ព័ត៌មាន

អេឡិចត្រុងកោសិកាឥន្ធនៈ, ប្ដូរតាមបំណង MEA -1
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-09-21
ការផ្គុំអេឡិចត្រូតភ្នាស (MEA) គឺជាជង់ដែលបានជួបប្រជុំគ្នានៃ: ភ្នាសផ្លាស់ប្តូរប្រូតេអ៉ីន (PEM) ស្រទាប់ចែកចាយឧស្ម័នកាតាលីករ (GDL) លក្ខណៈបច្ចេកទេសនៃការផ្គុំអេឡិចត្រូតភ្នាស៖ កម្រាស់ 50 μm។ ទំហំ 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 ឬ 100 cm2 តំបន់សកម្ម។ កាតាលីករផ្ទុក Anode = 0.5 ...
អានបន្ថែម
ការច្នៃប្រឌិតថ្មីបំផុត កោសិកាប្រេងឥន្ធនៈផ្ទាល់ខ្លួន MEA សម្រាប់ឧបករណ៍ថាមពល/ទូក/កង់/ស្កូតឺ
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-09-21
ការផ្គុំអេឡិចត្រូតភ្នាស (MEA) គឺជាជង់ដែលបានជួបប្រជុំគ្នានៃ: ភ្នាសផ្លាស់ប្តូរប្រូតេអ៉ីន (PEM) ស្រទាប់ចែកចាយឧស្ម័នកាតាលីករ (GDL) លក្ខណៈបច្ចេកទេសនៃការផ្គុំអេឡិចត្រូតភ្នាស៖ កម្រាស់ 50 μm។ ទំហំ 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 ឬ 100 cm2 តំបន់សកម្ម។ កាតាលីករផ្ទុក Anode = 0.5 ...
អានបន្ថែម
ការណែនាំអំពីសេណារីយ៉ូនៃការអនុវត្តបច្ចេកវិទ្យាថាមពលអ៊ីដ្រូសែន
ដោយ admin ថ្ងៃទី 22-09-17

អានបន្ថែម
ដំណើរការផលិតរ៉េអាក់ទ័រដោយស្វ័យប្រវត្តិ
ដោយ admin ថ្ងៃទី 22-09-17
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. គឺជាសហគ្រាសបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ដែលបានបង្កើតឡើងនៅក្នុងប្រទេសចិន ដោយផ្តោតលើបច្ចេកវិទ្យាសម្ភារៈកម្រិតខ្ពស់ និងផលិតផលរថយន្ត។ យើងជាអ្នកផលិត និងអ្នកផ្គត់ផ្គង់ដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈជាមួយរោងចក្រ និងក្រុមលក់របស់យើង។
អានបន្ថែម
ម៉ាស៊ីនបូមធូលីអគ្គិសនីចំនួនពីរត្រូវបានបញ្ជូនទៅអាមេរិក
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-09-14

អានបន្ថែម
Graphite មានអារម្មណ៍ថាត្រូវបានដឹកជញ្ជូនទៅប្រទេសវៀតណាម
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-09-14

អានបន្ថែម
អុកស៊ីតកម្ម SiC - ថ្នាំកូតដែលធន់ទ្រាំនឹងត្រូវបានរៀបចំនៅលើផ្ទៃក្រាហ្វិតដោយដំណើរការ CVD
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-09-14
ថ្នាំកូត SiC អាចត្រូវបានរៀបចំដោយការទម្លាក់ចំហាយគីមី (CVD) ការបំប្លែងសារធាតុមុន ការបាញ់ថ្នាំប្លាស្មាជាដើម។ ការប្រើប្រាស់មេទីល trichlosilane ។ (CHzSiCl3, MTS) ជាប្រភពស៊ីលីកុន ថ្នាំកូត SiC រៀបចំ...
អានបន្ថែម
រចនាសម្ព័ន្ធស៊ីលីកុនកាបូន
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-08-30
ប្រភេទសំខាន់ៗចំនួនបីនៃ silicon carbide polymorph មានប្រហែល 250 ទម្រង់គ្រីស្តាល់នៃ silicon carbide ។ ដោយសារ silicon carbide មានស៊េរីនៃ polycrystalline ដូចគ្នាដែលមានរចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ស្រដៀងគ្នា ស៊ីលីកុន carbide មានលក្ខណៈនៃ polycrystalline ដូចគ្នា។ ស៊ីលីកុនកាបូន (Mosanite)...
អានបន្ថែម
ស្ថានភាពស្រាវជ្រាវនៃសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា SiC
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 22-08-23
ខុសពីឧបករណ៍ដាច់ពីគ្នា S1C ដែលបន្តវ៉ុលខ្ពស់ ថាមពលខ្ពស់ ប្រេកង់ខ្ពស់ និងលក្ខណៈសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ គោលដៅស្រាវជ្រាវនៃសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា SiC គឺសំខាន់ដើម្បីទទួលបានសៀគ្វីឌីជីថលសីតុណ្ហភាពខ្ពស់សម្រាប់សៀគ្វីគ្រប់គ្រង ICs ថាមពលឆ្លាតវៃ។ ក្នុងនាមជាសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា SiC សម្រាប់ ...
អានបន្ថែម