Reaction-sintered silicon carbide គឺជាវត្ថុធាតុដើមសំខាន់ដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ជាមួយនឹងកម្លាំងខ្ពស់ ភាពរឹងខ្ពស់ ធន់នឹងការពាក់ខ្ពស់ ធន់នឹងការច្រេះខ្ពស់ និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មខ្ពស់ និងលក្ខណៈសម្បត្តិដ៏ល្អឥតខ្ចោះផ្សេងទៀត ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងម៉ាស៊ីន លំហអាកាស ឧស្សាហកម្មគីមី ថាមពល និងផ្សេងៗទៀត។ វាល។
1. ការរៀបចំវត្ថុធាតុដើម
ការរៀបចំវត្ថុធាតុដើមដែលមានប្រតិកម្មស៊ីលីកុនកាបូនឌីអុកស៊ីតគឺភាគច្រើនជាម្សៅកាបូន និងស៊ីលីកុន ដែលកាបូនអាចប្រើប្រាស់សារធាតុដែលមានផ្ទុកកាបូនបានច្រើនប្រភេទ ដូចជាធ្យូងថ្ម ធ្យូងថ្ម ក្រាហ្វិច ធ្យូងជាដើម ម្សៅស៊ីលីកុនជាធម្មតាត្រូវបានជ្រើសរើសដោយភាគល្អិត។ ទំហំនៃម្សៅស៊ីលីកូន 1-5μm ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។ ដំបូង ម្សៅកាបូន និងស៊ីលីកុនត្រូវបានលាយបញ្ចូលគ្នាក្នុងសមាមាត្រជាក់លាក់មួយ ដោយបន្ថែមបរិមាណសមស្របនៃសារធាតុចង និងលំហូរ ហើយកូរឱ្យស្មើៗគ្នា។ ល្បាយនេះត្រូវបានដាក់ចូលទៅក្នុងម៉ាស៊ីនកិនបាល់សម្រាប់កិនគ្រាប់ដើម្បីលាយឯកសណ្ឋានបន្ថែមទៀត និងកិនរហូតដល់ទំហំភាគល្អិតតិចជាង 1μm។
2. ដំណើរការផ្សិត
ដំណើរការផ្សិតគឺជាជំហានសំខាន់មួយក្នុងការផលិតស៊ីលីកុនកាបូន។ ដំណើរការផ្សិតដែលប្រើជាទូទៅគឺការចុចផ្សិត ការដាក់ផ្សិត និងផ្សិតឋិតិវន្ត។ ការបង្កើតសារពត៌មានមានន័យថាល្បាយត្រូវបានដាក់ចូលទៅក្នុងផ្សិតហើយបង្កើតឡើងដោយសម្ពាធមេកានិច។ ការដាក់ផ្សិតគឺសំដៅលើការលាយល្បាយជាមួយទឹក ឬសារធាតុរំលាយសរីរាង្គ ដោយចាក់វាចូលទៅក្នុងផ្សិតតាមរយៈសឺរាុំងក្រោមលក្ខខណ្ឌខ្វះចន្លោះ ហើយបង្កើតជាផលិតផលសម្រេចបន្ទាប់ពីឈរ។ ការបង្កើតសម្ពាធឋិតិវន្ត សំដៅលើការលាយចូលទៅក្នុងផ្សិត ក្រោមការការពារសុញ្ញកាស ឬបរិយាកាសសម្រាប់ការបង្កើតសម្ពាធឋិតិវន្ត ជាធម្មតានៅសម្ពាធ 20-30MPa ។
3. ដំណើរការ sintering
Sintering គឺជាជំហានសំខាន់មួយនៅក្នុងដំណើរការផលិតនៃប្រតិកម្ម-sintered silicon carbide ។ សីតុណ្ហភាព sintering ពេលវេលា sintering បរិយាកាស sintering និងកត្តាផ្សេងទៀតនឹងប៉ះពាល់ដល់ដំណើរការនៃប្រតិកម្ម-sintered silicon carbide ។ ជាទូទៅ សីតុណ្ហភាព sintering នៃ reactive sintering silicon carbide គឺនៅចន្លោះ 2000-2400 ℃ ពេលវេលា sintering ជាទូទៅគឺ 1-3 ម៉ោង ហើយបរិយាកាស sintering ជាធម្មតា inert ដូចជា argon, nitrogen ជាដើម។ ក្នុងអំឡុងពេល sintering ល្បាយនឹងទទួលរងនូវប្រតិកម្មគីមីដើម្បីបង្កើតជាគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុន carbide ។ ទន្ទឹមនឹងនេះ កាបូនក៏នឹងមានប្រតិកម្មជាមួយនឹងឧស្ម័ននៅក្នុងបរិយាកាស ដើម្បីផលិតឧស្ម័នដូចជា CO និង CO2 ដែលនឹងប៉ះពាល់ដល់ដង់ស៊ីតេ និងលក្ខណៈសម្បត្តិរបស់ស៊ីលីកុនកាបូន។ ដូច្នេះការរក្សាបរិយាកាស sintering សមរម្យ និងពេលវេលា sintering គឺមានសារៈសំខាន់ខ្លាំងណាស់សម្រាប់ការផលិតនៃប្រតិកម្ម sintered silicon carbide ។
4. ដំណើរការក្រោយការព្យាបាល
ស៊ីលីកុន កាបូអ៊ីដ្រាត ដែលដុតដោយប្រតិកម្ម ទាមទារដំណើរការព្យាបាលក្រោយការផលិត។ ដំណើរការក្រោយការព្យាបាលទូទៅគឺម៉ាស៊ីន កិន ប៉ូលា អុកស៊ីតកម្ម ជាដើម។ ដំណើរការទាំងនេះត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីកែលម្អភាពជាក់លាក់ និងគុណភាពផ្ទៃនៃប្រតិកម្ម-ស៊ីលីកុនកាបូនកាបូន។ ក្នុងចំនោមពួកគេ ដំណើរការកិន និងប៉ូលា គឺជាវិធីសាស្ត្រកែច្នៃទូទៅ ដែលអាចធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវការបញ្ចប់ និងរាបស្មើនៃផ្ទៃស៊ីលីកុនកាបូន។ ដំណើរការអុកស៊ីតកម្មអាចបង្កើតជាស្រទាប់អុកស៊ីតដើម្បីបង្កើនភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម និងស្ថេរភាពគីមីនៃប្រតិកម្ម-ស៊ីលីកុនកាបូនអ៊ីដ្រាត។
សរុបមក ការផលិតស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានប្រតិកម្មគឺជាដំណើរការដ៏ស្មុគស្មាញមួយ ចាំបាច់ត្រូវធ្វើជាម្ចាស់នៃបច្ចេកវិទ្យា និងដំណើរការជាច្រើន រួមទាំងការរៀបចំវត្ថុធាតុដើម ដំណើរការផ្សិត ដំណើរការដុត និងដំណើរការក្រោយការព្យាបាល។ មានតែតាមរយៈការធ្វើជាម្ចាស់លើបច្ចេកវិជ្ជា និងដំណើរការទាំងនេះយ៉ាងទូលំទូលាយប៉ុណ្ណោះ ទើបអាចផលិតវត្ថុធាតុដើមស៊ីលីកុនកាបូនដែលកែច្នៃដោយប្រតិកម្មដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ដើម្បីបំពេញតម្រូវការនៃវិស័យកម្មវិធីផ្សេងៗ។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ កក្កដា-០៦-២០២៣