SiC coating/coated of Graphite substrate for Semiconductor,ថាសក្រាហ្វិចSic Graphiteអ្នកទទួល epitaxy,
កាបូនផ្គត់ផ្គង់ឧបករណ៍ទប់, EPITAXY និង MOCVD, អ្នកទទួល epitaxy, ថាសក្រាហ្វិច, Wafer Susceptors,

ថ្នាំកូត CVD-SiC មានលក្ខណៈនៃរចនាសម្ព័ន្ធឯកសណ្ឋាន សម្ភារៈបង្រួម ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ធន់នឹងអាស៊ីត និងអាល់កាឡាំង និងសារធាតុប្រតិកម្មសរីរាង្គ ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត និងគីមីមានស្ថេរភាព។

បើប្រៀបធៀបជាមួយវត្ថុធាតុក្រាហ្វិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ក្រាហ្វិចចាប់ផ្តើមកត់សុីនៅសីតុណ្ហភាព 400C ដែលនឹងបណ្តាលឱ្យបាត់បង់ម្សៅដោយសារតែការកត់សុី ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបំពុលបរិស្ថានដល់ឧបករណ៍បរិក្ខារបរិក្ខារ និងបន្ទប់បូមធូលី និងបង្កើនភាពមិនបរិសុទ្ធនៃបរិស្ថានដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។

ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ថ្នាំកូត SiC អាចរក្សាស្ថេរភាពរូបវន្ត និងគីមីនៅ 1600 ដឺក្រេ វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្មទំនើប ជាពិសេសនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor ។

ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងផ្តល់សេវាកម្មដំណើរការថ្នាំកូត SiC ដោយវិធីសាស្ត្រ CVD លើផ្ទៃក្រាហ្វិច សេរ៉ាមិច និងវត្ថុធាតុផ្សេងទៀត ដូច្នេះឧស្ម័នពិសេសដែលមានកាបូន និងស៊ីលីកុនមានប្រតិកម្មនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ដើម្បីទទួលបានម៉ូលេគុល SiC ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ម៉ូលេគុលដែលដាក់លើផ្ទៃនៃសម្ភារៈស្រោប។ បង្កើតស្រទាប់ការពារ SIC ។ SIC បានបង្កើតឡើងត្រូវបានភ្ជាប់យ៉ាងរឹងមាំទៅនឹងមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលផ្តល់ឱ្យមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចមានលក្ខណៈសម្បត្តិពិសេសដូច្នេះធ្វើឱ្យផ្ទៃក្រាហ្វិចបង្រួម, គ្មានភាពផុយស្រួយ, ធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់, ធន់ទ្រាំនឹងការ corrosion និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម។

លក្ខណៈសំខាន់ៗ៖

1. ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មសីតុណ្ហភាពខ្ពស់៖

ភាពធន់ទ្រាំអុកស៊ីតកម្មនៅតែល្អណាស់នៅពេលដែលសីតុណ្ហភាពឡើងដល់ 1700 C ។

2. ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់៖ ធ្វើឡើងដោយការទម្លាក់ចំហាយគីមីនៅក្រោមលក្ខខណ្ឌក្លរីនសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

3. ធន់នឹងសំណឹក៖ ភាពរឹងខ្ពស់ ផ្ទៃបង្រួម ភាគល្អិតល្អ។

4. ធន់នឹងច្រេះ៖ អាស៊ីត អាល់កាឡាំង អំបិល និងសារធាតុសរីរាង្គ។

លក្ខណៈបច្ចេកទេសសំខាន់ៗនៃថ្នាំកូត CVD-SIC៖

សមត្ថភាពផ្គត់ផ្គង់៖

10000 ដុំ / ដុំក្នុងមួយខែ
ការវេចខ្ចប់ និងដឹកជញ្ជូន៖
ការវេចខ្ចប់៖ ការវេចខ្ចប់ស្តង់ដារ និងរឹងមាំ
ថង់ប៉ូលី + ប្រអប់ + ប្រអប់ + ប៉ាឡែត
ច្រក៖
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ពេលវេលានាំមុខ៖