ទូក Wafer ជាប់គ្នា។

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ទូក Wafer ជាប់គ្នាពី vet-china ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការគ្រប់គ្រង wafer ប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពនៅក្នុងការផលិត semiconductor ។ បង្កើតដោយភាពជាក់លាក់ ដំណោះស្រាយរបស់ vet-china ធានាបាននូវស្ថេរភាពកម្ដៅ និងធន់នឹងសារធាតុគីមី ធ្វើឱ្យដំណើរការផលិតកម្មកាន់តែប្រសើរឡើង ខណៈពេលដែលកាត់បន្ថយការខូចខាត និងបង្កើនទិន្នផល។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង ទាញយកជា PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

vet-china ណែនាំទូក Wafer ជាប់គ្នាដ៏ទំនើបដែលត្រូវបានវិស្វកម្មសម្រាប់ជំនាន់ក្រោយនៃការផលិត semiconductor ។ ទូកដែលបានរចនាយ៉ាងល្អិតល្អន់នេះផ្តល់នូវភាពជាក់លាក់ដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបានក្នុងការគ្រប់គ្រង wafer ធានានូវប្រតិបត្តិការគ្មានថ្នេរ និងកាត់បន្ថយហានិភ័យនៃការខូចខាតក្នុងអំឡុងពេលដំណើរការ។

បង្កើតឡើងដោយសម្ភារៈដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ទូក Wafer ជាប់គ្នាមានស្ថេរភាពកម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងធន់នឹងសារធាតុគីមីពិសេស ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់បរិស្ថានដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងគីមីដ៏អាក្រក់។ ការរចនាប្រកបដោយភាពច្នៃប្រឌិតរបស់វាធានាថា wafers ត្រូវបានរក្សាដោយសុវត្ថិភាព និងតម្រឹមយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះ បង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃការផលិត និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពផលិតកម្ម។

ទូក wafer ទំនើបនេះត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីបំពេញតម្រូវការតម្រូវការនៃក្រណាត់ semiconductor ទំនើប គាំទ្រទំហំ និងការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធផ្សេងៗ។ តាមរយៈការបញ្ចូលទូក Wafer ជាប់គ្នាពី vet-china ទៅក្នុងខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មរបស់អ្នក អ្នកអាចរំពឹងថានឹងមានដំណើរការប្រសើរឡើង កាត់បន្ថយពេលវេលារងចាំ និងបង្កើនអត្រាទិន្នផល។

ទទួលបានបទពិសោធន៍ពីភាពខុសគ្នាជាមួយនឹងការប្តេជ្ញាចិត្តរបស់ vet-china ចំពោះគុណភាព និងការច្នៃប្រឌិត ដោយផ្តល់នូវផលិតផលដែលរុញច្រានព្រំដែននៃការផលិត semiconductor ។ ជ្រើសរើសទូក Wafer ជាប់គ្នា និងបង្កើនសមត្ថភាពដំណើរការ wafer របស់អ្នកទៅកម្ពស់ថ្មី។

លក្ខណៈសម្បត្តិនៃស៊ីលីកុនកាបូនដែលកែច្នៃឡើងវិញ

Recrystallized silicon carbide (R-SiC) គឺជាសម្ភារៈដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ជាមួយនឹងភាពរឹងទីពីរបន្ទាប់ពីពេជ្រ ដែលត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់លើសពី 2000 ℃។ វារក្សាបាននូវលក្ខណៈសម្បត្តិដ៏ល្អឥតខ្ចោះជាច្រើនរបស់ SiC ដូចជាកម្លាំងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងច្រេះខ្លាំង ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មល្អ ធន់នឹងកម្ដៅល្អ ជាដើម។

● លក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិកល្អឥតខ្ចោះ។ Recrystallized silicon carbide មានភាពរឹងមាំ និងរឹងជាងជាតិសរសៃកាបូន ធន់នឹងផលប៉ះពាល់ខ្ពស់ អាចដំណើរការបានល្អក្នុងបរិយាកាសសីតុណ្ហភាពខ្លាំង អាចលេងសមតុល្យសមតុល្យប្រសើរជាងមុនក្នុងស្ថានភាពផ្សេងៗ។ លើសពីនេះ វាក៏មានភាពបត់បែនល្អ និងមិនងាយខូចដោយសារការលាតសន្ធឹង និងពត់ ដែលធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវដំណើរការរបស់វាយ៉ាងខ្លាំង។

● ធន់នឹងច្រេះខ្ពស់។ Recrystallized silicon carbide មានភាពធន់នឹងច្រេះខ្ពស់ទៅនឹងប្រព័ន្ធផ្សព្វផ្សាយផ្សេងៗ អាចការពារការសាយភាយនៃសារធាតុ corrosive ផ្សេងៗ អាចរក្សាបាននូវលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិចរបស់វាបានយូរ មាន adhesion ខ្លាំង ដូច្នេះវាមានអាយុកាលប្រើប្រាស់បានយូរ។ លើសពីនេះ វាក៏មានស្ថេរភាពកម្ដៅល្អ អាចសម្របខ្លួនទៅនឹងជួរជាក់លាក់នៃការផ្លាស់ប្តូរសីតុណ្ហភាព ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពកម្មវិធីរបស់វា។

● Sintering មិនរួញ។ ដោយសារតែដំណើរការ sintering មិនរួញតូច គ្មានភាពតានតឹងដែលនៅសេសសល់នឹងបណ្តាលឱ្យខូចទ្រង់ទ្រាយ ឬបំបែកនៃផលិតផល ហើយផ្នែកដែលមានរាងស្មុគស្មាញ និងភាពជាក់លាក់ខ្ពស់អាចត្រូវបានរៀបចំ។

重结晶碳化硅物理特性 លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តនៃ Silicon Carbide កែច្នៃឡើងវិញ
性质 / ទ្រព្យសម្បត្តិ	典型数值 / តម្លៃធម្មតា។
使用温度/ សីតុណ្ហភាពការងារ (°C)	1600 ° C (ជាមួយអុកស៊ីសែន), 1700 ° C (កាត់បន្ថយបរិស្ថាន)
ស៊ី.ស៊ី含量/ មាតិកាស៊ីស៊ី	> 99.96%
自由ស៊ី 含量/ មាតិកាស៊ីដោយឥតគិតថ្លៃ	< 0.1%
体积密度/ដង់ស៊ីតេភាគច្រើន	2.60-2.70 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³
气孔率/ porosity ជាក់ស្តែង	< 16%
抗压强度/ កម្លាំងបង្ហាប់	> ៦០០MPa
常温抗弯强度/កម្លាំងពត់កោងត្រជាក់	80-90 MPa (20 ° C)
高温抗弯强度កម្លាំងពត់កោងក្តៅ	90-100 MPa (1400 ° C)
热膨胀系数/ ការពង្រីកកំដៅ @1500°C	៤.៧០ ១០^-6/°C
导热系数/ចរន្តកំដៅ 1200°C	២៣W/m•K
杨氏模量/ ម៉ូឌុលបត់បែន	240 GPa
抗热震性/ ធន់នឹងការឆក់កំដៅ	ល្អណាស់

ថាមពល VET គឺ នេះ។ក្រុមហ៊ុនផលិតពិតប្រាកដនៃផលិតផល graphite និង silicon carbide ផ្ទាល់ខ្លួនជាមួយនឹងថ្នាំកូត CVD,អាចផ្គត់ផ្គង់ផ្សេងៗគ្រឿងបន្លាស់តាមតម្រូវការសម្រាប់ឧស្សាហកម្ម semiconductor និង photovoltaic ។ Oក្រុមបច្ចេកទេសរបស់អ្នកមកពីស្ថាប័នស្រាវជ្រាវក្នុងស្រុកកំពូលអាចផ្តល់នូវដំណោះស្រាយសម្ភារៈដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈបន្ថែមទៀតសម្រាប់អ្នក។

យើងបន្តអភិវឌ្ឍដំណើរការកម្រិតខ្ពស់ ដើម្បីផ្តល់នូវសម្ភារៈទំនើបៗបន្ថែមទៀត។និងបានធ្វើការចេញនូវបច្ចេកវិជ្ជាដែលមានប៉ាតង់ផ្តាច់មុខ ដែលអាចធ្វើឱ្យទំនាក់ទំនងរវាងថ្នាំកូត និងស្រទាប់ខាងក្រោមកាន់តែតឹង ហើយងាយនឹងបំបែកចេញ។

CVD SiC薄膜基本物理性能 លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តមូលដ្ឋាននៃ CVD SiCថ្នាំកូត
性质 / ទ្រព្យសម្បត្តិ	典型数值 / តម្លៃធម្មតា។
晶体结构 / រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់	ដំណាក់កាល FCC β多晶，主要为（111) 取向
密度 / ដង់ស៊ីតេ	3.21 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3
硬度 / រឹង	2500 维氏硬度 (ផ្ទុក 500 ក្រាម)
晶粒大小 / គ្រាប់ធញ្ញជាតិ SiZe	2 ~ 10 μm
纯度 / ភាពបរិសុទ្ធគីមី	99.99995%
热内 / សមត្ថភាពកំដៅ	640 J · គីឡូក្រាម^-1· ខេ^-1
升华温度 / សីតុណ្ហភាព Sublimation	២៧០០ អង្សាសេ
抗弯强度 / កម្លាំងបត់បែន	415 MPa RT 4 ចំណុច
杨氏模量 / ម៉ូឌុលរបស់ Young	430 Gpa 4pt ពត់, 1300 ℃
导热系数 / កំដៅលីត្រចរន្តអគ្គិសនី	៣០០ វ៉^-1· ខេ^-1
热膨胀系数 / ការពង្រីកកំដៅ (CTE)	៤.៥ × ១០^-6K^-1