Кремний карбиді табақ науасы әртүрлі жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінде қолданылатын негізгі компонент болып табылады. Біз патенттелген технологиямызды өте жоғары тазалығымен, жақсы жабынның біркелкілігімен және тамаша қызмет ету мерзімімен, сондай-ақ жоғары химиялық төзімділік пен термиялық тұрақтылық қасиеттерімен кремний карбиді табақ науасын жасау үшін қолданамыз.
VET Energy – SiC, Tac, пиролитикалық көміртек, шыны тәрізді көміртек және т. Біздің техникалық команда отандық жетекші ғылыми-зерттеу институттарынан келеді, сізге кәсіби материалды шешімдерді ұсына алады.
Біз неғұрлым жетілдірілген материалдармен қамтамасыз ету үшін жетілдірілген процестерді үздіксіз дамытамыз және жабын мен субстрат арасындағы байланыстыруды тығыз және ажырауға бейімді ете алатын эксклюзивті патенттелген технологияны әзірледік.
Біздің өнімдеріміздің ерекшеліктері:
1. 1700℃ дейін жоғары температураның тотығуға төзімділігі.
2. Жоғары тазалық және жылу біркелкілігі
3. Коррозияға тамаша төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.
4. Жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.
5. Қызмет ету мерзімі ұзағырақ және берік
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негізгі физикалық қасиеттеріжабын | |
| 性质 / Меншік | 典型数值 / Типтік мән |
| 晶体结构 / Кристалл құрылымы | FCC β фазасы多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Тығыздығы | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Қаттылық | 2500 维氏硬度（500г жүктеме） |
| 晶粒大小 / Дән өлшемі | 2~10мкм |
| 纯度 / Химиялық тазалық | 99,99995% |
| 热容 / Жылу сыйымдылығы | 640 Дж·кг-1· Қ-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Иілу күші | 415 МПа RT 4-нүкте |
| 杨氏模量 / Янг модулі | 430 Gpa 4pt иілісі, 1300℃ |
| 导热系数 / ТермалӨткізгіштік | 300Вт·м-1· Қ-1 |
| 热膨胀系数 / Жылулық кеңею (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Сізді біздің зауытқа келуге шақырамыз, әрі қарай талқылайық!
