತ್ತು ಸಂಶೋಧನೆಯ ಪ್ರಗತಿ
1.1 ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮತ್ತು ಸಂಶೋಧನೆಯ ಪ್ರಗತಿ
ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ದಿಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಸಾಗಿಸುವ ಪಾತ್ರೆಯಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿದೆಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ, ಚಿತ್ರ 2 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ. ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ನ ಕೆಲಸದ ಉಷ್ಣತೆಯು ಸುಮಾರು 1450℃ ಆಗಿದೆ, ಇದು ಘನ ಸಿಲಿಕಾನ್ (ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್) ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯ ಎರಡು ಸವೆತಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ತೆಳುವಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ರಿಂಗ್ ಕ್ರ್ಯಾಕ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ , ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ನ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.
ಒಂದು ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಅನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿಯ ಪ್ರವೇಶ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಇನ್-ಸಿಟು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ (100~300μm), ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕೋಟಿಂಗ್ (10~20μm) ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಲೇಪನ (50~100μm) ಗಳಿಂದ ಸಂಯೋಜಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಇದು ಇಂಗಾಲ/ಕಾರ್ಬನ್ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಒಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯ ತುಕ್ಕುಗೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಪ್ರತಿಬಂಧಿಸುತ್ತದೆ. ಕ್ರೂಸಿಬಲ್. ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪಿತ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ನ ನಷ್ಟವು ಪ್ರತಿ ಕುಲುಮೆಗೆ 0.04 ಮಿಮೀ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಸೇವಾ ಜೀವನವು 180 ಕುಲುಮೆಯ ಸಮಯವನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು.
ಕೆಲವು ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಅನಿಲದ ರಕ್ಷಣೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಏಕರೂಪದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಂಶೋಧಕರು ರಾಸಾಯನಿಕ ಕ್ರಿಯೆಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿದರು, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಲೋಹವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಸಿಂಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ. ಕುಲುಮೆ. ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಚಿಕಿತ್ಸೆಯು sic ಲೇಪನದ ಶುದ್ಧತೆ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇಂಗಾಲದ / ಇಂಗಾಲದ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಮೇಲ್ಮೈಯ ಉಡುಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು SiO ಆವಿಯಿಂದ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಮೇಲ್ಮೈಯ ತುಕ್ಕು ತಡೆಯುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕುಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಬಾಷ್ಪಶೀಲ ಆಮ್ಲಜನಕ ಪರಮಾಣುಗಳು. ಸಿಕ್ ಲೇಪನವಿಲ್ಲದ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್‌ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ನ ಸೇವಾ ಜೀವನವು 20% ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ.
1.2 ಫ್ಲೋ ಗೈಡ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮತ್ತು ಸಂಶೋಧನೆಯ ಪ್ರಗತಿ
ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ ಸಿಲಿಂಡರ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಮೇಲೆ ಇದೆ (ಚಿತ್ರ 1 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ). ಸ್ಫಟಿಕ ಎಳೆಯುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಕ್ಷೇತ್ರದ ಒಳಗೆ ಮತ್ತು ಹೊರಗಿನ ನಡುವಿನ ತಾಪಮಾನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಕೆಳಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈ ಕರಗಿದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ, ತಾಪಮಾನವು ಅತ್ಯಧಿಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯಿಂದ ತುಕ್ಕು ಅತ್ಯಂತ ಗಂಭೀರವಾಗಿದೆ.
ಸಂಶೋಧಕರು ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ ಟ್ಯೂಬ್ ಆಂಟಿ-ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಲೇಪನ ಮತ್ತು ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನದ ಸರಳ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಮೊದಲಿಗೆ, ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವಿಸ್ಕರ್ ಪದರವನ್ನು ಸ್ಥಳದಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಸಲಾಯಿತು, ಮತ್ತು ನಂತರ ದಟ್ಟವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಹೊರ ಪದರವನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಯಿತು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ದಟ್ಟವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಪದರದ ನಡುವೆ SiCw ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಪದರವನ್ನು ರಚಿಸಲಾಯಿತು. , ಚಿತ್ರ 3 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ. ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆಯ ಗುಣಾಂಕವು ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ನಡುವೆ ಇತ್ತು. ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಗುಣಾಂಕದ ಅಸಾಮರಸ್ಯದಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಉಷ್ಣ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಇದು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
SiCw ವಿಷಯದ ಹೆಚ್ಚಳದೊಂದಿಗೆ, ಲೇಪನದಲ್ಲಿನ ಬಿರುಕುಗಳ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸಂಖ್ಯೆಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. 1100 ℃ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ 10h ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ನಂತರ, ಲೇಪನ ಮಾದರಿಯ ತೂಕ ನಷ್ಟ ದರವು ಕೇವಲ 0.87% ~ 8.87% ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನದ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಆಘಾತ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಸಂಪೂರ್ಣ ತಯಾರಿಕೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ನಿರಂತರವಾಗಿ ಪೂರ್ಣಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನದ ತಯಾರಿಕೆಯು ಹೆಚ್ಚು ಸರಳೀಕೃತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣ ನಳಿಕೆಯ ಸಮಗ್ರ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಬಲಪಡಿಸುತ್ತದೆ.
czohr ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗಾಗಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಗೈಡ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಬಲಪಡಿಸುವ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಲೇಪನದ ವಿಧಾನವನ್ನು ಸಂಶೋಧಕರು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರು. ಪಡೆದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಲರಿಯನ್ನು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಗೈಡ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಬ್ರಷ್ ಲೇಪನ ಅಥವಾ ಸ್ಪ್ರೇ ಲೇಪನ ವಿಧಾನದಿಂದ 30~50 μm ಲೇಪನ ದಪ್ಪದೊಂದಿಗೆ ಏಕರೂಪವಾಗಿ ಲೇಪಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಇನ್-ಸಿಟ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕುಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ತಾಪಮಾನ 1850~2300 ℃, ಮತ್ತು ಶಾಖ ಸಂರಕ್ಷಣೆ 2~6ಗಂ. SiC ಹೊರ ಪದರವನ್ನು 24 in (60.96 cm) ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕುಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ಬಳಕೆಯ ತಾಪಮಾನವು 1500 ℃, ಮತ್ತು 1500h ನಂತರ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಗೈಡ್ ಸಿಲಿಂಡರ್ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಬಿರುಕು ಮತ್ತು ಬೀಳುವ ಪುಡಿ ಇಲ್ಲ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. .
1.3 ನಿರೋಧನ ಸಿಲಿಂಡರ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮತ್ತು ಸಂಶೋಧನೆಯ ಪ್ರಗತಿ
ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ನ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿ, ಶಾಖದ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪರಿಸರದ ತಾಪಮಾನದ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಅನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ನಿರೋಧನ ಸಿಲಿಂಡರ್ ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಕುಲುಮೆಯ ಒಳಗಿನ ಗೋಡೆಯ ನಿರೋಧನ ಪದರದ ಪೋಷಕ ಭಾಗವಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯ ತುಕ್ಕು ಉತ್ಪನ್ನದ ಸ್ಲ್ಯಾಗ್ ಬೀಳುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಕ್ರ್ಯಾಕಿಂಗ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಉತ್ಪನ್ನದ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.
ಸಿ/ಸಿ-ಸಿಕ್ ಕಾಂಪೊಸಿಟ್ ಇನ್ಸುಲೇಶನ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು, ಸಂಶೋಧಕರು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿದ ಸಿ/ಸಿ-ಸಿಕ್ ಸಂಯೋಜಿತ ನಿರೋಧನ ಟ್ಯೂಬ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಕುಲುಮೆಗೆ ಹಾಕಿದರು ಮತ್ತು ದಟ್ಟವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿದರು. ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೂಲಕ ಸಿ/ಸಿ-ಸಿಕ್ ಸಂಯೋಜಿತ ನಿರೋಧನ ಟ್ಯೂಬ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯಿಂದ ಸಿ/ಸಿ-ಸಿಕ್ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಕೋರ್‌ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್‌ನ ಸವೆತವನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ತಡೆಯುತ್ತದೆ ಎಂದು ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ತೋರಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೊಸಿಟ್‌ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯು 5 ರಿಂದ 10 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ನಿರೋಧನ ಸಿಲಿಂಡರ್ನ ಸೇವೆಯ ಜೀವನ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪರಿಸರದ ಸುರಕ್ಷತೆಯು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸಿದೆ.
2. ತೀರ್ಮಾನ ಮತ್ತು ನಿರೀಕ್ಷೆ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಅದರ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ನಿರೋಧಕತೆಯಿಂದಾಗಿ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಹೆಚ್ಚು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಏಕಸ್ಫಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಇಂಗಾಲ/ಕಾರ್ಬನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಗಾತ್ರದೊಂದಿಗೆ, ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನದ ಏಕರೂಪತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಸುಧಾರಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಇಂಗಾಲ/ಕಾರ್ಬನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ಸೇವಾ ಜೀವನವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವುದು ತುರ್ತು ಸಮಸ್ಯೆಯಾಗಿದೆ. ಪರಿಹರಿಸಬೇಕು.
ಮತ್ತೊಂದೆಡೆ, ಏಕಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಉದ್ಯಮದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯೊಂದಿಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಥರ್ಮಲ್ ಫೀಲ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ಬೇಡಿಕೆಯೂ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಆಂತರಿಕ ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್‌ಗಳ ಮೇಲೆ SiC ನ್ಯಾನೊಫೈಬರ್‌ಗಳನ್ನು ಸಹ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಯೋಗಗಳ ಮೂಲಕ ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಲಾದ C/ C-ZRC ಮತ್ತು C/ C-sic ZrC ಸಂಯೋಜನೆಗಳ ಸಾಮೂಹಿಕ ಅಬ್ಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ರೇಖೀಯ ಅಬ್ಲೇಶನ್ ದರಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ -0.32 mg/s ಮತ್ತು 2.57 μm/s. C/ C-sic -ZrC ಸಂಯೋಜನೆಗಳ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿ ಮತ್ತು ರೇಖೆಯ ಅಬ್ಲೇಶನ್ ದರಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ -0.24mg/s ಮತ್ತು 1.66 μm/s. SiC ನ್ಯಾನೊಫೈಬರ್‌ಗಳೊಂದಿಗಿನ C/ C-ZRC ಸಂಯೋಜನೆಗಳು ಉತ್ತಮ ಅಬ್ಲೇಟಿವ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ನಂತರ, SiC ನ್ಯಾನೊಫೈಬರ್‌ಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ವಿವಿಧ ಇಂಗಾಲದ ಮೂಲಗಳ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಮತ್ತು C/ C-ZRC ಸಂಯೋಜನೆಗಳ ಅಬ್ಲೇಟಿವ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಬಲಪಡಿಸುವ SiC ನ್ಯಾನೊಫೈಬರ್‌ಗಳ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಒಂದು ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಅನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿಯ ಪ್ರವೇಶ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಇನ್-ಸಿಟು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ (100~300μm), ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕೋಟಿಂಗ್ (10~20μm) ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಲೇಪನ (50~100μm) ಗಳಿಂದ ಸಂಯೋಜಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಇದು ಇಂಗಾಲ/ಕಾರ್ಬನ್ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಒಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆವಿಯ ತುಕ್ಕುಗೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಪ್ರತಿಬಂಧಿಸುತ್ತದೆ. ಕ್ರೂಸಿಬಲ್. ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪಿತ ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ನ ನಷ್ಟವು ಪ್ರತಿ ಕುಲುಮೆಗೆ 0.04 ಮಿಮೀ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಸೇವಾ ಜೀವನವು 180 ಕುಲುಮೆಯ ಸಮಯವನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು.
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಫೆಬ್ರವರಿ-22-2024