ICP ಎಟ್ಚ್ ಕ್ಯಾರಿಯರ್

ICP Etch ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರ

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ವಿವರಣೆ:

ಮೂಲದ ಸ್ಥಳ:ಚೀನಾ

ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ:FCCβ ಹಂತ

ಸಾಂದ್ರತೆ:3.21 ಗ್ರಾಂ / ಸೆಂ;

ಗಡಸುತನ:2500 ವಿಕರ್ಸ್;

ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ:2~10μm;

ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ:99.99995%;

ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ:640J·kg-1·K-1;

ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ:2700℃;

ಫೆಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ:415 ಎಂಪಿಎ (ಆರ್ಟಿ 4-ಪಾಯಿಂಟ್);

ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್:430 Gpa (4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃);

ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE):4.5 10-6K-1;

ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ:300 (W/MK);

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ

ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿಯು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿವಿಡಿ ವಿಧಾನದಿಂದ SiC ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಇಂಗಾಲ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೊಂದಿರುವ ವಿಶೇಷ ಅನಿಲಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ SiC ಅಣುಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತವೆ, ಲೇಪಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಇರಿಸಲಾದ ಅಣುಗಳು, SIC ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದು.

ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು:

1. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ:

ತಾಪಮಾನವು 1600 ಸಿ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ : ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.

3. ಸವೆತ ಪ್ರತಿರೋಧ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.

4. ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.

CVD-SIC ಲೇಪನದ ಮುಖ್ಯ ವಿಶೇಷಣಗಳು

SiC-CVD ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ	FCC β ಹಂತ
ಸಾಂದ್ರತೆ	g/cm ³	3.21
ಗಡಸುತನ	ವಿಕರ್ಸ್ ಗಡಸುತನ	2500
ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ	μm	2~10
ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ	%	99.99995
ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	J·kg-1 ·K-1	640
ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ	℃	2700
ಫೆಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸ್ಟ್ರೆಂತ್	MPa (RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್)	415
ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್	Gpa (4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃)	430
ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE)	10-6K-1	4.5
ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ	(W/mK)	300